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[silicon substrate ]

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358

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Hochreine, semi-isolierende Siliziumkarbid-Substrate - Waferlösungen mit mehreren Durchmessern (2" bis 8")

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2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm

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Siliziumkarbid Substrat 4' Sic 3C-N Durchmesser 100 mm Leitfähiges Typ Null MPD

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2 Zoll Sic Substrat 6H-N Typ Dicke 350um 650um Sic Wafer

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4H-N Typ / Halbisolierende Siliziumkarbid SiC Substrate

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10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate

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6H-N 4H-N sic Silikon-Karbid-Oblate Substrat-2inch 0.33mm 0.43mm

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4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade

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Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum

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Farblose Transparente Siliziumkarbid SiC Polierte Waferlinse Optische AR-Brille

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Keramischer Zylinder der Spiegel-Poliersilikon-Karbid-Rohr-Verschleißfestigkeits-Al2O3

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Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

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