Art GE-Germanium-Oblate 2inch 3inch 4inch 6inch N mit niedrigem EPD

Art GE-Germanium-Oblate 2inch 3inch 4inch 6inch N mit niedrigem EPD

GE-Oblate

Germanium ist das Material für die Herstellung von Halbleiterbauelementen und von optischen Infrarotgeräten. Es spielt eine wichtige Rolle in der Entwicklung von Festkörperphysik und von Festkörperelektronik. Germanium hat eine schmelzende Dichte von 5.32g/cm 3, Germanium wird klassifiziert als dünnes zerstreutes Metall, chemische Stabilität des Germaniums, wirkt nicht auf Luft- oder Wasserdampf bei Zimmertemperatur ein, aber bei ℃ 600~700, wird Germaniumdioxid schnell erzeugt. Arbeitet nicht mit Salzsäure, verdünnte Schwefelsäure. Wenn starke Schwefelsäure erhitzt wird, löst sich Germanium langsam auf. In der Salpetersäure und im aqua regia wird Germanium leicht aufgelöst. Der Effekt der Alkalilauge auf Germanium ist sehr schwach, aber flüssiges Alkali in einer Luft kann Germanium schnell sich auflösen lassen. Germanium arbeitet nicht mit Kohlenstoff, also wird es in einem Graphittiegel geschmolzen und wird nicht durch Kohlenstoff verseucht werden. Germanium hat gute Halbleitereigenschaften, wie Elektronenbeweglichkeit, Löcherbeweglichkeit und so weiter. Die Entwicklung des Germaniums hat noch großes Potenzial.

Spezifikation

Produktanzeige

Wachstumsmethode

Die Wachstumsmethode des Germaniumsubstrates enthält die folgenden Schritte: ein Unterstützungssubstrat zur Verfügung stellend, ist das Unterstützungssubstrat ein Kristallmaterial; Die Kristallschicht des ersten Germaniums wird durch erste Temperaturepitaxie auf der Oberfläche des Unterstützungssubstrates gewachsen. Die Kristallschicht des zweiten Germaniums wird durch zweite Temperaturepitaxie auf der Oberfläche der Kristallschicht des ersten Germaniums gewachsen, und die erste Temperatur ist niedriger als die zweite Temperatur. Die Vorteile der anwesenden Erfindung ist, eine Art Germaniumepitaxieprozeß der niedrigen Temperatur zuerst eine Schicht der Germaniumschicht, Wachstumsgermaniumepitaxie der niedrigen Temperatur, die Rate, niedrig ist, Eigenschaften eines zweidimensionale Wachstums und komplettes Entspannung, diese Dünnschicht der Germaniumschicht bei der niedrigen Temperatur vorzubringen hat viele Defekte, stressanfälliges entspannt und Verschiebungsvernichtung nachher dann eine Schicht des Wachstumsgermaniums der hohen Temperatur der Epitaxial- Schicht, die Schichtwachstumsgeschwindigkeit, die einzelne Kristallgermaniumschicht mit hoher Kristallmasse und komplettes Entspannung kann erreicht werden.