- Die Gitterkonstante ist größer als die des Siliziums, was den Aufbau von Heterostrukturen fördert.

- Die hohe Elektronenmobilität, etwa dreimal so hoch wie bei Silizium, ist für die Herstellung von schnellen elektronischen Geräten geeignet.

- Die geringe Bandbreite (0,67 eV) macht sie für die infrarote photoelektrische Detektion und Emissionsanwendungen geeignet.

Es ist empfindlicher auf Strahlung und eignet sich für strahlungsempfindliche elektronische Geräte.

Die Verarbeitungstechnologie ist relativ komplex und die Kosten hoch.

Technische Parameter

1- Hochfrequente analoge und HF-Elektronik: Mikrowellendioden, Transistoren, integrierte Schaltungen; Elektronische Geräte im Mikrowellenfrequenzband, wie Radar und Kommunikation.

2- Infrarot-Fotoelektrische Detektion und Emission: Infrarotdetektor, Wärmebildgerät; Infrarot-Emissionsdioden, Laserdioden.

3- Strahlungsempfindliche elektronische Ausrüstung: Verbundene Halbleiterheterostruktur: Luft- und Raumfahrt-Avionik; Kernkraftwerke und elektronische Ausrüstung im militärischen Bereich.

4. Verbundene Halbleiterheterostruktur: Substratmaterialien für III-V-Verbindungen wie GaAs, InP usw.; heterogene Strukturen von Solarzellen, Laserdioden usw.

Unsere Dienstleistungen

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.

2Schnelle, genaue Zitate.

3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufig gestellte Fragen