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Indium-Phosphid-Oblate

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China Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9% distributeur
Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9%

Indium-Phosphid-Oblate

(34)
China InP FP Epiwafer InP-Substrat n/p Typ 2 3 4 Zoll mit einer Dicke von 350-650um für optische Netze Fabrik

InP FP Epiwafer InP-Substrat n/p Typ 2 3 4 Zoll mit einer Dicke von 350-650um für optische Netze
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InP FP Epiwafer InP-Substrat n/p Typ 2 3 4 Zoll mit einer Dicke von 350-650um für optische Netze InP Epiwafer's Überblick Indium-Phosphid (InP) Epiwafer ist ein Schlüsselmaterial, das in fortschrittlichen ... Lesen Sie weiter
2024-09-10 15:33:00
China 2 Zoll MgO Waferdicke 500um Orientierung<100> Kristall Magnesiumoxid Kristall individuell Fabrik

2 Zoll MgO Waferdicke 500um Orientierung<100> Kristall Magnesiumoxid Kristall individuell
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Magnesiumoxid-Wafer, Magnesiumoxid-Wafer, Magnesiumoxid-Substrat, Magnesiumoxid-Substrat, < 100>, < 110>, < 111>, 1 Zoll MgO, 2 Zoll MgO, 3 Zoll MgO, MgO-monokristallines Substrat Charakter der MgO - Verwendung... Lesen Sie weiter
2024-08-23 14:06:08
China 2&quot; InSb-Te EPI Substrate Schmalband Halbleiter Substrate Hall-Komponenten Fabrik

2" InSb-Te EPI Substrate Schmalband Halbleiter Substrate Hall-Komponenten
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InSb-Te EPI Substrate Schmale Bandlücke Halbleiter Substrate Hall-Komponenten Beschreibung von InSb-Te: Indiumantimonid (InSb), als eine Art binärverbundenes Halbleitermaterial der Gruppe iii-V, war der ... Lesen Sie weiter
2023-11-27 17:03:31
China 3 &quot;Undopped InSb Wafers IR-Detektor Photodioden-Wärmebildsensor 85 GHz Fabrik

3 "Undopped InSb Wafers IR-Detektor Photodioden-Wärmebildsensor 85 GHz
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3 Undopped InSb Wafers IR-Detektor Photodioden-Wärmebildsensor 85 GHz Beschreibung: 1Indium-Antimonid ist ein direktes Halbleitermaterial, das zum Infrarot-Spektrum gehört. 2Indium-Antimonid (InSb) ist ein aus ... Lesen Sie weiter
2023-11-27 09:50:55
China 2&#039; 4&#039; InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um Fabrik

2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um
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2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um BeschreibungInP-Wafer: InP-Chips (Indiumphosphid) sind ein häufig verwendetes Halbleitermaterial für die Herstellung leistungsstarker ... Lesen Sie weiter
2023-10-26 11:04:11
China Indiumphosphat Wafer InP Halbleiter Substrate Epitaxial 2&#039;&#039; 3&#039; 4&#039; Dicke 350um Fabrik

Indiumphosphat Wafer InP Halbleiter Substrate Epitaxial 2'' 3' 4' Dicke 350um
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Indiumphosphat Wafer InP Halbleiter Substrate Epitaxial 2'' 3' Dicke 350um BeschreibungIndiumphosphat: Indium-Phosphid-Chips (InP) sind ein weit verbreitetes Material in der Optoelektronik und Halbleitergeräten... Lesen Sie weiter
2023-10-26 11:03:32
China GaSb Fabrik

GaSb
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Kristalle Kristallsubstrat, Gap-Wafer des 2-6 Zoll Gallium-Phosphids (Gap) ZMKJ-Dose stellt Gap-Wafer einzelner Kristall der hohen Qualität (Galliumphosphid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie ... Lesen Sie weiter
2023-06-19 14:49:44
China Art GE-Germanium-Oblate 2inch 3inch 4inch 6inch N mit niedrigem EPD Fabrik

Art GE-Germanium-Oblate 2inch 3inch 4inch 6inch N mit niedrigem EPD
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Art GE-Germanium-Oblate 2inch 3inch 4inch 6inch N mit niedrigem EPD GE-Oblate Germanium ist das Material für die Herstellung von Halbleiterbauelementen und von optischen Infrarotgeräten. Es spielt eine wichtige ... Lesen Sie weiter
2023-06-19 14:26:34
China Hohe brechende Oberflächen-GE Germanium-Oblate DSP Fabrik

Hohe brechende Oberflächen-GE Germanium-Oblate DSP
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Art p-Art 2inch 4inch 6inch N lackierte Germanium-einzelne Kristallscheiben, Optische Platten der Germanium-einzelnen Kristalle Fenster GE-Oblate/GE Germanium (GE) ist das bevorzugte Linsen- und Fenstermaterial ... Lesen Sie weiter
2023-06-08 10:46:33
China Art GE-Substrat-Germanium-Oblaten 2inch 3inch 4inch p-Art-/N Fabrik

Art GE-Substrat-Germanium-Oblaten 2inch 3inch 4inch p-Art-/N
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Germanium-einzelne Kristall-GE-Substrate Oblaten 4inch 6inch, kundengebundene optische Linse GEs 2inch 3inch 4inch P-artige N-artige GE-Substrat Germanium-Oblaten Germaniumsubstrate Anwendung: Germaniumoblate ... Lesen Sie weiter
2022-10-28 09:33:21
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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