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SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: zmsh

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Wafer-Handling Keramik-Bootträger

,

Besonderes Keramikbootträger

,

SiC-Keramik-Bootträger

Material:
SiC Ceramic
Size:
Customized
Material:
SiC Ceramic
Size:
Customized
SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling

angepasster SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling


Der Customized Silicon Carbide (SiC) Ceramic Boat Carrier ist eine leistungsstarke Wafer-Handling-Lösung für Halbleiter-, Photovoltaik- und LED-Herstellungsprozesse.Konzipiert für hochtemperaturstabilität, chemische Beständigkeit und ultra-niedrige Kontamination, sorgt dieser Träger für einen sicheren und effizienten Wafertransport in anspruchsvollen Umgebungen wie CVD, Diffusionsöfen und Oxidationskammern.

 

SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling 0SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling 1

 


 

Hauptvorteile von SiC-Keramikbooten

 

Hohe thermische Stabilität ️ Widerstandsfähigkeit bei Temperaturen bis 1.600°C ohne Verformung.


Chemische Trägheit ️ Widerstand gegen Säuren, Alkalien und Plasmaerosion, was eine langfristige Haltbarkeit gewährleistet.


Niedrige Partikelgenerierung Minimiert die Kontamination in EUV und die fortschrittliche Knotenfertigung.


Anpassbares Design ️ Maßgeschneidert auf Wafergröße, Schlitze und Handhabungsanforderungen

Ideal für Halbleiterfabriken, MEMS-Produktion und Verarbeitung von Halbleitern

 

 

SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling 2SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling 3

 


 

Spezifikation

 

Gehalt an Siliziumkarbid - % > 995
Durchschnittliche Korngröße - Mikron 4 bis 10
Massendichte - kg/dm^3 > 3 Jahre14
Scheinbare Porosität - Vol % < 05
Vickers-Härte HV0.5 kg/mm^2 2800
Modul des Bruchs (3 Punkte) 20°C MPa 450
Kompressionsfestigkeit 20°C MPa 3900
Modul der Elastizität 20°C GPa 420
Bruchfestigkeit - MPa/m^1/2 3.5
Wärmeleitfähigkeit 20°C Ich bin nicht derjenige, der das sagt. 160
Elektrische Widerstandsfähigkeit 20°C Ohm.cm 10^6 bis 10^8
Koeffizient der thermischen Ausdehnung Ein
(RT"800°C)
K^-1*10^-6 4.3
Max. Anwendungstemperatur Oxidatmosphäre °C 1600
Max. Anwendungstemperatur Inerte Atmosphäre °C 1950
 

 


 

 

Anwendungen von SiC-Keramikboot

 

1. Halbleiterherstellung
✔ Diffusions- und Glühöfen
- Hochtemperaturstabilität
- Niedrige thermische Ausdehnung (4,3×10−6/K) Verhindert Waferverformung bei schneller thermischer Verarbeitung (RTP).

✔ Herz-Kreislauf-Krankheiten und Epitaxie (SiC/GaN-Wachstum)
- Korrosionsbeständigkeit gegenüber Gasen Inert gegenüber SiH4, NH3, HCl und anderen aggressiven Vorläufern.
- Partikelfreie Oberfläche Poleriert (Ra < 0,2 μm) für eine defektfreie epitaxiale Ablagerung.

✔ Ionenimplantation
- Strahlungsgehärtet ∙ Kein Abbau durch hochenergetische Ionenbombardierung.

 

 

2. Leistungselektronik (SiC/GaN-Geräte)
✔ SiC-Waferverarbeitung
- CTE Matching (4.3×10−6/K)
- Hohe Wärmeleitfähigkeit (160 W/m·K)

✔ Geräte mit GaN-on-SiC
- Nicht kontaminierend. Keine Freisetzung von Metallionen im Vergleich zu Graphitbooten.

 

 

3. Produktion von Photovoltaik (Solarzellen)
✔ PERC & TOPCon Solarzellen
- Diffusionsbeständigkeit von POCl3
- Lange Lebensdauer: 5-10 Jahre im Vergleich zu 1-2 Jahren für Quarzboote.

✔ Dünnschicht-Solar (CIGS/CdTe)
- Korrosionsbeständigkeit ­ Stabil bei H2Se- und CdS-Abscheidungen.

 

 

4. LED und Optoelektronik
✔ Mini/Mikro-LED-Epitaxy
- Präzisionsschlitzdesign
- Kompatibel mit Reinräumen. Er erfüllt die Partikelnormen SEMI F57.

 

 

5Forschung und spezielle Anwendungen
✔ Synthese von Material mit hoher Temperatur
- Sintermittel (z. B. B4C, AlN) Chemischerweise inert bei 2000°C +.
- Kristallwachstum (z.B. Al2O3, ZnSe)

 


 

Häufig gestellte Fragen

 

F1:Welche Wafergrößen werden unterstützt?

Standard: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12").

 

Q2: Wie lange dauert die Vorlaufzeit für kundenspezifische Designs?

- Standardmodelle: 4-6 Wochen.
- Vollständig angepasst: 8-12 Wochen (je nach Komplexität).