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Guter Preis Saphir-Wafer abseits der C-Achse in Richtung M-Ebene 20° Al2O3 Dia 2
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Blinde des Grad-6Inch sic Stärke Substrat-der Oblaten-Dia150mm 4H-N 500mm

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Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

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Thermischer Management-Bereich MPCVD-Methoden-GaN Diamond Heat Sink Wafers Fors

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