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Haus > PRODUKTE > Indium-Phosphid-Oblate > InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um
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InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um
InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um
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InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: ZMSH

Modellnummer: InAs Wafer

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Lieferzeit: 2-4 Wochen

Zahlungsbedingungen: T/T

Erhalten Sie besten Preis

Produkt-Details

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:

4 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

,

3 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

,

2 Zoll Indium-Arsenid-Wafer

Material:
Indiumarsenid
Größe:
2inch 3inch 4inch
Stärke:
500 μm/600 μm/800 μm ± 25 μm
Orientierung:
< 100>
Dichte:
5.67 g/cm
Individualisiert:
Unterstützt
Material:
Indiumarsenid
Größe:
2inch 3inch 4inch
Stärke:
500 μm/600 μm/800 μm ± 25 μm
Orientierung:
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Dichte:
5.67 g/cm
Individualisiert:
Unterstützt
InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Beschreibung des Produkts

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Indium InAs oder Indiumarsenid monolithisch ist ein Halbleiter, der aus Indium und Arsen besteht.Indiumarsenid wird zum Bau von Infrarotdetektoren im Wellenlängenbereich von 1-3 verwendet..8um. Der Detektor ist in der Regel eine Photovoltaik-Fotodiode.Indiumarsenid wird auch bei der Herstellung von Diodenlasern verwendetIndium-Arsenid, ähnlich wie Gallium-Arsenid, ist ein direktes Bandgap-Material.Legierungen mit Galliumarsenid zur Bildung von Indiumarsenid - ein Material mit einem Bandgap je nach In/Ga-VerhältnisDiese Methode ähnelt hauptsächlich der Legierung von Indiumnitrid mit Galliumnitrid zur Herstellung von Indiumnitrid.Es wird weit verbreitet als Terahertz-Strahlungsquelle eingesetzt, weil es ein leistungsfähiger Licht-Amber-Emitter ist.
InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um 0

Eigenschaften

- hohe Elektronenmobilität und -mobilität (μe/μh=70), was es zu einem idealen Material für Hallgeräte macht.
- MBE kann mit GaAsSb, InAsPSb und InAsSb-Multi-Epitaxialmaterialien angebaut werden.
- Flüssigkeitsdichtung (CZ) zur Gewährleistung einer Reinheit von bis zu 99,9999% (6N).
- Alle Substrate sind präzise poliert und mit einer schützenden Atmosphäre gefüllt, um den Epi-Ready-Anforderungen zu entsprechen.
- Auswahl der Kristallorientierung: Andere Kristallorientierungen sind erhältlich, z. B. (110).
- Optische Messtechniken wie Ellipsometer sorgen für eine saubere Oberfläche auf jedem Substrat.
InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um 1

Technische Parameter

Kristall Drogen Typ

 

Ionträgerkonzentration

cm-3

 Mobilität (cm2/V.s) MPD ((cm-2) Größe
InAs Un-Dope N 5*1016 32*104 < 5*104

Φ2′′×0,5 mm

Φ3′′ × 0,5 mm
InAs Schn N (5-20) *1017 > 2000 < 5*104

Φ2′′×0,5 mm

Φ3′′ × 0,5 mm
InAs Zn P (1-20) *1017 100 bis 300 < 5*104

Φ2′′×0,5 mm

Φ3′′ × 0,5 mm
InAs S N (1-10) *1017 > 2000 < 5*104

Φ2′′×0,5 mm

Φ3′′ × 0,5 mm
Größe (mm) Durchmesser 50,8 x 0,5 mm, 10 x 10 x 0,5 mm, 10 x 5 x 0,5 mm können angepasst werden
- Ja. Oberflächenrauheit ((Ra): <= 5A
Polnisch mit einer Breite von mehr als 30 mm,
Paket Plastikbeutel mit 100-gradiger Reinigung in 1000 Reinigungsräumen

Anwendungen

- Infrarotoptoelektronik:Indiumarsenid hat ausgezeichnete Infrarot-Lichtabsorptions-Eigenschaften und wird häufig bei der Herstellung von Infrarotdetektoren, Bildgebern und Lasern verwendet.
- Hochfrequenzelektronik:Aufgrund seiner hohen Elektronenmobilität,Indiumarsenid wird häufig in Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeits-elektronischen Geräten wie FETs (Feld-Effekt-Transistoren) und HEMTs (High Electron Mobility Transistoren) verwendet.
- Quantenpunkte und Quantenbrunnen:Im Bereich der Quantencomputer und der Quantenkommunikation wird Indium-Arsenid zur Herstellung von Quantenpunkten und Quantenbrunnestrukturen verwendet.
- Optische Kommunikation:Indiumarsenid kann zur Herstellung von Laserdioden und optischen Verstärkern in Glasfaserkommunikation verwendet werden, um die Effizienz der Signalübertragung zu verbessern.
- thermoelektrische Materialien:Indiumarsenid wird als thermoelektrisches Material in thermoelektrischen Umwandlern und Kühlgeräten verwendet, um die Energierückgewinnung und die Temperaturregelung zu ermöglichen.
- Sensoren:Im Bereich der Umweltüberwachung und der Biomedizin wird Indiumarsenid zur Herstellung verschiedener Sensoren zur Erkennung von Gasen und Biomolekülen verwendet.
InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um 2
 

Unsere Dienstleistungen

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.

2Schnelle, genaue Zitate.

3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufig gestellte Fragen

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Versicherung und so weiter.
2. F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?
A: Ja, wir können das Material anpassen, Spezifikationen für Ihre optischen Komponenten
- auf der Grundlage Ihrer Bedürfnisse.
3F: Wie ist die Lieferzeit?
A: (1) Für die Standardprodukte
Für Bestände: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Bestellung.
Für maßgeschneiderte Produkte: Die Lieferung erfolgt 2 oder 3 Wochen nach Bestellung.
(2) Für die speziell geformten Produkte beträgt die Lieferung 4 Werkwochen nach der Bestellung.

Tags:

MgO-Substrat,

Gap-Oblate,

inp-Oblate

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