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eric_wang@zmsh-materials.com

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[sic wafer ]

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Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

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Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

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4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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Customized SiC Boats Vertical & Horizontal Wafer Carriers

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4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm

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2 Zoll Sic Substrat 6H-N Typ Dicke 350um 650um Sic Wafer

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Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

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kundengebundene Oblatenchips der Größe 4h-n 6h-semi der Größe 5x5 10x10mm sic

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Blinde des Grad-6Inch sic Stärke Substrat-der Oblaten-Dia150mm 4H-N 500mm

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3 Zoll-Silikon-Karbid-Wafer, sic Substrat-ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften

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6inch Art sic Substrat Durchmessers 150mm 350um Stärke-4H N für SBD MOS Application

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Widerstandskraft >1E7ohm.cm sic Substrat durch customzied Form

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10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab

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SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

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SiC-Samen-Wafer 6" 8" 4H-N-Typ Produktionsgrad Dummy-Grad für SiC-Wafer-Wachstum

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4H-N Siliziumkarbid SiC-Substrat 8 Zoll Dicke 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

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4H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 4 Zoll SIC Wafer 6H-P Für III-V Nitride Ablagerung

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6H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 6 Zoll SIC Wafer 4H-P für optoelektronische Geräte

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2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

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Kundengebundene Größen-Silikon-Karbid-Substrat-Härte 9,4 sic Teile für Ausrüstung

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Video

Kundengebundene Größen-Quadrat-sic Chip-niedrige Gitter-Fehlanpassung mit hoch thermischem

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kundengebundene Stärke 1.5mm 4" sic wie-geschnittene leere Kristalloblaten 4H-N

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Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic

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