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eric_wang@zmsh-materials.com

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[silicon carbide substrate ]

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sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

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Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

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Keramischer Zylinder der Spiegel-Poliersilikon-Karbid-Rohr-Verschleißfestigkeits-Al2O3

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4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch

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2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse

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Silikon-Karbid-Oblaten-sic Oblaten-blinde Forschungs-Hauptgrad 2inch 4inch 6inch 8Inch

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2inch Forschungs-Grad-einzelner Kristall Durchmessers 50.8mm sic Substrat-4H-Semi

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330um der Stärke-4 H-N Types Substrat-Produktions-Grad Dia50.8mm 2inch sic

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SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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Sic besonders angefertigt GaN-auf-GaN Durchmesser 100mm Silikon-Sapphire Substrate Epitaxial Wafer-4inch

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6H-N 4H-N sic Silikon-Karbid-Oblate Substrat-2inch 0.33mm 0.43mm

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Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy Grade 4 Zoll 6 Zoll

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Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic

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Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm

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Sic Kristall-4H-SEMI 4" optische Silikon-Karbid-Oblate

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8 Zoll-Silikon-Karbid keramischer Tray For Epitaxial Growth Processing

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Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll

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Silicon Carbide Ceramic Tray for Semiconductor Wafer Processing

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Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

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Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

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4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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Sic Siliziumkarbid Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

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Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

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