Hervorheben:
IR-Detektor Indiumphosphatwafer
, 3" ungetoppte InSb-Wafer
, InSb-Wafer mit Photodioden-Wärmebildsensor
3 "Undopped InSb Wafers IR-Detektor Photodioden-Wärmebildsensor 85 GHz
3 Undopped InSb Wafers IR-Detektor Photodioden-Wärmebildsensor 85 GHz
Beschreibung:
1Indium-Antimonid ist ein direktes Halbleitermaterial, das zum Infrarot-Spektrum gehört.
2Indium-Antimonid (InSb) ist ein aus Indium (In) und Antimon (Sb) bestehendes Halbleitermaterial.
3Indium-Antimonid weist auch eine hohe Trägermobilität und geringe Geräuschcharakteristiken in Hochgeschwindigkeitselektronik und Geräuschschwächer auf.
4Die chemische Formel ist InSb. Indium-Antimonid ist ein wichtiges Halbleitermaterial mit speziellen elektronischen und optischen Eigenschaften.
so hat es eine breite Palette von Anwendungen im Bereich der Optoelektronik und Elektronik.
5Darüber hinaus kann Indium-Antimonid auch in Quanten-Effektgeräten wie Quanten-Bohrstrukturen und Quanten-Dot-Geräten verwendet werden.
wegen seiner hervorragenden Quanteneigenschaften, wie z.B. Quantengrenzeffekte und Quantenabstimmungs-Eigenschaften.
Eigenschaften:
1Schnelle Reaktion: Der InSb-Detektor hat eine schnelle Reaktionszeit und kann Änderungen der Infrarotstrahlungsignale in Echtzeit erfassen.
2. Niedriges Rauschen: InSb-Materialien weisen geringe Rauschenwerte auf, die klare Infrarotbilder und genaue Spektralinformationen liefern können.
3Hohe Empfindlichkeit: InSb-Material hat eine hohe Empfindlichkeit im mittleren Infrarotband, wodurch Infrarotstrahlung wirksam erkannt und umgewandelt werden kann.
4. Niedrigtemperaturbetrieb: InSb-Detektoren müssen in der Regel bei niedrigeren Temperaturen arbeiten, in der Regel unter 77 K (Flüssiger Stickstofftemperatur)
5Breite Bandbreite: InSb-Materialien haben eine breite Bandbreite der Infrarotstrahlungsinduktion,mit einer Breite von mehr als 20 mm,.
Technische Parameter:
| Einzelkristall |
InSb |
| Durchmesser |
2 ̊ 3 ̊ ((+/- 0,3 mm) |
| Stärke |
500/600 ((+/-25um) |
| Dopant |
Keine |
| Leitungstyp |
N |
| Trägerkonzentration ((cm-3) |
3E15 |
| Ausfalldichte ((cm-2) |
< 2*102 |
| Gitterkonstante |
0.648 nm |
| Molekülgewicht |
236.58 |
| Schmelzpunkt |
527°C |
| Dichte |
50,78 g/cm3 |
| Bandlücke |
0.17eV ((300K) |
| 0.23eV ((80K) |
Anwendungen:
| Infrarotbilder |
InSb-Kristallmaterialien werden in der Infrarot-Bildgebung weit verbreitet. |
| Hochgeschwindigkeitsgerät |
aufgrund ihrer hohen Trägermobilität und ihrer geringen elektronischen Qualität zur Herstellung von Hochgeschwindigkeitsgeräten verwendet werden können. |
| Spektrometer und Optik |
InSb-Kristallmaterialien werden in der Herstellung von Infrarot-
Strahlendetektoren. |
| Spektralanalyse |
InSb-Kristallmaterialien können aufgrund ihrer Transparenz und hoher Empfindlichkeit im Infrarotband für die Infrarotspektralanalyse verwendet werden. |
| Quanten-Bohrgerät |
Mit Hilfe der Quanten-Bohrstruktur des InSb-Chips kann eine Reihe von Quanten-Bohrgeräten hergestellt werden |
| Strahlungsdetektion |
InSb-Kristallmaterialien werden in der Herstellung von Infrarot-
Strahlendetektoren. |
| Thermoelektrisches Material |
InSb-Chips können Wärmeenergie in Strom für Anwendungen wie thermoelektrische Stromerzeugung und Temperaturmessung umwandeln. |
Andere verwandte Erzeugnisse:
SIC-Wafer:
Häufige Fragen:
F: Was ist die Zertifizierung vonTe-InSb?
A: Die Zertifizierung vonTe-InSbist ROHS.
F: Was ist der Markenname vonTe-InSb?
A: Der Markenname vonTe-InSbist ZMSH.
F: Wo ist der Ursprungsort vonTe-InSb?
A: Herkunftsort vonTe-InSbist China.
F: Welches ist das MOQ vonTe-InSb gleichzeitig?
A: Die MOQ vonTe-InSbist 25 Stück auf einmal.
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