Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: zmsh
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Material: |
SiC Ceramic |
Size: |
Customized |
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SiC Ceramic |
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Customized |
angepasster SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling
Der Customized Silicon Carbide (SiC) Ceramic Boat Carrier ist eine leistungsstarke Wafer-Handling-Lösung für Halbleiter-, Photovoltaik- und LED-Herstellungsprozesse.Konzipiert für hochtemperaturstabilität, chemische Beständigkeit und ultra-niedrige Kontamination, sorgt dieser Träger für einen sicheren und effizienten Wafertransport in anspruchsvollen Umgebungen wie CVD, Diffusionsöfen und Oxidationskammern.
Hauptvorteile von SiC-Keramikbooten
Hohe thermische Stabilität ️ Widerstandsfähigkeit bei Temperaturen bis 1.600°C ohne Verformung.
Chemische Trägheit ️ Widerstand gegen Säuren, Alkalien und Plasmaerosion, was eine langfristige Haltbarkeit gewährleistet.
Niedrige Partikelgenerierung Minimiert die Kontamination in EUV und die fortschrittliche Knotenfertigung.
Anpassbares Design ️ Maßgeschneidert auf Wafergröße, Schlitze und Handhabungsanforderungen
Ideal für Halbleiterfabriken, MEMS-Produktion und Verarbeitung von Halbleitern
Spezifikation
Gehalt an Siliziumkarbid | - | % | > 995 |
Durchschnittliche Korngröße | - | Mikron | 4 bis 10 |
Massendichte | - | kg/dm^3 | > 3 Jahre14 |
Scheinbare Porosität | - | Vol % | < 05 |
Vickers-Härte | HV0.5 | kg/mm^2 | 2800 |
Modul des Bruchs (3 Punkte) | 20°C | MPa | 450 |
Kompressionsfestigkeit | 20°C | MPa | 3900 |
Modul der Elastizität | 20°C | GPa | 420 |
Bruchfestigkeit | - | MPa/m^1/2 | 3.5 |
Wärmeleitfähigkeit | 20°C | Ich bin nicht derjenige, der das sagt. | 160 |
Elektrische Widerstandsfähigkeit | 20°C | Ohm.cm | 10^6 bis 10^8 |
Koeffizient der thermischen Ausdehnung | Ein (RT"800°C) |
K^-1*10^-6 | 4.3 |
Max. Anwendungstemperatur | Oxidatmosphäre | °C | 1600 |
Max. Anwendungstemperatur | Inerte Atmosphäre | °C | 1950 |
Anwendungen von SiC-Keramikboot
1. Halbleiterherstellung
✔ Diffusions- und Glühöfen
- Hochtemperaturstabilität
- Niedrige thermische Ausdehnung (4,3×10−6/K) Verhindert Waferverformung bei schneller thermischer Verarbeitung (RTP).
✔ Herz-Kreislauf-Krankheiten und Epitaxie (SiC/GaN-Wachstum)
- Korrosionsbeständigkeit gegenüber Gasen Inert gegenüber SiH4, NH3, HCl und anderen aggressiven Vorläufern.
- Partikelfreie Oberfläche Poleriert (Ra < 0,2 μm) für eine defektfreie epitaxiale Ablagerung.
✔ Ionenimplantation
- Strahlungsgehärtet ∙ Kein Abbau durch hochenergetische Ionenbombardierung.
2. Leistungselektronik (SiC/GaN-Geräte)
✔ SiC-Waferverarbeitung
- CTE Matching (4.3×10−6/K)
- Hohe Wärmeleitfähigkeit (160 W/m·K)
✔ Geräte mit GaN-on-SiC
- Nicht kontaminierend. Keine Freisetzung von Metallionen im Vergleich zu Graphitbooten.
3. Produktion von Photovoltaik (Solarzellen)
✔ PERC & TOPCon Solarzellen
- Diffusionsbeständigkeit von POCl3
- Lange Lebensdauer: 5-10 Jahre im Vergleich zu 1-2 Jahren für Quarzboote.
✔ Dünnschicht-Solar (CIGS/CdTe)
- Korrosionsbeständigkeit Stabil bei H2Se- und CdS-Abscheidungen.
4. LED und Optoelektronik
✔ Mini/Mikro-LED-Epitaxy
- Präzisionsschlitzdesign
- Kompatibel mit Reinräumen. Er erfüllt die Partikelnormen SEMI F57.
5Forschung und spezielle Anwendungen
✔ Synthese von Material mit hoher Temperatur
- Sintermittel (z. B. B4C, AlN) Chemischerweise inert bei 2000°C +.
- Kristallwachstum (z.B. Al2O3, ZnSe)
Häufig gestellte Fragen
F1:Welche Wafergrößen werden unterstützt?
Standard: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12").
Q2: Wie lange dauert die Vorlaufzeit für kundenspezifische Designs?
- Standardmodelle: 4-6 Wochen.
- Vollständig angepasst: 8-12 Wochen (je nach Komplexität).