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6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung
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6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung

Herkunftsort China
Markenname zmkj
Modellnummer ALN
Produkt-Details
Material:
Keramische Substrate AlN
Anwendungen:
keramische Platten für die Halbleiterverarbeitung
Farbe:
Weiß oder Rot oder Blau
Größe:
kundengebundene Größe
Reinheit:
98%
Markieren: 

Silikon-Karbid keramisch

,

Tonerde-keramisches Substrat

Produkt-Beschreibung

keramisches Substrat AlN Nitrid 6inch 1.0mmAluminum, hohe Wärmeleitfähigkeit, kundengebundenes AlN keramisch, keramische Substrate 6inch

 

AlN führen ein

Das Aluminium-Nitrid (AlN) keramisch hat hohe Wärmeleitfähigkeit (5-10mal als die Tonerde keramisch),

niedrige Dielektrizitätskonstante und Verlustfaktor, gute Isolierung und ausgezeichnete mechanische Eigenschaften, ungiftiger, hoher thermischer Widerstand, Chemikalienbeständigkeit und der Längenausdehnungskoeffizient ist mit Si ähnlich, das in den Kommunikationskomponenten weit verbreitet ist, in der geführten hohen Leistung, in den Energieelektronischen geräten und

anderes Felder. Spezielle Spezifikt.-Produkte können auf Anfragen produziert werden.

 

PRODUKTLEISTUNG
Hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Biegefestigkeit, hohe Temperatur, gute elektrische Isolierung
Niedrige Dielektrizitätskonstante und Verlust

ANWENDUNGEN

  • RF-/Microwavekomponenten

  • Energie-Modul

  • Transformatoren

  • Paket der hohen Leistung LED

  • Laserdiodec$unter-berge

  • LED-Chipc$unter-berg

  • Mikroelektronische Pakete

  • Transistoren

Unsere zusammenarbeitende Fabrik kann anwendete den Castingbandprozeß für die Herstellung des Tonerdesubstrates. Mit guter Wärmeleitfähigkeit, Isolierung, Temperaturwechselbeständigkeit, wohlem Widerstand und Antiacidum und

Alkali etc., unsere keramischen Substrate kann in der hybriden Dickschichtbasis der integrierten Schaltungen (HIC), keramischer Ausstrahlens LED, im Energiemodul, in den Halbleiterbauelementen und in anderem benutzt werden Felder.

 

AlN Eigenschaft u. Advantagement

- Produkt-Name:

Aluminiumnitrid/AIN keramisches Substrat 

- Material: Aluminium-Nitrid/AlN
- Typische Eigenschaften:

1. Sehr hoch Wärmeleitfähigkeit

2. Gute elektrische Isolierung

3. Korrosionsbeständigkeit

4. Gute Flachheit

- Typische Anwendungen:

1. Energie-elektronisches Gerät

2. Hohe Helligkeit LED

3. Datenendeinrichtung

 
Materialeigenschaften
Eigenschaften/Material 96% Tonerde AlN
Dichte (g/cm3) 3,6 3,3
Farbe Weiß Grau
Durchschlagsfestigkeit (KV/mm) ≥17 ≥17
Dielektrizitätskonstante (1MHz) 10,6 8,9
Spezifischer Durchgangswiderstand (@20°C, Ω.cm) ≥1014 ≥1014
Wärmeleitfähigkeit (@20°C, W/mk) ≥24 ≥175
Thermische Expansions-Koeffizient (10-6/°C) 6.5-8.0 4,8
Biegefestigkeit (MPa) ≥350 ≥450
 

 

Regelmäßige Größe
Stärke (Millimeter)                                        lengthx Breite (Millimeter)
0,385

 

       2 ″ * 2 ″

50.8mm*50.8mm

 

 

          3 ″ * 3 ″

76.2mm*76.2mm

 

            4 ″ * 4 ″

101.6mm*101.6mm

              4,5 ″ * 4,5 ″

    114.3mm*114.3mm

0,5
0,635
1,0
                                            Durchmesser (Millimeter)
1,0

Φ16

Φ19

Φ20

Φ26

Φ30

Φ35

Φ40

Φ45

Φ50

Φ52

Φ60 Φ75 Φ80
1,2
1,5
2,0
2,5
                       
Durchmesser (Millimeter) Stärke (Millimeter)

2" 

(50.8mm)

VON 16mm

3" 

(76.2mm)

OF22mm

4"

(100mm)

VON 30mm

5"

(125mm)

VON 42.5mm

6"

(150mm)

VON 47.5mm

0,385
0,5
0,65
1,0

Polierservice

   Unser AlN-Substrat kann (einzelne und doppelte Politur) durch die moderne Maschine poliert werden, die importierte

aus dem Ausland. Keramische Substratoberflächenrauigkeit kann zu 1nm ohne poröses nachdem sie erreichen Polier gewesen ist.

  Es ist für die Gerätanwendung kleiner Spezifikt., hohe Präzision tadellos passend und verdrahtet Dichte und gute Stabilität.

6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung 0

Paket u. Lieferung

6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung 1

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