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DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor

Produkt-Details

Place of Origin: China

Markenname: ZMSH

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2 Zoll großer InP-Substrat-Epiwafer

,

4 Zoll InP-Substrat-Epiwafer

,

6 Zoll InP-Substrat-Epiwafer

Doping control:
Better than ± 10%
PLWavelength uniformity:
Std, Dev better than inm @inner 42mm
P-InP doping (cm³):
Zn doped: 5e17 to 2e18
N-inP doping (cm3):
Si doped: 5e17 to 3e18
InGaAs doping (cm·*):
5e14 to 4e19
Vortrieb:
>8
Doping control:
Better than ± 10%
PLWavelength uniformity:
Std, Dev better than inm @inner 42mm
P-InP doping (cm³):
Zn doped: 5e17 to 2e18
N-inP doping (cm3):
Si doped: 5e17 to 3e18
InGaAs doping (cm·*):
5e14 to 4e19
Vortrieb:
>8
DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor

DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor

DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer Brief

DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor 0

Eine Distributed Feedback (DFB) -Wafer auf einem Indiumphosphat (N-InP) -Substrat des Typ n ist ein kritisches Material, das bei der Herstellung von Hochleistungs-DFB-Laserdioden verwendet wird.Diese Laser sind für Anwendungen unerlässlich, die einmodischeDFB-Laser arbeiten typischerweise im Wellenlängenbereich von 1,3 μm und 1,55 μm.mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W,.

DieInP-Substrat des Typs nbietet eine ausgezeichnete Gitter-Matching für epitaxiale Schichten, wie InGaAsP, die zur Bildung der aktiven Region, der Verkleidungsschichten und der integrierten Gitterstruktur des DFB-Lasers verwendet werden.Dieses Gitter ermöglicht eine präzise Rückkopplung und Wellenlänge Kontrolle, so dass es sich ideal für Fernkommunikation und Wellenlängendivision Multiplexing (WDM) -Systeme eignet.

Zu den wichtigsten Anwendungen von DFB-Epiwafern auf N-InP-Substraten gehören Hochgeschwindigkeits-optische Transceiver, Rechenzentrumsverbindungen, Umweltgasmessung,und medizinische Bildgebung durch optische Kohärenz-Tomographie (OCT)Die Leistungsmerkmale der Wafer, wie beispielsweise hohe Modulation, Wellenlängenstabilität und schmale Spektralliniebreite, machen sie für moderne Kommunikations- und Sensoriktechnologien unverzichtbar.


Eigenschaften der DFB-Wafer-N-InP-Substrat-Epiwafer

Substratmaterial: N-Typ-Indiumphosphat (N-InP)

  • Verknüpfungen mit Gitter: Das N-InP-Substrat sorgt für eine hervorragende Gitter-Matching mit epitaxialen Schichten, wie InGaAsP oder InAlGaAs, wodurch Defekte und Dehnung reduziert werden, was für eine zuverlässigeHochleistungslaserbetrieb.
  • Hohe Elektronenmobilität: InP verfügt über eine hohe Elektronenmobilität, die einen effizienten Trägertransport ermöglicht, der für Hochgeschwindigkeits-DFB-Lasern unerlässlich ist.
  • Direktes Bandgap: InP hat eine direkte Bandlücke von 1,344 eV, was eine effiziente Lichtemission im Infrarotspektrum, insbesondere im Wellenlängenbereich von 1,3 μm und 1,55 μm, ermöglicht.

Aktivregion und Epitaxialschichten

  • InGaAsP/InAlGaAs aktive Schicht: Die aktive Region, die typischerweise aus InGaAsP besteht, ist der Ort, an dem die Elektronen-Loch-Rekombination stattfindet und Photonen erzeugt werden.3 μm oder 1.55 μm) für die optische Kommunikation.
  • Verkleidungsschichten: Umgeben des aktiven Bereichs und sorgen für eine optische Einschränkung, um sicherzustellen, dass das Licht für eine effiziente Laserstrahlung innerhalb des aktiven Bereichs bleibt.
  • Gitterschicht: Die DFB-Struktur umfasst ein eingebautes Gitter, das für den Einzelmodusbetrieb und eine präzise Wellenlängenregelung Feedback liefert.

Betriebswellenlänge

  • 10,3 μm und 1,55 μm: Diese Wellenlängen eignen sich ideal für die Glasfaserkommunikation, da die Übertragungsverluste in den Glasfasern minimal sind, was den Epiwafer für Telekommunikationsanwendungen entscheidend macht.
  • Ein-Modus- und schmale Linienbreite

    • DFB-Laser sind für den Einsatz in einem Modus konzipiert und erzeugen Licht mit einer sehr schmalen Spektralliniebreite.die für die Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung und die Geräuschminderung in optischen Kommunikationssystemen von entscheidender Bedeutung ist.

Wellenlängenstabilität

  • Integrierte Gitter: Das Gitter in der DFB-Struktur sorgt für einen stabilen Wellenlängen-Ausgang, wodurch der Laser für Fernkommunikations- und WDM-Systeme sehr zuverlässig ist.
  • Temperaturstabilität: DFB-Epiwafer auf N-InP-Substraten bieten eine ausgezeichnete Temperaturstabilität und gewährleisten eine gleichbleibende Leistung in einem breiten Temperaturbereich.

Niedriger Schwellenstrom

  • Die optimierte Struktur des DFB-Lasers auf einem N-InP-Substrat führt zu niedrigen Schwellenströmen, was bedeutet, dass weniger Energie benötigt wird, um das Lasern zu initiieren, was diese Wafer sehr energieeffizient macht.

Hochgeschwindigkeitsmodulationsfähigkeit

  • Aufgrund der hohen Elektronenmobilität und der effizienten Trägerinjektion in InP sind DFB-Laser auf N-InP-Substraten in der Lage, mit hoher Geschwindigkeit zu modulieren.Sie sind ideal für den Einsatz in Hochgeschwindigkeits-optischen Transceivern und Rechenzentrumsverbindungen.


DFB-Wafer N-InP-Substrat-Epiwafer PL-Mapping-TestZMSH DFB inp Epiwafer.pdf)

DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor 1


Ergebnis der XRD- und ECV-Prüfung der DFB-Wafer-N-InP-Substrat-Epiwafer

DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor 2


Anwendung von N-InP-Substrat-Epiwafer für DFB-Wafer

DFB (Distributed Feedback) -Wafer auf Indiumphosphat (N-InP) -Substraten des Typ n sind für verschiedene Hochleistungs-optoelektronische Anwendungen von entscheidender Bedeutung, insbesondere bei Single-Mode-eine Lichtemission in enger Linienbreite erforderlich istDie wichtigsten Anwendungen sind:

Optische Kommunikation

  • Langstreckenfaseroptische Netze: DFB-Laser auf N-InP-Substraten werden in Fernkommunikationssystemen weit verbreitet.55 μm ist optimal, um den Signalverlust in optischen Fasern zu minimieren, so dass sie ideal für die Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung geeignet sind.
  • WDM-Systeme (Wavelength Division Multiplexing): In dichten WDM-Systemen werden DFB-Laser verwendet, um präzise Wellenlängen für verschiedene Kanäle zu erzeugen.Ihre enge Linienbreite und Wellenlänge Stabilität sind wichtig für die Maximierung der Anzahl der Kanäle im optischen Spektrum.

Verbindungen zwischen Rechenzentren

  • Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung: DFB-Laser werden in optischen Transceivern eingesetzt, die für die kurze bis mittlere Entfernungshöchstgeschwindigkeitsdatenübertragung in Rechenzentren verwendet werden.Die hohe Frequenzmodulationsfähigkeit und der geringe Stromverbrauch sind entscheidend für energieeffiziente Betriebe.

Umweltgasmessung

  • Gaserkennung: DFB-Laser werden in Umgebungsgassensoren verwendet, um spezifische Gase wie CO2 und CH4 zu erkennen.Hochempfindliche Messungen können für industrielle und Umweltüberwachungsanwendungen durchgeführt werden.
  • Laser-Absorptionsspektroskopie: DFB-Laser bieten eine schmale Linienbreite und eine stabile Ausgabe, was sie ideal für präzise Gassensoren und Spektroskopieanwendungen macht.

Medizinische Diagnostik (Optische Kohärenz-Tomographie - OCT)

  • Ophthalmologie und Dermatologie: DFB-Laser werden in Optical Coherence Tomography (OCT) -Systemen eingesetzt, die häufig für hochauflösende Bildgebung biologischer Gewebe verwendet werden.Die schmale Spektralliniebreite und die stabile Wellenlänge helfen, klare und detaillierte Bilder zu erzeugen, die für die nicht-invasive Diagnose in der Ophthalmologie und Dermatologie unerlässlich sind.

LIDAR-Systeme (Lichtdetektion und -bestimmung)

  • Autonome Fahrzeuge und 3D-Mapping: DFB-Laser werden in LIDAR-Systemen zur Messung von Entfernungen und Kartierung von Umgebungen eingesetzt.Durch ihre schmale Linienbreite und ihre stabile Leistung lassen sich im autonomen Fahren genaue Abstandsmessungen und Objekterkennung ermöglichen., Drohnen und 3D-Mapping-Systeme.

Satelliten- und Weltraumkommunikation

  • Hochfrequente Kommunikation: DFB-Laser werden in Satellitenkommunikationssystemen zur Übertragung von Hochfrequenz-Datensignal über große Entfernungen eingesetzt.Ihre Wellenlängenstabilität und ihr geringer Stromverbrauch sind für eine zuverlässige Raumkommunikation von entscheidender Bedeutung, wo Temperatur und Umweltbedingungen variieren können.

Photonische integrierte Schaltungen (PIC)

  • Integrierte Optoelektronik: DFB-Epiwafer werden in photonischen integrierten Schaltungen (PICs) verwendet, die mehrere optische Komponenten wie Laser, Modulatoren und Detektoren auf einem einzigen Chip kombinieren.Diese Schaltungen sind für Anwendungen in der Hochgeschwindigkeitsdatenkommunikation und Signalverarbeitung unerlässlich..

Militärische und Luft- und Raumfahrt

  • Sichere Kommunikation und Zielführung: DFB-Laser werden in militärischen Anwendungen für sichere Hochfrequenzkommunikation eingesetzt.Ihre enge Liniebreite und Wellenlänge Stabilität sind entscheidend für die Minimierung der Signalstörungen in komplexen Kommunikationsumgebungen.
  • Präzisionszielung: In der Luft- und Raumfahrt und im Verteidigungswesen werden DFB-Lasern in Zielsetzungen und Führungssystemen eingesetzt, die eine präzise Wellenlängenkontrolle und Stabilität erfordern.

Präzisionsspektroskopie

  • Wissenschaftliche Forschung: DFB-Laser werden in der Präzisionsspektroskopie zur detaillierten Analyse von Materialien und chemischen Zusammensetzungen eingesetzt.Ihre schmale Linienbreite und einstellbare Wellenlänge machen sie ideal für genaue Messungen in der wissenschaftlichen Forschung und bei industriellen Anwendungen.


DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer echte Fotos

DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor 3DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor 4

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Schlüsselwörter:DFB-Wafe,r N-InP-Substrat Epiwafer,aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP