InP FP Epiwafer InP-Substrat n/p Typ 2 3 4 Zoll mit einer Dicke von 350-650um für optische Netze

InP FP Epiwafer InP-Substrat n/p Typ 2 3 4 Zoll mit einer Dicke von 350-650um für optische Netze

InP Epiwafer's Überblick

Indium-Phosphid (InP) Epiwafer ist ein Schlüsselmaterial, das in fortschrittlichen optoelektronischen Geräten, insbesondere Fabry-Perot (FP) Laserdioden, verwendet wird.InP Epiwafer bestehen aus epitaxial angebauten Schichten auf einem InP-Substrat, entwickelt für Hochleistungsanwendungen in den Bereichen Telekommunikation, Rechenzentren und Sensorik.

InP-basierte FP-Laser sind für die Glasfaserkommunikation von entscheidender Bedeutung und unterstützen die Datenübertragung in kurzer bis mittlerer Reichweite in Systemen wie passiven optischen Netzwerken (PON) und Wellendivision Multiplexing (WDM).Ihre Emissionswellenlängen, typischerweise etwa 1,3 μm und 1,55 μm, ausgerichtet mit den Verlustfenstern von optischen Fasern, wodurch sie ideal für die Fernübertragung mit hoher Geschwindigkeit geeignet sind.

Diese Wafer finden auch Anwendungen in Hochgeschwindigkeitsdatenverbindungen in Rechenzentren, wo die kostengünstige und stabile Leistung von FP-Lasern unerlässlich ist.FP-Laser auf InP-Basis werden in der Umweltüberwachung und in der industriellen Gasmessung eingesetzt, wo sie aufgrund ihrer präzisen Emission in Infrarotabsorptionsbändern Gase wie CO2 und CH4 erkennen können.

Im medizinischen Bereich tragen InP-Epiwafer zu optischen Kohärenz-Tomographie (OCT) -Systemen bei und bieten nicht-invasive Bildgebungsmöglichkeiten.Integration in photonische Schaltkreise und mögliche Verwendung in Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungstechnologien, wie LIDAR und Satellitenkommunikation, ihre Vielseitigkeit hervorheben.

Insgesamt sind InP-Epiwafer aufgrund ihrer hervorragenden elektrischen und optischen Eigenschaften, insbesondere im Bereich von 1,3 μm bis 1, entscheidend für eine breite Palette von optischen und elektronischen Geräten.55 μm Wellenlängenbereich.

Struktur des InP-Epiwafers

Ergebnis der PL-Mapping-Prüfung des InP-Epiwafers

Die Fotos von InP Epiwafer

Merkmale und Schlüsseldatenblatt des InP-Epiwafers

Indium-Phosphid (InP) Epiwafer zeichnen sich durch ihre hervorragenden elektrischen und optischen Eigenschaften aus, die sie für leistungsstarke optoelektronische Geräte unerlässlich machen.Im Folgenden finden Sie eine Übersicht der wichtigsten Eigenschaften, die InP Epiwafers definieren.:

1. Kristallstruktur und Gitterkonstante

• Kristallstruktur: InP hat eine Zink-Blend-Kristallstruktur.
• Gitterkonstante: 5,869 Å. Die nahezu perfekte Gitterübereinstimmung mit Materialien wie InGaAs und InGaAsP ermöglicht das Wachstum hochwertiger epitaxialer Schichten,Verringerung von Defekten wie Verrutschungen und Dehnung.

2. Bandbreite und Emissionswellenlänge

• Bandbreite: InP hat eine direkte Bandbreite von 1,344 eV bei 300 K, was einer Emissionswellenlänge von etwa 0,92 μm entspricht.
• Epiwafer-Emissionsbereich: Epitaxialschichten, die auf InP angebaut werden, ermöglichen typischerweise den Betrieb des Geräts im Wellenlängenbereich von 1,3 μm bis 1,55 μm, ideal für optische Kommunikationssysteme.

3. Hohe Elektronenmobilität

• InP weist eine hohe Elektronenmobilität auf (5400 cm2/V·s), was zu einem schnellen Elektronentransport führt,mit einer Breite von mehr als 20 mm,.

4. Wärmeleitfähigkeit

• Wärmeleitfähigkeit: InP hat eine Wärmeleitfähigkeit von ca. 0,68 W/cm·K bei Raumtemperatur.Es ist geeignet, Wärme in vielen optoelektronischen Geräten zu vertreiben, insbesondere bei angemessenem thermischen Management.

5. Optische Transparenz

• InP ist transparent für Wellenlängen über seinem Bandgap, so dass eine effiziente Photonenausstrahlung und -übertragung im Infrarotbereich möglich ist, insbesondere in den kritischen Telekommunikationswellenlängen (1,3 μm und 1,1 μm).55 μm).

6. Doping und Leitfähigkeit

• n- und p-Typ-Doping: InP kann mit Spendern (z. B. Schwefel) oder Akzeptoren (z. B. Zink) doppiert werden, was Flexibilität bei der Schaffung von n- und p-Typ-Regionen bietet, die für verschiedene Halbleitergeräte erforderlich sind.
• Hohe Leitfähigkeit: Die stark doppierten Kontaktschichten, die auf InP-Substraten angebaut werden, sorgen für ohmische Kontakte mit geringem Widerstand und verbessern die Effizienz der Strominjektion in Geräten wie FP-Lasern.

7. Niedrige Defektdichte

• InP Epiwafers weisen eine geringe Defektdichte auf, was für leistungsstarke Geräte entscheidend ist.

Zusammenfassend werden die Eigenschaften von InP Epiwafers, wie hohe Elektronenmobilität, geringe Defektdichte, Gittermatching und effektiver Betrieb in kritischen Telekommunikationswellenlängen,Sie machen sie für die moderne Optoelektronik unverzichtbar., insbesondere bei Hochgeschwindigkeitskommunikation und Sensorik.

Anwendung von InP-Epiwafer

Indium-Phosphid (InP) Epiwafer sind aufgrund ihrer hervorragenden optoelektronischen Eigenschaften in mehreren fortgeschrittenen Technologiebereichen von entscheidender Bedeutung.

1.Glasfaserkommunikation

• Laserdioden (FP/DFB-Lasern): InP Epiwafer werden zur Herstellung von Fabry-Perot (FP) und Distributed Feedback (DFB) -Lasern verwendet, die bei Wellenlängen von 1,3 μm und 1,55 μm arbeiten.Diese Wellenlängen stimmen mit den Übertragungsfenstern mit geringem Verlust der optischen Fasern überein, so dass sie ideal für die Ferndatenkommunikation geeignet sind.
• mit einer Leistung von mehr als 10 W: InP Epiwafer werden auch zur Herstellung von Photodetektoren zum Empfang optischer Signale in Glasfasersystemen verwendet.

2.Verbindungen zwischen Rechenzentren

• In-P-basierte Lasers und Detektoren werden in optischen Modulen eingesetzt, die Hochgeschwindigkeitsverbindungen mit geringer Latenz innerhalb von Rechenzentren ermöglichen und so die Gesamtleistung des Netzwerks verbessern.

3.Optische Sensorik und Gasdetektion

• Gassensoren: InP-Epiwafer werden zur Herstellung von Lasern verwendet, die im Infrarotbereich arbeiten und für Anwendungen zur Gaserkennung (z. B. CO2, CH4) in der industriellen, ökologischen und Sicherheitsüberwachung geeignet sind.
• Optische Kohärenz-Tomographie (OCT): InP-basierte Lichtquellen sind entscheidend für medizinische Bildgebungstechnologien wie OCT, die für eine nicht-invasive Diagnose im Gesundheitswesen verwendet werden.

4.Photonische integrierte Schaltungen (PIC)

• InP Epiwafer sind Grundmaterialien für photonische integrierte Schaltungen, die mehrere photonische Funktionen (z. B. Laser, Modulatoren,und Detektoren) auf einem einzigen Chip für Anwendungen in der Hochgeschwindigkeitskommunikation, Signalverarbeitung und Quantenrechner.

5.LIDAR (Lichtdetektion und -bestimmung)

• InP-basierte Lasers werden in LIDAR-Systemen für autonome Fahrzeuge, Luftkarten und verschiedene Verteidigungsanwendungen eingesetzt.zuverlässige Lichtquellen, die aus InP-Epiwafern für Entfernungs- und Geschwindigkeitsmessungen erzeugt werden.

6.Satelliten- und Weltraumkommunikation

• InP-Laser und -Fotodetektoren spielen eine entscheidende Rolle in der Satellitenkommunikation und in der Luftfahrt, da sie eine sichere, schnelle Datenübertragung über große Entfernungen ermöglichen.

7.Verteidigung und Luftfahrt

• InP Epiwafer werden in fortschrittlichen Verteidigungssystemen wie Hochgeschwindigkeitsradar, Raketenführung und sicheren Kommunikationssystemen eingesetzt, bei denen eine zuverlässige und hochfrequente Leistung von entscheidender Bedeutung ist.

Diese Anwendungen unterstreichen die Vielseitigkeit und Bedeutung von InP Epiwafers in modernen optoelektronischen und photonischen Geräten.

Fragen und Antworten

Was sind InP-Epiwafers?

Epiwafer mit Indiumphosphat (InP)sind Halbleiterwafern, die aus einem InP-Substrat mit einer oder mehreren epitaxial angebauten Schichten verschiedener Materialien (wie InGaAs, InGaAsP oder AlInAs) bestehen.Diese Schichten werden exakt auf dem InP-Substrat abgelagert, um spezifische Gerätestrukturen zu schaffen, die für Hochleistungs-optoelektronische Anwendungen geeignet sind.