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[silicon carbide substrate ]

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202

PRODUKTE

2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H 6H 3C Typ Unterstützung Anpassen Halbleiterindustrie Mehrere Größen

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12 Zoll Sic Einzelkristall Siliziumkarbid Substrat Große Größe Hohe Reinheit Durchmesser 300 mm Produktqualität Für 5G-Kommunikation

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2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Typ Off-Achse 2,0° Richtung Produktionsgrad

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Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H High P-Doped Typ Off Axis 4,0° nach vorne Prime Grade Dummy Grade

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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8inch DSP 4H sic Art des Oblaten-Silikon-Karbid-Substrat-Produktions-Grad-N für Experiment

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6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Null MPD-Produktion, Standard-Produktionsgrad

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6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm

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Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad

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Siliziumkarbid Substrat 4' Sic 3C-N Durchmesser 100 mm Leitfähiges Typ Null MPD

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2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm

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Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

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2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 3C-N Typ 50.8 mm Durchmesser Produktionsgrad Forschungsgrad Dummy-Grad

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Kundengebundene Größen-Silikon-Karbid-Substrat-Härte 9,4 sic Teile für Ausrüstung

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Silikonkarbid (SiC) Substrat 6 Zoll 8 Zoll Test-Grad-Wafer für Laserschneiden

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