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SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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SiC-Samen-Wafer 6" 8" 4H-N-Typ Produktionsgrad Dummy-Grad für SiC-Wafer-Wachstum

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kaufen 6 Zoll N-Typ 6H Siliziumkarbid Epitaxy Wafer mit 350um Dicke für MEMS und UV-Sensoren Online-Herstellung

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kaufen blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate Online-Herstellung

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kaufen Sic Substrat MIT 9,7 Wärmeleitfähigkeit der Dielektrizitätskonstante-4,9 W/mK Online-Herstellung

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kaufen SiC-Präzisionsbindemaschine für Wafer, Graphitpapier und SiC-Samen Online-Herstellung

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