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Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

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kaufen Silikonkarbid-Seed-Wafer des Typs 4H Dia 157±0,5 mm Dicke 500±50um Monokristallfläche > 153 mm Online-Herstellung

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kaufen 2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse Online-Herstellung

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SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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Sic besonders angefertigt GaN-auf-GaN Durchmesser 100mm Silikon-Sapphire Substrate Epitaxial Wafer-4inch

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6H-N 4H-N sic Silikon-Karbid-Oblate Substrat-2inch 0.33mm 0.43mm

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