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Durchmesser 50.8mm 2 Zoll-Galliumarsenid-Wafer für Halbleiter-Substrat

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3inch 76.2mm N-artiges S lackierte Galliumarsenid-Oblate für Mikroelektronik

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6 Zoll Sapphire Wafer BF33 für GaAs-Halbleiter-Trägerplatte

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kaufen flache einzelne Crystal Sapphire Wafer 1300mm 1500mm Stärke 8inch 0,725 Dia100mm C Online-Herstellung Video

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Si lackierte Undoped Art der GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-2inch N

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Ge-Germanium Wafer Halbleiter Substrate <111> Konzentrierende Photovoltaik CPV

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Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

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Saphirwafer 12' Durchmesser 250 mm ± 0,5 mm Dicke 1000 Um C-Plane DSP

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Halb- isolierende Art VGF-Methode Gaas-Oblaten-Durchmessers 150mm für Mikroelektronik

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8inch DSP 4H sic Art des Oblaten-Silikon-Karbid-Substrat-Produktions-Grad-N für Experiment

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