Produkt-Details
Herkunftsort: aus China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: mit einer Breite von mehr als 20 mm,
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Min Bestellmenge: 25
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 2-4weeks
Zahlungsbedingungen: T/T
Artikel:: |
Zeichnung von Saphir-Substraten |
Größe:: |
2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll |
Frontoberfläche:: |
Gemustert |
Rückenoberfläche:: |
SSP: Feinschmiede, Ra=0,8-1,2um; DSP: Epipoliert, Ra<0,3nm |
Lasermarkierung:: |
Rückseite |
Grenze:: |
≤ 2 mm |
Kundenbezogenheit:: |
Saphir-PSS verschiedener Ausrichtung; Saphir-Substrat mit Nanometermuster ((NPSS)) |
Anwendung:: |
Lichtdioden (LED) |
Artikel:: |
Zeichnung von Saphir-Substraten |
Größe:: |
2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll |
Frontoberfläche:: |
Gemustert |
Rückenoberfläche:: |
SSP: Feinschmiede, Ra=0,8-1,2um; DSP: Epipoliert, Ra<0,3nm |
Lasermarkierung:: |
Rückseite |
Grenze:: |
≤ 2 mm |
Kundenbezogenheit:: |
Saphir-PSS verschiedener Ausrichtung; Saphir-Substrat mit Nanometermuster ((NPSS)) |
Anwendung:: |
Lichtdioden (LED) |
Patterned Sapphire Substrate (PSS) ist ein Miniatur-Sapphire-Substrat mit Muster. Es wurde in leistungsstarken Galliumnitrid-basierten Leuchtdioden (LEDs) verwendet.die vielversprechendsten alternativen Lichtquellen für die allgemeine BeleuchtungMit dem Durchbruch der Modell-Saphir-Substrat-Technologie hat die Effizienz von hochhellen Galliumnitrid-LEDs ein Rekordhoch von 150 lm/W erreicht. The efficiency improvement of gallium nitride based leds using patterned sapphire substrate technology is usually attributed to the improvement of light extraction efficiency and internal quantum efficiencyDas regelmäßige Muster, das auf dem Saphirsubstrat erzeugt wird, gleicht die Wirkung der gesamten inneren Reflexion an der Galliumnitrid/Saphir-Schnittstelle aus.Die interne Quanteneffizienz wird aufgrund des möglichen seitlichen Wachstums von GaN-Defilm auf dem musterbasierten Saphirsubstrat verbessert., wodurch die Drehverzerrung verringert wird.
Zusammenfassend lassen sich sagen, dass die auf PSS angebauten GaN-Epitaxialschichten epitaxiale Querfehler und weniger Spaltfehler zwischen GaN und Saphirsubstrat erzeugen.die Gitterparameter von PSS sind besser an GaN angepasst, und das epitaxiale Wachstum von GaN auf PSS führt zu einer geringeren Dislokationsdichte und einem geringeren Refraktionsindex, wodurch die epitaxiale Qualität verbessert wird.
Ein gemusterterter Saphir-Substrat (PSS) ist ein Prozess, bei dem auf dem Saphir-Substrat ein spezifisches Mikrometermuster wie Kuppel, Kegel oder Pyramidenform erstellt wird.Ungleichmäßige Muster auf Saphirsubstraten können Lichtstreuung oder Brechung hervorrufen, wodurch die Lichteffizienz verbessert wird.
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Kristallstruktur |
Hexagonal |
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Gitterkonstante |
a=4,76Å c=12,99Å |
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Dichte ((g/cm)3) |
3.98 |
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Schmelzpunkt ((°C) |
2040 |
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Mohs-Härte |
9 |
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Dielektrische Konstante |
9.3 ((Eine Ebene) 11.5 ((C-Ebene) |
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Wärmeleitfähigkeit ((W/cm.K) |
0.46 |
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Thermische Ausdehnung |
6.7*10-6/k(C-Ebene) 5,0*10-6Ein Flugzeug. |
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Brechungsindex |
1.762-1.777 |
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Übertragung |
Prüfprobe:Saphir:D76,2*4 mm |
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UV:200~380nm 74%~84% |
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Sichtbares Licht: 380 ~ 760 nm 85% |
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Infrarot: 760~1000 nm 85% |
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Ferninfrarot:> 1000 nm 80% ~ 100% |
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Artikel 1 |
- Das ist ein sehr schönes Stück. |
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Durchmesser |
50.8 ± 0,1 mm |
100.0 ± 0,2 mm |
150.0 ± 0,3 mm |
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Stärke |
430 ± 25 μm |
650 ± 25 μm |
1000 ± 25 μm |
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Oberflächenorientierung |
C-Ebene (0001) außerhalb des Winkels zur M-Achse (10-10) 0,2 ± 0,1° |
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C-Ebene (0001) außerhalb des Winkels zur A-Achse (11-20) 0 ± 0,1° |
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Primäre flache Orientierung |
A-Ebene (11-20) ± 1,0° |
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Primärflächige Länge |
16.0 ± 1,0 mm |
30.0 ± 1,0 mm |
47.5 ± 2,0 mm |
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R-Flugzeug |
Um 9 Uhr. |
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Vorderflächenveredelung |
Mustergestalt |
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Rückenoberflächenbearbeitung |
SSP: Feinschmiede, Ra=0,8-1,2um; DSP: Epipoliert, Ra<0,3nm |
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Lasermarkierung |
Rückseite |
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TTV |
≤ 8 μm |
≤ 10 μm |
≤ 20 μm |
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Bogen |
≤ 10 μm |
≤ 15 μm |
≤ 25 μm |
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WARP |
≤ 12 μm |
≤ 20 μm |
≤ 30 μm |
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Grenze ausgeschlossen |
≤ 2 mm |
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Musterspezifikation |
Formstruktur |
Kuppel, Kegel, Pyramide |
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Musterhöhe |
10,6 bis 1,8 μm |
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Musterdurchmesser |
20,75 bis 2,85 μm |
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Musterraum |
00,1-0,3 μm |
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Spezifikationen für die Anpassung:
* Nanometergeformtes Saphirsubstrat (NPSS).
* Saphir PSS verschiedener Ausrichtung.
1Verbesserte LED-Lichtentnahmeeffizienz: PSS verbessert die LED-Lichtentnahmeeffizienz, indem es die interne Reflexion reduziert und die Lichtleistung durch Oberflächenmuster erhöht.
2Verbesserte Kristallqualität: Gestaltete Oberflächen helfen, Defekte im epitaxialen Wachstum zu reduzieren und die Kristallqualität zu verbessern.
3Verbesserte Wärmeabbauleistung: Die musterförmige Struktur erhöht die Wärmeabbaufläche und hilft, die Betriebstemperatur der LED zu senken.
4. Niedrigere Kosten: Höhere Lichteffizienz und Ausbeute reduzieren Materialverschwendung und niedrigere Produktionskosten.
1F: Was ist der Unterschied zwischen PSS und flachen Saphirsubstraten?
A: PSS: hat eine gestaltete Oberfläche, die die Lichtentnahme verbessert und die Qualität des Kristallwachstums verbessert.
Flat Sapphire Substrate: Sie haben eine glatte Oberfläche, was zu einer geringeren Lichtentnahmeeffizienz und einer höheren inneren Reflexion führt.
2F: Welche üblichen Muster werden bei PSS verwendet?
A: Pyramidenmuster: Wirksam für die Lichtentnahme und das epitaxiale Wachstum.
Kegelmuster: Ähnlich wie Pyramiden, aber mit abgerundeten Spitzen.
Mikro-Linsen-Arrays: Optimiert für maximale Lichtleistung.
Hexagonale Muster: Bieten eine gleichmäßige Lichtverteilung und verbessert das Kristallwachstum.
3F: Warum wird Saphir als Substrat für PSS verwendet?
A: Hohe Transparenz: Ideal für lichtemittierende Anwendungen.
Chemische Stabilität: Widerstandsfähig gegen raue chemische Umgebungen.
Thermische Stabilität: Kann hohen Temperaturen während der LED-Herstellung standhalten.
Kostenwirksamkeit: Relativ günstig im Vergleich zu anderen Substraten wie Siliziumkarbid (SiC).
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