SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling

Kundenspezifischer SiC-Keramik-Bootsträger für die Wafer-Handhabung

 
Der kundenspezifische Siliziumkarbid (SiC)-Keramik-Bootsträger ist eine Hochleistungs-Wafer-Handhabungslösung, die für die Halbleiter-, Photovoltaik- und LED-Fertigungsprozesse entwickelt wurde. Dieser Träger wurde für hohe Temperaturstabilität, chemische Beständigkeit und extrem geringe Kontamination entwickelt und gewährleistet einen sicheren und effizienten Wafertransport in anspruchsvollen Umgebungen wie CVD-, Diffusionsöfen und Oxidationskammern.
 

Hauptvorteile des SiC-Keramikboots

 
Hohe thermische Stabilität – hält Temperaturen bis zu 1.600 °C ohne Verformung stand.
Chemische Inertheit – beständig gegen Säuren, Laugen und Plasmaerosion, was eine lange Lebensdauer gewährleistet.
Geringe Partikelbildung – minimiert die Kontamination in der EUV- und Advanced-Node-Fertigung.
Anpassbares Design – zugeschnitten auf Wafergröße, Schlitzabstand und Handhabungsanforderungen
Ideal für Halbleiterfabriken, MEMS-Produktion und die Verarbeitung von Verbindungshalbleitern
 
 

Spezifikation

Anwendungen des SiC-Keramikboots

 
1. Halbleiterfertigung
✔ Diffusions- und Glühöfen
- Hohe Temperaturstabilität – hält 1.600 °C (oxidierend) / 1.950 °C (inert) ohne Verformung stand.
- Geringe Wärmeausdehnung (4,3 × 10⁻⁶/K) – verhindert Waferverformung bei Rapid Thermal Processing (RTP).
✔ CVD & Epitaxie (SiC/GaN-Wachstum)
- Gasbeständigkeit – inert gegenüber SiH₄, NH₃, HCl und anderen aggressiven Vorläufern.
- Partikelfreie Oberfläche – poliert (Ra <0,2 µm) für defektfreie epitaktische Abscheidung.
✔ Ionenimplantation
- Strahlungsgehärtet – keine Beeinträchtigung unter Hochenergie-Ionenbeschuss.
 
 
2. Leistungselektronik (SiC/GaN-Bauelemente)
✔ SiC-Wafer-Verarbeitung
- CTE-Anpassung (4,3 × 10⁻⁶/K) – minimiert Spannungen beim epitaktischen Wachstum bei 1.500 °C+.
- Hohe Wärmeleitfähigkeit (160 W/m·K) – gewährleistet eine gleichmäßige Wafererwärmung.
✔ GaN-on-SiC-Bauelemente
- Nicht kontaminierend – keine Freisetzung von Metallionen im Vergleich zu Graphitbooten.
 
 
3. Photovoltaik (Solarzellenproduktion)
✔ PERC- und TOPCon-Solarzellen
- POCl₃-Diffusionsbeständigkeit – widersteht Phosphordotierungsumgebungen.
- Lange Lebensdauer – 5–10 Jahre im Vergleich zu 1–2 Jahren bei Quarzbooten.
✔ Dünnschichtsolarzellen (CIGS/CdTe)
- Korrosionsbeständigkeit – stabil in H₂Se-, CdS-Abscheidungsprozessen.
 
 
4. LED & Optoelektronik
✔ Mini-/Mikro-LED-Epitaxie
- Präzises Schlitzdesign – hält empfindliche 2"–6"-Wafer ohne Kantenausbrüche.
- Reinraumkompatibel – erfüllt die SEMI F57-Partikelstandards.
 
 
5. Forschung & Spezialanwendungen
✔ Hochtemperatur-Materialsynthese
- Sinterhilfsmittel (z. B. B₄C, AlN) – chemisch inert in Umgebungen mit 2.000 °C+.
- Kristallwachstum (z. B. Al₂O₃, ZnSe) – reagiert nicht mit geschmolzenen Materialien.
 

FAQ

 
Q1:Welche Wafergrößen werden unterstützt?
Standard: 150 mm (6"), 200 mm (8"), 300 mm (12"). Anpassung auf Anfrage möglich.
 
Q2: Wie lange dauert die Vorlaufzeit für kundenspezifische Designs?
- Standardmodelle: 4–6 Wochen.
- Vollständig angepasst: 8–12 Wochen (je nach Komplexität).