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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[silicon carbide substrate ]

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Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null

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Kundengebundene Größe 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N bricht SIC Platten ab

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3 Zoll-Silikon-Karbid-Wafer, sic Substrat-ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften

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kundengebundene Oblatenchips der Größe 4h-n 6h-semi der Größe 5x5 10x10mm sic

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Sondergröße-keramische Substrat-/Silikon-Karbid-keramische ausgezeichnete Korrosion

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Kundengebundenes Größen-Silikon-Karbid, das keramische Reinheit des Laufring-98% poliert

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2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

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6" Hochreines Siliziumkarbid 4H-Semi SIC Dummy Grade Halbleiterwafer LED 5G AR Brillen Optische Güte

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Keramisches Substrat hohes Wärmeleitfähigkeits-keramisches Substrat-Aluminium-Nitrid AlN

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6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung

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Keramische Oblaten-ausgezeichnete elektrische Eigenschaften des Substrat-Al2O3 für Gleitringdichtungen

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kundengebundene Stärke 1.5mm 4" sic wie-geschnittene leere Kristalloblaten 4H-N

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4H-SEMI SiC Substrat 2 Zoll Dicke 350µm 500µm Prime/Dummy Grade AR-Gläser Optische Güte

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4H-SEMI SiC-Substrat-Schnittscheibe Durchmesser 10 mm Dicke 5 mm <0001> Hohe Härte

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Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafer 4H-SEMI-Substrat P-Typ N-Typ Dicke 500 mm

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4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum

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4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade

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8 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Prime Dummy Forschungsgrad 500um 350 Um

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2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

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Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

Erhalten Sie besten Preis

Silikonkarbid Wafer 6 Zoll Sic Einzelkristall 150 mm Durchmesser 3C-N Typ Anzug für Kommunikationsradarsysteme

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55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

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Silikonkarbid-Seed-Wafer des Typs 4H Dia 157±0,5 mm Dicke 500±50um Monokristallfläche > 153 mm

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Video

Synthetischer Edelstein Royal Blue Moissanite Siliziumkarbid SiC Rohstoffe Hohe Härte Anpassung

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12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik

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Silikonkarbid (SiC) -Substrat für hochwertige industrielle Anwendungen

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Silikon-Nitrid-sic Substrat-Attrappe ordnen das 4 Zoll-4H-N sic Substrat für Geräte der hohen Leistung

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