Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Modellnummer: InP-Oblate
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Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Material: |
Indiumphosphat |
Größe: |
2 Zoll / 3 Zoll |
Stärke: |
angepasst |
Dotierstoff: |
Fe/ Si |
Orientierung: |
Der Wert der Verbrennungsmenge ist der Wert der Verbrennungsmenge, die für die Verbrennungsmenge ver |
Typ: |
Semi-Typ |
Material: |
Indiumphosphat |
Größe: |
2 Zoll / 3 Zoll |
Stärke: |
angepasst |
Dotierstoff: |
Fe/ Si |
Orientierung: |
Der Wert der Verbrennungsmenge ist der Wert der Verbrennungsmenge, die für die Verbrennungsmenge ver |
Typ: |
Semi-Typ |
2 Zoll Halbisolierende Indiumphosphid InP Epitaxial Wafer für LD Laser Diode, Halbleiter Epitaxial Wafer, 3 Zoll InP Wafer, Einzelkristall Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InP Substrate für LD Anwendung,Halbleiterwafer, InP-Laser-Epitaxialwafer
Eigenschaften der InP-Laser-Epitaxialwafer
- die Verwendung von InP-Wafern zur Herstellung
- Unterstützung von maßgeschneiderten Modellen mit Design-Artwork
- direktes Bandgap, effizientes Licht emittieren, in Lasern verwendet.
- im Wellenlängenbereich von 1,3 μm bis 1,55 μm, Quantenbrunnengebäude
- Verwendung von Techniken wie MOCVD oder MBE, Ätzung, Metallisierung und Verpackung zur Erzielung der endgültigen Form des Geräts
Mehr über die InP-Laser-Epitaxialwafer
InP-Epitaxialwafer sind hochwertige dünne Filme auf Basis von Indiumphosphat (InP) -Materialien, die häufig bei der Herstellung von Optoelektronik und Hochfrequenzgeräten verwendet werden.
Auf InP-Substraten mit Techniken wie der metallorganischen chemischen Dampfdeposition (MOCVD) oder der molekularen Strahl-Epitaxie (MBE) angebautEpitaxialwafer haben eine hervorragende kristalline Qualität und eine kontrollierbare Dicke.
Die direkten Bandgap-Eigenschaften dieser epitaxialen Wafer machen sie gut in Lasern und Photodetektoren, vor allem für optische Kommunikationsanwendungen im 1,3 μm und 1.55 μm Wellenlängenbereich, die eine Datenübertragung mit geringem Verlust und hoher Bandbreite gewährleistet.
Gleichzeitig bieten die hohen Elektronenmobilität und geringen Geräuschqualitäten der InP-Epitaxialwafer auch erhebliche Vorteile bei Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzanwendungen.
Darüber hinaus ist mit der kontinuierlichen Entwicklung der integrierten optoelektronischen Schaltungen und der GlasfaserkommunikationstechnologieDie Anwendungsmöglichkeiten von InP-Epitaxialwafern werden immer breiter, und es ist zu einem unverzichtbaren und wichtigen Material in modernen optoelektronischen Geräten und Systemen geworden.
Anwendung in Sensoren,Lasern und anderen leistungsstarken elektronischen Geräten den Fortschritt verwandter Technologien gefördert und die Grundlage für künftige wissenschaftliche und technologische Innovationen gelegt hat..
Einzelheiten zur InP-Laser-Epitaxialwafer
| Produktparameter | DFB-Epitaxialwafer | Hochleistungs-DFB-Epitaxialwafer | Silicon Photonics Epitaxial Wafer |
| Zinssatz | 10G/25G/50G | / | / |
| Wellenlänge | 1310 nm | ||
| Größe | 2/3 Zoll | ||
| Produktmerkmale | CWDM 4/PAM 4 | BH-Technik | PQ /AlQ DFB |
| PL Wellenlängenregelung | Besser als 3nm | ||
| LPL-Wellenlänge-Einheitlichkeit | Std.Dev besser als 1nm @inner | ||
| Dickenkontrolle | 42mmBesser als +3% | ||
| Einheitlichkeit der Dicke | Besser als +3% @inner 42mm | ||
| Dopingkontrolle | Besser als +10% | ||
| P-lnP-Doping (cm-3) | Zn-Doped; 5e17 bis 2e18 | ||
| N-InP-Doping (cm-3) | Si doppiert; 5e17 bis 3e18 | ||
Weitere Proben von InP Laser Epitaxial Wafer
*Wir akzeptieren die individuellen Anforderungen
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Häufig gestellte Fragen
1. F: Wie steht es mit den Kosten von InP-Laser-Epitaxialwafer im Vergleich zu anderen Wafern?
A: Die Kosten für InP-Laser-Epitaxialwafer sind in der Regel höher als für andere Waferarten wie Silizium- oder Galliumarsenid (GaAs).
2. F: Was ist mit der ZukunftsperspektiveInP-Laser-EpitaxialWafer?
A: Die Zukunftsperspektiven von InP-Laser-Epitaxialwafern sind sehr vielversprechend.
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