FP Epiwafer InP Substrat Kontaktschicht InGaAsP Dia 2 3 4 Zoll für OCT 1,3um Wellenlänge Band

FP Epiwafer InP Substrat Kontaktschicht InGaAsP Dia 2 3 4 Zoll für OCT 1,3um Wellenlänge Band

FP-Epiwafer InP-Substrat-Brief

Fabry-Perot (FP) Epiwafer auf Indiumphosphat (InP) Substraten sind Schlüsselkomponenten bei der Entwicklung optoelektronischer Geräte,vor allem Laserdioden, die in optischen Kommunikations- und Sensoranwendungen verwendet werdenInP-Substrate bieten eine ideale Plattform aufgrund ihrer hohen Elektronenmobilität, ihrer direkten Bandlücke und ihrer hervorragenden Gitterverknüpfung für das epitaxiale Wachstum.Diese Wafer haben typischerweise mehrere Epitaxialschichten, wie z. B. InGaAsP, die die FP-Laserhöhle bilden und Licht in den kritischen Wellenlängenbanden von 1,3 μm bis 1,55 μm emittieren, was sie für die Glasfaserkommunikation sehr effektiv macht.

FP-Laser, die auf diesen Epiwafern angebaut werden, sind bekannt für ihre relativ einfache Struktur im Vergleich zu anderen Laserarten, wie z.B. Distributed Feedback (DFB) -Laser,Dies macht sie zu einer kostengünstigen Lösung für viele Anwendungen.Diese Lasers werden in optischen Kommunikationssystemen mit kurzer bis mittlerer Reichweite, in Rechenzentrumsverbindungen und in Sensoriktechnologien wie Gasdetektion und medizinischer Diagnostik weit verbreitet.

InP-basierte FP-Epiwafer bieten Flexibilität bei der Wellenlängenwahl, gute Leistung und niedrigere Produktionskosten, was sie zu einem wichtigen Bestandteil in den wachsenden Bereichen der Telekommunikation macht.Umweltüberwachung, und integrierte photonische Schaltungen.

Datenblatt für das InP-Substrat des FP-Epiwafers

Diagramm des InP-Substrats des FP-Epiwafers

Eigenschaften des InP-Substrats des FP-Epiwafers

InP Substrat

• Gitterkonstante: 5.869 Å, was eine hervorragende Gitterverknüpfung mit Materialien wie InGaAsP ermöglicht und Defekte in den epitaxialen Schichten minimiert.
• Direkte Bandbreite: 1,344 eV (entsprechend ~ 0,92 μm Emissionswellenlänge), ideal für optoelektronische Anwendungen, insbesondere im Infrarotspektrum.
• Hohe Elektronenmobilität: 5400 cm2/V·s, was eine hohe Geschwindigkeit und hohe Frequenz ermöglicht, die für Kommunikationstechnologien von entscheidender Bedeutung ist.
• Wärmeleitfähigkeit: 0,68 W/cm·K, die eine ausreichende Wärmeableitung für Geräte wie Laser gewährleistet.

Epitaxialschichten

• Aktivregion: Diese Schichten, die typischerweise aus InGaAsP oder verwandten Verbindungen bestehen, emittieren Licht in den Wellenlängenbanden von 1,3 bis 1,55 μm, die für die Glasfaserkommunikation unerlässlich sind.
• Mehrfache Quantenbrunnen: Diese können verwendet werden, um die Leistung des FP-Lasers zu verbessern, wodurch die Effizienz und die Modulationsgeschwindigkeit verbessert werden.
• Doping: Die epitaxialen Schichten werden doppiert (N- oder P-Typ), um die Ladungsinspritzung zu erleichtern und ohmische Kontakte mit geringem Widerstand zu gewährleisten.

Optische Eigenschaften

• Emissionswellenlänge: Typischerweise im Bereich von 1,3 μm bis 1,55 μm, sind dies die idealen Wellenlängen für Telekommunikationsanwendungen aufgrund der geringen Verlustübertragung in optischen Fasern.
• Reflektierende Facetten: FP-Laser verwenden natürlich reflektierende Facetten, um die Laserhöhle zu bilden, wodurch die Herstellung vereinfacht und die Kosten gesenkt werden.

Kostenwirksamkeit

• FP-Epiwafer auf InP-Substraten bieten eine einfachere Struktur im Vergleich zu komplexeren Lasertypen (z. B. DFB-Lasern).Verringerung der Herstellungskosten bei gleichzeitiger Erhaltung guter Leistung für die Kurz- bis Mittelstreckenkommunikation.

Diese Eigenschaften machen FP-Epiwafer auf InP-Substraten für den Einsatz in optischen Kommunikationssystemen, Sensoren und photonischen Integrierten Schaltungen sehr geeignet.

Anwendung des InP-Substrats des FP-Epiwafers

Glasfaserkommunikation

• Laserdioden: FP-Laser auf InP-Epiwafer werden in Glasfaserkommunikationssystemen, insbesondere bei der Datenübertragung auf kurze bis mittlere Distanz, weit verbreitet.55 μm Wellenlängenbereich, die den Verlustfenstern von Glasfasern entspricht und sie für die Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung ideal macht.
• Transceiver und optische Module: FP-Laser werden üblicherweise in optische Transceiver integriert, die in Rechenzentren und Telekommunikationsnetzen zur Übertragung und Empfang von optischen Signalen verwendet werden.

Verbindungen zwischen Rechenzentren

• Hochgeschwindigkeitsverbindung: In-P-basierte FP-Laser werden in Rechenzentren für Verbindungen zwischen Servern und Netzwerkgeräten eingesetzt.für die Bearbeitung großer Datenmengen notwendige optische Verbindungen mit geringer Latenzzeit.

Optische Sensorik

• Gasdetektion: FP-Laser können auf spezifische Wellenlängen abgestimmt werden, um durch Infrarotabsorption Gase wie CO2, CH4 und andere Industrie- oder Umweltverschmutzer zu erkennen.
• Umweltüberwachung: FP-Laser auf InP-Substraten werden in Sensoren zur Überwachung der Luftqualität, zur Erkennung gefährlicher Gase und für industrielle Sicherheitssysteme verwendet.

Medizinische Diagnostik

• Optical Coherence Tomography (OCT): InP-basierte Lasers werden in OCT-Systemen zur nicht-invasiven Bildgebung eingesetzt.häufig in der Augenheilkunde für detaillierte Netzhautscans und in der Dermatologie für Gewebebilder angewendet.

FP-Epiwafer InP-Substrat-Fotos

Fragen und Antworten

Was ist EPI in Wafer?

EPIin der Wafertechnik steht fürEpitaxie, bei dem eine dünne Schicht aus kristallinem Material (Epitaxialschicht) auf ein Halbleitersubstrat (z. B. Silizium oder InP) abgelagert wird.Diese Epitaxialschicht hat die gleiche kristallographische Struktur wie das zugrunde liegende Substrat, was ein qualitativ hochwertiges, fehlerfreies Wachstum ermöglicht, das für die Herstellung fortschrittlicher Halbleitergeräte unerlässlich ist.