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3 "Undopped InSb Wafers IR-Detektor Photodioden-Wärmebildsensor 85 GHz

Name: 3 "Undopped InSb Wafers IR-Detektor Photodioden-Wärmebildsensor 85 GHz
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: InSb Wafer
Price: 50,002.00 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	InSb Wafer
MOQ:	25pcs
Preis:	Verhandelbar
Lieferzeit:	in 30 Tage
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Zertifizierung:

ROHS

Material:

Ungetopfte InSb-Wafer

Durchmesser:

3' ((+/-0,3 mm)

Stärke:

500/600 ((+/-25um)

Leitungs-Art:

Vergittern Sie konstantes:

0.648 nm

Schmelzpunkt:

527°C

Dichte:

50,78 g/cm3

Molekülgewicht:

236.58

Bandlücke:

0.17eV ((300K)

Verpackung Informationen:

kundengebundener Kasten

Hervorheben:

IR-Detektor Indiumphosphatwafer

3" ungetoppte InSb-Wafer

InSb-Wafer mit Photodioden-Wärmebildsensor

Produkt-Beschreibung

3 Undopped InSb Wafers IR-Detektor Photodioden-Wärmebildsensor 85 GHz

Beschreibung:

1Indium-Antimonid ist ein direktes Halbleitermaterial, das zum Infrarot-Spektrum gehört.

2Indium-Antimonid (InSb) ist ein aus Indium (In) und Antimon (Sb) bestehendes Halbleitermaterial.

3Indium-Antimonid weist auch eine hohe Trägermobilität und geringe Geräuschcharakteristiken in Hochgeschwindigkeitselektronik und Geräuschschwächer auf.

4Die chemische Formel ist InSb. Indium-Antimonid ist ein wichtiges Halbleitermaterial mit speziellen elektronischen und optischen Eigenschaften.

so hat es eine breite Palette von Anwendungen im Bereich der Optoelektronik und Elektronik.

5Darüber hinaus kann Indium-Antimonid auch in Quanten-Effektgeräten wie Quanten-Bohrstrukturen und Quanten-Dot-Geräten verwendet werden.

wegen seiner hervorragenden Quanteneigenschaften, wie z.B. Quantengrenzeffekte und Quantenabstimmungs-Eigenschaften.

Eigenschaften:

1Schnelle Reaktion: Der InSb-Detektor hat eine schnelle Reaktionszeit und kann Änderungen der Infrarotstrahlungsignale in Echtzeit erfassen.
2. Niedriges Rauschen: InSb-Materialien weisen geringe Rauschenwerte auf, die klare Infrarotbilder und genaue Spektralinformationen liefern können.

3Hohe Empfindlichkeit: InSb-Material hat eine hohe Empfindlichkeit im mittleren Infrarotband, wodurch Infrarotstrahlung wirksam erkannt und umgewandelt werden kann.
4. Niedrigtemperaturbetrieb: InSb-Detektoren müssen in der Regel bei niedrigeren Temperaturen arbeiten, in der Regel unter 77 K (Flüssiger Stickstofftemperatur)

5Breite Bandbreite: InSb-Materialien haben eine breite Bandbreite der Infrarotstrahlungsinduktion,mit einer Breite von mehr als 20 mm,.

Technische Parameter:

Einzelkristall	InSb
Durchmesser	2 ̊ 3 ̊ ((+/- 0,3 mm)
Stärke	500/600 ((+/-25um)
Dopant	Keine
Leitungstyp	N
Trägerkonzentration ((cm-3)	3E15
Ausfalldichte ((cm-2)	< 2*102
Gitterkonstante	0.648 nm
Molekülgewicht	236.58
Schmelzpunkt	527°C
Dichte	50,78 g/cm3
Bandlücke	0.17eV ((300K)
Bandlücke	0.23eV ((80K)

Anwendungen:

Infrarotbilder	InSb-Kristallmaterialien werden in der Infrarot-Bildgebung weit verbreitet.
Hochgeschwindigkeitsgerät	aufgrund ihrer hohen Trägermobilität und ihrer geringen elektronischen Qualität zur Herstellung von Hochgeschwindigkeitsgeräten verwendet werden können.
Spektrometer und Optik	InSb-Kristallmaterialien werden in der Herstellung von Infrarot- Strahlendetektoren.
Spektralanalyse	InSb-Kristallmaterialien können aufgrund ihrer Transparenz und hoher Empfindlichkeit im Infrarotband für die Infrarotspektralanalyse verwendet werden.
Quanten-Bohrgerät	Mit Hilfe der Quanten-Bohrstruktur des InSb-Chips kann eine Reihe von Quanten-Bohrgeräten hergestellt werden
Strahlungsdetektion	InSb-Kristallmaterialien werden in der Herstellung von Infrarot- Strahlendetektoren.
Thermoelektrisches Material	InSb-Chips können Wärmeenergie in Strom für Anwendungen wie thermoelektrische Stromerzeugung und Temperaturmessung umwandeln.

3 "Undopped InSb Wafers IR-Detektor Photodioden-Wärmebildsensor 85 GHz 0

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SIC-Wafer:

3 "Undopped InSb Wafers IR-Detektor Photodioden-Wärmebildsensor 85 GHz 1

Häufige Fragen:

F: Was ist die Zertifizierung vonTe-InSb?

A: Die Zertifizierung vonTe-InSbist ROHS.

F: Was ist der Markenname vonTe-InSb?

A: Der Markenname vonTe-InSbist ZMSH.

F: Wo ist der Ursprungsort vonTe-InSb?

A: Herkunftsort vonTe-InSbist China.

F: Welches ist das MOQ vonTe-InSb gleichzeitig?

A: Die MOQ vonTe-InSbist 25 Stück auf einmal.

Umbauten:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung