4-Zoll N-Typ P-dotiertes Si (100) mit 100 nm Ti + 200 nm Cu Dünnschicht Cu-Film auf Ti/Silizium-Wafer

Produktübersicht

Dieser 4-Zoll (100 mm) N-Typ, P-dotierter Silizium-Wafer mit <100> kristalliner Orientierung ist mit einer 100 nm Titan (Ti) Haftschicht und einer 200 nm Kupfer (Cu) leitfähigen Schicht beschichtet.

Die Ti-Schicht dient als starker Haftvermittler und Diffusionsbarriere, wodurch die Anhaftung des Cu-Films und die thermische Stabilität verbessert werden. Die Cu-Schicht bietet eine hohe elektrische Leitfähigkeit und macht diesen Wafer für Mikroelektronik, MEMS-Bauelemente, Sensoren und Forschungsanwendungen geeignet.

Der Wafer ist einseitig poliert (SSP) und wird in Reinraumverpackung geliefert, um eine kontaminationsfreie Handhabung für Präzisionsanwendungen zu gewährleisten.

Die Dünnschichtstruktur ist optimiert, um eine gleichmäßige Dicke, konsistente elektrische Leistung und zuverlässige Haftung zu erreichen. Der Wafer ist ideal für Anwendungen, die eine hochwertige Cu/Ti-Grenzfläche auf Siliziumsubstraten erfordern.

Spezifikationen

Anwendungen

• Halbleiter-Verbindungsschichten

• MEMS-Mikrostrukturen und Elektroden

• Sensorelemente und Kontaktflächen

• Forschung und Entwicklung in der Dünnschichtelektronik

• Hochleitfähigkeits-Testwafer für die Mikrofabrikation

Hauptmerkmale

• Ti-Haftschicht gewährleistet eine starke Cu-Si-Bindung

• 200 nm Cu-Schicht bietet einen niederohmigen leitfähigen Pfad

• Ti-Schicht wirkt als Diffusionsbarriere zur Verbesserung der thermischen Stabilität

• PVD-Abscheidung gewährleistet gleichmäßige Dicke und Oberflächenqualität

• Reinraumverpackung erhält die Sauberkeit und Integrität des Wafers

Hinweise zur Verwendung und Lagerung

• In Reinraum- oder staubarmen Umgebungen handhaben

• Für Hochtemperaturprozesse die Bedingungen optimieren, um die Cu/Si-Interdiffusion zu verhindern

• In einer trockenen, spannungsarmen Umgebung lagern, um die Integrität der Dünnschicht zu erhalten

• Direkten Kontakt mit der beschichteten Oberfläche vermeiden

FAQ

1. Wie ist die Gleichmäßigkeit der Cu/Ti-Dünnschichten auf dem Wafer?
Die Ti-Haftschicht und die Cu-Leitschicht werden mit Hochvakuum-PVD-Techniken abgeschieden, wodurch eine gleichmäßige Dicke über den 4-Zoll-Wafer gewährleistet wird. Die Cu-Filmdicke beträgt 200 nm und die Ti-Schicht 100 nm, mit minimalen Variationen, die für Mikroelektronik und Forschungsanwendungen geeignet sind.

2. Kann dieser Wafer in Hochtemperaturprozessen verwendet werden?
Ja, aber Vorsichtsmaßnahmen werden empfohlen. Die Ti-Schicht wirkt als Diffusionsbarriere, um zu verhindern, dass Cu in das Siliziumsubstrat diffundiert. Es wird empfohlen, die Temperatur und die Verarbeitungsbedingungen zu optimieren, um die Integrität und Gleichmäßigkeit des Films zu erhalten.

3. Wie sollte der Wafer gelagert und gehandhabt werden?
Der Wafer sollte in einem Reinraum oder einer staubarmen Umgebung gehandhabt werden, um Kontaminationen zu vermeiden. In einer trockenen, spannungsarmen Umgebung lagern. Vermeiden Sie direkten Kontakt mit der beschichteten Oberfläche. Jeder Wafer wird in einem Plastikbeutel der 100er-Klasse in einer Reinraumverpackung der 1000er-Klasse geliefert.

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