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12" Sapphire Glass Wafer

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Germanium-einzelne Kristalle Inp-Oblaten-Halbleiter-Substrate

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N-GaAs Substrat VCSEL Epiwafer 6 Zoll Gallium-Arsenid-Wafer 2 Zoll < 100> < 110> Für optoelektronische Geräte

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Automatischer Halbleiter-Schnellglühen-Ofen mit doppelter Hohlräume, kompatibel mit Wafer-Wärmebehandlungsanlagen mit einer Größe von 200-1300°C

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N - Schreiben Sie Galliumarsenid-Wafer GaAs einzelner Kristall-Substrate 2 - 6 Zoll

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GE-Linsen-Halbleiter-Substrate INP-Indium-Gallium-Phosphid-Oblate

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4 Zoll-Galliumarsenid-Wafer, Gaas-Substrat für niedrige Temperatur-Legierungen

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Platten-Indium-Phosphid-Oblaten-ausgezeichnetes Halbleiter-Material GEs optische

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Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll

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