InAs Wafer Doped Zn 2 Zoll Indium-Arsenid Wafer Dia 50mm Dicke 500um <100> angepasst

Eigenschaften von InAs-Zn-Wafer

- InAs-Wafer zur Herstellung verwenden

- Unterstützung von maßgeschneiderten Modellen mit Design-Artwork

- direktes Bandgap, effizient Licht emittiert, in Lasern verwendet.

- im Wellenlängenbereich von 1,5 μm bis 5,6 μm, Quantenbrunnengebäude

- Verwendung von Techniken wie MOCVD oder MBE, Ätzung, Metallisierung und Verpackung zur Erzielung der endgültigen Form des Geräts

Beschreibungen vonAs-ZnWafer

Indiumarsenid (InAs) ist ein wichtiges Halbleitermaterial, das aufgrund seiner engen Bandlücke (etwa 0,354 eV) in Bereichen wie Infrarotdetektoren und Lasern weit verbreitet ist.
InAs existiert in der Regel in Form eines kubischen Kristallsystems, und seine hohe Elektronenmobilität macht es in schnellen elektronischen Geräten gut.
In-As-Wafer von hoher Qualität können durch Techniken wie Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) oder metallorganische chemische Dampfdeposition (MOCVD) angebaut werden.mit einer Breite von mehr als 20 mm,, insbesondere in den Bands 3-5 μm und 8-12 μm.

Darüber hinaus kann die Zink (Zn) doppierte InAs-Struktur ihre Leitfähigkeit anpassen, um Halbleiter des P- oder N-Types zu bilden, wodurch ihre elektrischen Eigenschaften optimiert werden.
Die Entwicklung von Quantenbrunnen und Quantenpunktstrukturen hat das Anwendungspotenzial von InAs im Bereich der Optoelektronik weiter erhöht.
Die Quantenpunkte-Technologie ermöglicht es den InAs, eine wichtige Rolle in aufstrebenden Bereichen wie Quantencomputing und Biobildgebung zu spielen.
Angesichts der steigenden Nachfrage nach leistungsstarken Infrarotgeräten und Quantentechnologien sind die Forschungs- und Anwendungsperspektiven von InAs und ihren doppierten Materialien groß.

Einzelheiten zu InAs-ZnWafer

Proben vonAs-ZnWafer
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