Startseite Produkte Indium-Phosphid-Oblate

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Alle Produkte

Gallium-Nitrid-Oblate (35)

Saphir-Oblate (88)

Sic Substrat (132)

Saphir optisches Windows (77)

IC-Siliziumscheibe (22)

Synthetischer Saphir Rod (13)

Fixierter Quarz-Platte (40)

Saphir-Teile (114)

Synthetischer Edelstein (72)

Halbleiter-Ausrüstung (55)

Oblate LiNbO3 (18)

GaAs-Oblate (24)

Indium-Phosphid-Oblate (34)

keramisches Substrat (25)

Laborverpackung (31)

Ich bin online Chat Jetzt

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Großes Bild : InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	ZMSH
Modellnummer:	InAs Wafer

Zahlung und Versand AGB:

Lieferzeit:	2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Material:	Indiumarsenid	Größe:	2inch 3inch 4inch
Stärke:	500 μm/600 μm/800 μm ± 25 μm	Orientierung:	< 100>
Dichte:	5.67 g/cm	Individualisiert:	Unterstützt
Hervorheben:	4 Zoll Indium-Arsenid-Wafer , 3 Zoll Indium-Arsenid-Wafer , 2 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

Beschreibung des Produkts

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Indium InAs oder Indiumarsenid monolithisch ist ein Halbleiter, der aus Indium und Arsen besteht.Indiumarsenid wird zum Bau von Infrarotdetektoren im Wellenlängenbereich von 1-3 verwendet..8um. Der Detektor ist in der Regel eine Photovoltaik-Fotodiode.Indiumarsenid wird auch bei der Herstellung von Diodenlasern verwendetIndium-Arsenid, ähnlich wie Gallium-Arsenid, ist ein direktes Bandgap-Material.Legierungen mit Galliumarsenid zur Bildung von Indiumarsenid - ein Material mit einem Bandgap je nach In/Ga-VerhältnisDiese Methode ähnelt hauptsächlich der Legierung von Indiumnitrid mit Galliumnitrid zur Herstellung von Indiumnitrid.Es wird weit verbreitet als Terahertz-Strahlungsquelle eingesetzt, weil es ein leistungsfähiger Licht-Amber-Emitter ist.

Eigenschaften

- hohe Elektronenmobilität und -mobilität (μe/μh=70), was es zu einem idealen Material für Hallgeräte macht.

- MBE kann mit GaAsSb, InAsPSb und InAsSb-Multi-Epitaxialmaterialien angebaut werden.

- Flüssigkeitsdichtung (CZ) zur Gewährleistung einer Reinheit von bis zu 99,9999% (6N).

- Alle Substrate sind präzise poliert und mit einer schützenden Atmosphäre gefüllt, um den Epi-Ready-Anforderungen zu entsprechen.

- Auswahl der Kristallorientierung: Andere Kristallorientierungen sind erhältlich, z. B. (110).

- Optische Messtechniken wie Ellipsometer sorgen für eine saubere Oberfläche auf jedem Substrat.

Technische Parameter

Kristall	Drogen	Typ		Ionträgerkonzentration cm-3	Mobilität (cm2/V.s)	MPD ((cm-2)	Größe
InAs	Un-Dope	N		5*1016	32*104	< 5*104	Φ2′′×0,5 mm Φ3′′ × 0,5 mm
InAs	Schn	N		(5-20) *1017	> 2000	< 5*104	Φ2′′×0,5 mm Φ3′′ × 0,5 mm
InAs	Zn	P		(1-20) *1017	100 bis 300	< 5*104	Φ2′′×0,5 mm Φ3′′ × 0,5 mm
InAs	S	N		(1-10) *1017	> 2000	< 5*104	Φ2′′×0,5 mm Φ3′′ × 0,5 mm
Größe (mm)			Durchmesser 50,8 x 0,5 mm, 10 x 10 x 0,5 mm, 10 x 5 x 0,5 mm können angepasst werden
- Ja.			Oberflächenrauheit ((Ra): <= 5A
Polnisch			mit einer Breite von mehr als 30 mm,
Paket			Plastikbeutel mit 100-gradiger Reinigung in 1000 Reinigungsräumen

Anwendungen

- Infrarotoptoelektronik:Indiumarsenid hat ausgezeichnete Infrarot-Lichtabsorptions-Eigenschaften und wird häufig bei der Herstellung von Infrarotdetektoren, Bildgebern und Lasern verwendet.
- Hochfrequenzelektronik:Aufgrund seiner hohen Elektronenmobilität,Indiumarsenid wird häufig in Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeits-elektronischen Geräten wie FETs (Feld-Effekt-Transistoren) und HEMTs (High Electron Mobility Transistoren) verwendet.
- Quantenpunkte und Quantenbrunnen:Im Bereich der Quantencomputer und der Quantenkommunikation wird Indium-Arsenid zur Herstellung von Quantenpunkten und Quantenbrunnestrukturen verwendet.
- Optische Kommunikation:Indiumarsenid kann zur Herstellung von Laserdioden und optischen Verstärkern in Glasfaserkommunikation verwendet werden, um die Effizienz der Signalübertragung zu verbessern.
- thermoelektrische Materialien:Indiumarsenid wird als thermoelektrisches Material in thermoelektrischen Umwandlern und Kühlgeräten verwendet, um die Energierückgewinnung und die Temperaturregelung zu ermöglichen.
- Sensoren:Im Bereich der Umweltüberwachung und der Biomedizin wird Indiumarsenid zur Herstellung verschiedener Sensoren zur Erkennung von Gasen und Biomolekülen verwendet.

Unsere Dienstleistungen

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.

2Schnelle, genaue Zitate.

3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufig gestellte Fragen

1. F: Wie zahlen?
A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, sichere Zahlung und Handel
Versicherung und so weiter.

2. F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?
A: Ja, wir können das Material anpassen, Spezifikationen für Ihre optischen Komponenten
- auf der Grundlage Ihrer Bedürfnisse.

3F: Wie ist die Lieferzeit?
A: (1) Für die Standardprodukte
Für Bestände: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Bestellung.
Für maßgeschneiderte Produkte: Die Lieferung erfolgt 2 oder 3 Wochen nach Bestellung.
(2) Für die speziell geformten Produkte beträgt die Lieferung 4 Werkwochen nach der Bestellung.

Größe und Tag:

MgO-Substrat,

Gap-Oblate,

inp-Oblate

Kontaktdaten

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Mr. Wang

Telefon: +8615801942596

Andere Produkte

Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9%

Products:: Copper Heat Sink substrate

Kupferreinheit:: Cu ≥ 99,9%

Type:: Flat Base and Pin-Fin

Thermal conductivity:: ≥380W/(m·K)

Germaniumsubstrat GE Flachfensteroptische Linsen Wärmebildgebung Anwendungen und Infrarotspektroskopie Hohe Härte

Ausgangsstoffe:: Einzelner Kristall GEs

Durchmesser:: 2 bis 450 mm

Durchmesser Toleranzen:: +/--0,1

Oberfläche:: 60 bis 40 Standard

Ge-Germanium Wafer Halbleiter Substrate <111> Konzentrierende Photovoltaik CPV

Ausgangsstoffe:: Einzelner Kristall GEs

Durchmesser:: 0.5~150mm

Stärke:: 0.5 mm

Typ:: N-Typ/P-Typ/nicht doppiert

Magnesiumoxid Reinheit 95% MgO Film Substrat 5x5 10x10 20x20 Dicke 0,5 mm 1,0 mm Ausrichtung <001> <110> <111>

Materialien: MgO Einkristall

Industrie: Halbleiter-Substrate, Gerät,

Farbe: Weiß

Kristallstruktur: Würfel

InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphid Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer für intelligente Sensorik

Material: Indiumphosphat

Größe: 2 Zoll / 3 Zoll

Stärke: angepasst

Dotierstoff: Fe/ Si

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

4 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

3 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

2 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

Beschreibung des Produkts

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Eigenschaften

- hohe Elektronenmobilität und -mobilität (μe/μh=70), was es zu einem idealen Material für Hallgeräte macht.

- MBE kann mit GaAsSb, InAsPSb und InAsSb-Multi-Epitaxialmaterialien angebaut werden.

- Flüssigkeitsdichtung (CZ) zur Gewährleistung einer Reinheit von bis zu 99,9999% (6N).

- Alle Substrate sind präzise poliert und mit einer schützenden Atmosphäre gefüllt, um den Epi-Ready-Anforderungen zu entsprechen.

- Auswahl der Kristallorientierung: Andere Kristallorientierungen sind erhältlich, z. B. (110).

- Optische Messtechniken wie Ellipsometer sorgen für eine saubere Oberfläche auf jedem Substrat.

Technische Parameter

Anwendungen

Unsere Dienstleistungen

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.

2Schnelle, genaue Zitate.

3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufig gestellte Fragen

1. F: Wie zahlen?A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, sichere Zahlung und HandelVersicherung und so weiter.

2. F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?A: Ja, wir können das Material anpassen, Spezifikationen für Ihre optischen Komponenten- auf der Grundlage Ihrer Bedürfnisse.

MgO-Substrat,

Gap-Oblate,

inp-Oblate

1. F: Wie zahlen?
A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, sichere Zahlung und Handel
Versicherung und so weiter.

2. F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?
A: Ja, wir können das Material anpassen, Spezifikationen für Ihre optischen Komponenten
- auf der Grundlage Ihrer Bedürfnisse.