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GaN On Diamond And Dimond auf GaN Wafer By Epitaxial HEMT und Abbinden

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0.5mm Stärke-Galliumarsenid-Oblaten-Zink-Oxid Crystal Substrate

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12" Sapphire Glass Wafer

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Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

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Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

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N-Art freie Stellung HVPE GaN Gallium Nitride Wafer 4inch Dia100mm

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