Suchergebnis

Haus PRODUKTE silicon carbide substrate On-line-Hersteller

Alle Kategorien

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Treten Sie mit uns in Verbindung

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Kontakt jetzt

Ihre Suche

[silicon carbide substrate ]

Übereinstimmung

210

PRODUKTE

Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

Erhalten Sie besten Preis

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

Erhalten Sie besten Preis

Farblose Transparente Siliziumkarbid SiC Polierte Waferlinse Optische AR-Brille

Erhalten Sie besten Preis

Keramischer Zylinder der Spiegel-Poliersilikon-Karbid-Rohr-Verschleißfestigkeits-Al2O3

Erhalten Sie besten Preis

4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch

Erhalten Sie besten Preis

2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse

Erhalten Sie besten Preis

Silikon-Karbid-Oblaten-sic Oblaten-blinde Forschungs-Hauptgrad 2inch 4inch 6inch 8Inch

Erhalten Sie besten Preis

330um der Stärke-4 H-N Types Substrat-Produktions-Grad Dia50.8mm 2inch sic

Erhalten Sie besten Preis

2inch Forschungs-Grad-einzelner Kristall Durchmessers 50.8mm sic Substrat-4H-Semi

Erhalten Sie besten Preis

SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

Erhalten Sie besten Preis

Sic besonders angefertigt GaN-auf-GaN Durchmesser 100mm Silikon-Sapphire Substrate Epitaxial Wafer-4inch

Erhalten Sie besten Preis

Video

6H-N 4H-N sic Silikon-Karbid-Oblate Substrat-2inch 0.33mm 0.43mm

Erhalten Sie besten Preis

Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum

Erhalten Sie besten Preis

4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade

Erhalten Sie besten Preis

8 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Prime Dummy Forschungsgrad 500um 350 Um

Erhalten Sie besten Preis

2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

Erhalten Sie besten Preis

1 2 3 4 5 6 7 8

Suchergebnisse

Haus PRODUKTE silicon carbide substrate On-line-Hersteller

Alle Kategorien

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Ihre Suche [ silicon carbide substrate ] Übereinstimmung 210 PRODUKTE

Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic

Erhalten Sie besten Preis

Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm

Erhalten Sie besten Preis

Sic Kristall-4H-SEMI 4" optische Silikon-Karbid-Oblate

Erhalten Sie besten Preis

8 Zoll-Silikon-Karbid keramischer Tray For Epitaxial Growth Processing

Erhalten Sie besten Preis

Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll

Erhalten Sie besten Preis

Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

Erhalten Sie besten Preis

Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

Erhalten Sie besten Preis

4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

Erhalten Sie besten Preis

Sic Siliziumkarbid Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

Erhalten Sie besten Preis

Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

Erhalten Sie besten Preis

sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

Erhalten Sie besten Preis

Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

Erhalten Sie besten Preis

1 2 3 4 5 6 7 8

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

[silicon carbide substrate ]

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic

Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm

Sic Kristall-4H-SEMI 4" optische Silikon-Karbid-Oblate

8 Zoll-Silikon-Karbid keramischer Tray For Epitaxial Growth Processing

Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll

Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

Sic Siliziumkarbid Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik