Produkt-Details
Place of Origin: China
Markenname: ZMSH
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Delivery Time: 2-4weeks
Payment Terms: T/T
Doping control: |
Better than ± 10% |
PLWavelength uniformity: |
Std, Dev better than inm @inner 42mm |
P-InP doping (cm³): |
Zn doped: 5e17 to 2e18 |
N-inP doping (cm3): |
Si doped: 5e17 to 3e18 |
InGaAs doping (cm·*): |
5e14 to 4e19 |
Vortrieb: |
>8 |
Doping control: |
Better than ± 10% |
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Std, Dev better than inm @inner 42mm |
P-InP doping (cm³): |
Zn doped: 5e17 to 2e18 |
N-inP doping (cm3): |
Si doped: 5e17 to 3e18 |
InGaAs doping (cm·*): |
5e14 to 4e19 |
Vortrieb: |
>8 |
DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor
DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer Brief
Eine Distributed Feedback (DFB) -Wafer auf einem Indiumphosphat (N-InP) -Substrat des Typ n ist ein kritisches Material, das bei der Herstellung von Hochleistungs-DFB-Laserdioden verwendet wird.Diese Laser sind für Anwendungen unerlässlich, die einmodischeDFB-Laser arbeiten typischerweise im Wellenlängenbereich von 1,3 μm und 1,55 μm.mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W,.
DieInP-Substrat des Typs nbietet eine ausgezeichnete Gitter-Matching für epitaxiale Schichten, wie InGaAsP, die zur Bildung der aktiven Region, der Verkleidungsschichten und der integrierten Gitterstruktur des DFB-Lasers verwendet werden.Dieses Gitter ermöglicht eine präzise Rückkopplung und Wellenlänge Kontrolle, so dass es sich ideal für Fernkommunikation und Wellenlängendivision Multiplexing (WDM) -Systeme eignet.
Zu den wichtigsten Anwendungen von DFB-Epiwafern auf N-InP-Substraten gehören Hochgeschwindigkeits-optische Transceiver, Rechenzentrumsverbindungen, Umweltgasmessung,und medizinische Bildgebung durch optische Kohärenz-Tomographie (OCT)Die Leistungsmerkmale der Wafer, wie beispielsweise hohe Modulation, Wellenlängenstabilität und schmale Spektralliniebreite, machen sie für moderne Kommunikations- und Sensoriktechnologien unverzichtbar.
Eigenschaften der DFB-Wafer-N-InP-Substrat-Epiwafer
Substratmaterial: N-Typ-Indiumphosphat (N-InP)
Aktivregion und Epitaxialschichten
Betriebswellenlänge
Ein-Modus- und schmale Linienbreite
Wellenlängenstabilität
Niedriger Schwellenstrom
Hochgeschwindigkeitsmodulationsfähigkeit
DFB-Wafer N-InP-Substrat-Epiwafer PL-Mapping-TestZMSH DFB inp Epiwafer.pdf)
Ergebnis der XRD- und ECV-Prüfung der DFB-Wafer-N-InP-Substrat-Epiwafer
Anwendung von N-InP-Substrat-Epiwafer für DFB-Wafer
DFB (Distributed Feedback) -Wafer auf Indiumphosphat (N-InP) -Substraten des Typ n sind für verschiedene Hochleistungs-optoelektronische Anwendungen von entscheidender Bedeutung, insbesondere bei Single-Mode-eine Lichtemission in enger Linienbreite erforderlich istDie wichtigsten Anwendungen sind:
DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer echte Fotos
Schlüsselwörter:DFB-Wafe,r N-InP-Substrat Epiwafer,aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP
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