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PRODUKTE

Saphir-Oblate

Kleine quadratische Saphir-Komponenten/kundenspezifische Saphir-Glas-Verschleißfestigkeit

Sic Substrat

4H-SEMI SiC-Substrat-Schnittscheibe Durchmesser 10 mm Dicke 5 mm <0001> Hohe Härte

4 Zoll 3C-N-Typ SiC-Substrat Siliziumkarbid Substrat Dicke 350um Prime-Qualität Dummy-Qualität

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

4H-N SiC-Substrat Silizium-Kohlenstoff-Substrat Quadrat 5mm*5mm individuell angepasste Dicke 350um Prime Grade/ Dummy Grade

4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um individuell

4H-N Siliziumkarbid SiC-Substrat 8 Zoll Dicke 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

Saphir optisches Windows

Doppelte Seiten-Poliersaphir Windows für Fingerabdruck-Anerkennungs-Anwendungen

IC-Siliziumscheibe

Schwarzes 8 Zoll IC-Siliziumscheibe-Silikon-Barren Polysilicon für Halbleiter-Prozess

Draht sah Maschine

Maschine zum Schneiden von Natursteinen mit mehreren Drähten

Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden

Diamantdraht-Ein- oder Mehrfachdrahtsäge für die Verarbeitung von Halbleiterwafern

Synthetischer Saphir Rod

Elektronische Keramik-synthetischer Saphir Rod mit 99,999% Materialien Al2O3

Fixierter Quarz-Platte

Chemiefasergewebe-fixierter Quarz-Platte des Grad-GS1, Quarz-optische Fenster 2.2g/cm ³ Dichte

120 x 120mm fixierter Quarz-Platte kundengebundene quadratische Form für elektronisches Licht

Saphir-Teile

Saphir-Stäbchen angepasste Stange reine Al2O3 Einkristalloptische Teile Hohe Härte

Saphir Wafer Handling Lift Pin für Wafer Transfer reduzierte mechanische Belastung

Saphirhebel Saphirteile reine Al2O3 Einkristalloptische Teile Hohe Härte

Saphirröhrchen Optische Al2O3-Röhrchen Hohe Härte Maßgeschneiderte Röhren Transparent

Saphirröhrchen Optikröhrchen Reine Al2O3-Röhrchen Hohe Härte Durchsichtige ursprüngliche Wachstumsoberfläche

Saphir-Lifthilfspin Waferübertragung Saphir-Lifthilfstab Wafer-Lifthilfspin aus Al2O3

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Magnetische Aufhängung Zentrifugalluftkompressor 45%-100% Dauermagnet Frequenzumwandlung Zentrifugaltechnologie

Glaslaser Präzisionsschneidemaschine Glasverarbeitung UV-Laser CNC-System

Teile für die Präzisionsbearbeitung von kleinen Tischlaserperforatoren mit Mikrometeröffnung

SiC-Kristallwachstumsöfen PVT LPE HT-CVD hochwertige SiC-Kristallwachstumsmethode

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

N / P schreiben Germanium-Oblate, Germanium-Optik-Platten-Durchmesser 0,5 | 150mm

Platten-Indium-Phosphid-Oblaten-ausgezeichnetes Halbleiter-Material GEs optische

Primär-/blinde Grad-Indium-Phosphid-Oblaten-Stärke 350um für LD

3,58 Oblaten-Magnesium-Oxid-Kristall-Substrat Dichte-MgO-Substrat-/MgO

keramisches Substrat

Keramischer Zylinder der Spiegel-Poliersilikon-Karbid-Rohr-Verschleißfestigkeits-Al2O3

Sondergröße-keramische Substrat-/Silikon-Karbid-keramische ausgezeichnete Korrosion

6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung

Kundengebundenes Größen-Silikon-Karbid, das keramische Reinheit des Laufring-98% poliert

Keramische Oblaten-ausgezeichnete elektrische Eigenschaften des Substrat-Al2O3 für Gleitringdichtungen

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

Undoped halb- isolierende Gallium-Nitrid-Oblate HVPE und Schablonen-Art

GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP

HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll

GaAs-Oblate

N - Schreiben Sie Galliumarsenid-Wafer GaAs einzelner Kristall-Substrate 2 - 6 Zoll

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