Einzelheiten zu den Produkten

Haus PRODUKTE

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	InAs Wafer
Lieferzeit:	2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Material:

Indiumarsenid

Größe:

2inch 3inch 4inch

Stärke:

500 μm/600 μm/800 μm ± 25 μm

Orientierung:

< 100>

Dichte:

5.67 g/cm

Individualisiert:

Unterstützt

Hervorheben:

4 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

3 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

2 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Indium InAs oder Indiumarsenid monolithisch ist ein Halbleiter, der aus Indium und Arsen besteht.Indiumarsenid wird zum Bau von Infrarotdetektoren im Wellenlängenbereich von 1-3 verwendet..8um. Der Detektor ist in der Regel eine Photovoltaik-Fotodiode.Indiumarsenid wird auch bei der Herstellung von Diodenlasern verwendetIndium-Arsenid, ähnlich wie Gallium-Arsenid, ist ein direktes Bandgap-Material.Legierungen mit Galliumarsenid zur Bildung von Indiumarsenid - ein Material mit einem Bandgap je nach In/Ga-VerhältnisDiese Methode ähnelt hauptsächlich der Legierung von Indiumnitrid mit Galliumnitrid zur Herstellung von Indiumnitrid.Es wird weit verbreitet als Terahertz-Strahlungsquelle eingesetzt, weil es ein leistungsfähiger Licht-Amber-Emitter ist.

Eigenschaften

- hohe Elektronenmobilität und -mobilität (μe/μh=70), was es zu einem idealen Material für Hallgeräte macht.

- MBE kann mit GaAsSb, InAsPSb und InAsSb-Multi-Epitaxialmaterialien angebaut werden.

- Flüssigkeitsdichtung (CZ) zur Gewährleistung einer Reinheit von bis zu 99,9999% (6N).

- Alle Substrate sind präzise poliert und mit einer schützenden Atmosphäre gefüllt, um den Epi-Ready-Anforderungen zu entsprechen.

- Auswahl der Kristallorientierung: Andere Kristallorientierungen sind erhältlich, z. B. (110).

- Optische Messtechniken wie Ellipsometer sorgen für eine saubere Oberfläche auf jedem Substrat.

Technische Parameter

Kristall	Drogen	Typ		Ionträgerkonzentration cm-3	Mobilität (cm2/V.s)	MPD ((cm-2)	Größe
InAs	Un-Dope	N		5*1016	32*104	< 5*104	Φ2′′×0,5 mm Φ3′′ × 0,5 mm
InAs	Schn	N		(5-20) *1017	> 2000	< 5*104	Φ2′′×0,5 mm Φ3′′ × 0,5 mm
InAs	Zn	P		(1-20) *1017	100 bis 300	< 5*104	Φ2′′×0,5 mm Φ3′′ × 0,5 mm
InAs	S	N		(1-10) *1017	> 2000	< 5*104	Φ2′′×0,5 mm Φ3′′ × 0,5 mm
Größe (mm)			Durchmesser 50,8 x 0,5 mm, 10 x 10 x 0,5 mm, 10 x 5 x 0,5 mm können angepasst werden
- Ja.			Oberflächenrauheit ((Ra): <= 5A
Polnisch			mit einer Breite von mehr als 30 mm,
Paket			Plastikbeutel mit 100-gradiger Reinigung in 1000 Reinigungsräumen

Anwendungen

- Infrarotoptoelektronik:Indiumarsenid hat ausgezeichnete Infrarot-Lichtabsorptions-Eigenschaften und wird häufig bei der Herstellung von Infrarotdetektoren, Bildgebern und Lasern verwendet.
- Hochfrequenzelektronik:Aufgrund seiner hohen Elektronenmobilität,Indiumarsenid wird häufig in Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeits-elektronischen Geräten wie FETs (Feld-Effekt-Transistoren) und HEMTs (High Electron Mobility Transistoren) verwendet.
- Quantenpunkte und Quantenbrunnen:Im Bereich der Quantencomputer und der Quantenkommunikation wird Indium-Arsenid zur Herstellung von Quantenpunkten und Quantenbrunnestrukturen verwendet.
- Optische Kommunikation:Indiumarsenid kann zur Herstellung von Laserdioden und optischen Verstärkern in Glasfaserkommunikation verwendet werden, um die Effizienz der Signalübertragung zu verbessern.
- thermoelektrische Materialien:Indiumarsenid wird als thermoelektrisches Material in thermoelektrischen Umwandlern und Kühlgeräten verwendet, um die Energierückgewinnung und die Temperaturregelung zu ermöglichen.
- Sensoren:Im Bereich der Umweltüberwachung und der Biomedizin wird Indiumarsenid zur Herstellung verschiedener Sensoren zur Erkennung von Gasen und Biomolekülen verwendet.

Unsere Dienstleistungen

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.

2Schnelle, genaue Zitate.

3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufig gestellte Fragen

1. F: Wie zahlen?
A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, sichere Zahlung und Handel
Versicherung und so weiter.

2. F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?
A: Ja, wir können das Material anpassen, Spezifikationen für Ihre optischen Komponenten
- auf der Grundlage Ihrer Bedürfnisse.

3F: Wie ist die Lieferzeit?
A: (1) Für die Standardprodukte
Für Bestände: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Bestellung.
Für maßgeschneiderte Produkte: Die Lieferung erfolgt 2 oder 3 Wochen nach Bestellung.
(2) Für die speziell geformten Produkte beträgt die Lieferung 4 Werkwochen nach der Bestellung.

Umbauten:

MgO-Substrat

Gap-Oblate

inp-Oblate

Verwandte Produkte

Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9%

Erhalten Sie besten Preis

Germaniumsubstrat GE Flachfensteroptische Linsen Wärmebildgebung Anwendungen und Infrarotspektroskopie Hohe Härte

Erhalten Sie besten Preis

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Einzelheiten zu den Produkten

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

4 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

3 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

2 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

Beschreibung des Produkts

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Eigenschaften

- hohe Elektronenmobilität und -mobilität (μe/μh=70), was es zu einem idealen Material für Hallgeräte macht.

- MBE kann mit GaAsSb, InAsPSb und InAsSb-Multi-Epitaxialmaterialien angebaut werden.

- Flüssigkeitsdichtung (CZ) zur Gewährleistung einer Reinheit von bis zu 99,9999% (6N).

- Alle Substrate sind präzise poliert und mit einer schützenden Atmosphäre gefüllt, um den Epi-Ready-Anforderungen zu entsprechen.

- Auswahl der Kristallorientierung: Andere Kristallorientierungen sind erhältlich, z. B. (110).

- Optische Messtechniken wie Ellipsometer sorgen für eine saubere Oberfläche auf jedem Substrat.

Technische Parameter

Anwendungen

Unsere Dienstleistungen

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.

2Schnelle, genaue Zitate.

3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufig gestellte Fragen

1. F: Wie zahlen?A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, sichere Zahlung und HandelVersicherung und so weiter.

2. F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?A: Ja, wir können das Material anpassen, Spezifikationen für Ihre optischen Komponenten- auf der Grundlage Ihrer Bedürfnisse.

MgO-Substrat

Gap-Oblate

inp-Oblate

Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9%

Germaniumsubstrat GE Flachfensteroptische Linsen Wärmebildgebung Anwendungen und Infrarotspektroskopie Hohe Härte

1. F: Wie zahlen?
A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, sichere Zahlung und Handel
Versicherung und so weiter.

2. F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?
A: Ja, wir können das Material anpassen, Spezifikationen für Ihre optischen Komponenten
- auf der Grundlage Ihrer Bedürfnisse.