Produkt-Details
Place of Origin: China
Markenname: ZMSH
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Delivery Time: 2-4weeks
Payment Terms: T/T
PL Wavelength control: |
Better than 3nm |
PL Wavelength uniformity: |
Std, Dev better than inm @inner 42mm |
Thickness control: |
Betterthan ±3% |
Thickness uniformity: |
Better than ± 3% @inner 42mm |
Doping control: |
Better than ±10% |
P-InP-Doping (cm-*): |
Zn-Doped: 5e17 bis 2e18 |
Peak Wavelength: |
1310nm |
Threshold Current: |
<8 |
Front Power: |
>9 |
PL Wavelength control: |
Better than 3nm |
PL Wavelength uniformity: |
Std, Dev better than inm @inner 42mm |
Thickness control: |
Betterthan ±3% |
Thickness uniformity: |
Better than ± 3% @inner 42mm |
Doping control: |
Better than ±10% |
P-InP-Doping (cm-*): |
Zn-Doped: 5e17 bis 2e18 |
Peak Wavelength: |
1310nm |
Threshold Current: |
<8 |
Front Power: |
>9 |
DFB Epiwafer InP Substrat MOCVD Methode 2 4 6 Zoll Betriebswellenlänge: 1,3 μm, 1,55 μm
DFB Epiwafer InP Substrate's Brief
DFB (Distributed Feedback) Epiwafer auf Indiumphosphat (InP) -Substraten sind Schlüsselkomponenten, die bei der Herstellung leistungsstarker DFB-Laserdioden verwendet werden.Diese Laser sind aufgrund ihrer Fähigkeit zur Erzeugung von Einzelmodus-Laser für optische Kommunikations- und Sensorikanwendungen von entscheidender Bedeutung., schmaler Linienbreite mit stabiler Wellenlänge, typischerweise im Bereich von 1,3 μm und 1,55 μm.
Das InP-Substrat sorgt für eine ausgezeichnete Gitter-Matching für epitaxiale Schichten wie InGaAsP, die zur Bildung der aktiven Region, Verkleidungsschichten,und Gitterstrukturen, die die Funktionalität des DFB-Lasers definierenDas integrierte Gitter innerhalb der Struktur sorgt für eine präzise Rückkopplung und Wellenlängenkontrolle.mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 100 W,.
Zu den wichtigsten Anwendungen zählen Hochgeschwindigkeits-optische Transceiver, Datencenterverbindungen, Gassensoren und optische Kohärenztomographie (OCT).Die Kombination der Hochgeschwindigkeitsleistung des InP-basierten DFB-Epiwafers, schmale Spektralliniebreite und Wellenlängen-Stabilität machen es in modernen Telekommunikationsnetzen und fortschrittlichen Sensoriktechnologien unverzichtbar.
Struktur des DFB Epiwafer InP-Substrats
Datenblatt des DFB Epiwafer InP-SubstratsZMSH DFB inp Epiwafer.pdf)
Eigenschaften des DFB Epiwafer InP-Substrats
Substratmaterial:
Bandgap:
Verknüpfungen mit Gitter:
Epitaxialschichten:
Betriebswellenlänge:
Schmale Linienbreite und Einstieg in einen Modus:
Temperaturstabilität:
Niedriger Schwellenstrom:
Hochgeschwindigkeitsmodulationsfähigkeit:
Die wichtigsten Eigenschaften von DFB-Epiwafers auf InP-Substraten, wie z. B. ihre ausgezeichnete Gitteranpassung, einmodischer Betrieb, schmale Linienbreite, Hochgeschwindigkeitsleistung und Temperaturstabilität,sie für die optische Kommunikation unentbehrlich machen, Sensorik und fortschrittliche photonische Anwendungen.
Die echten Fotos des DFB Epiwafer InP Substrats
Anwendung des DFB Epiwafer InP-Substrats
Schlüsselwelt: InP Substrat DFB Epiwafer
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