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Guter Preis 6' 8' Ultradick SiO2 Einzelkristall 10um 20um 25um Trockene nasse Oxidschicht 0,1 μm 25 μm Online
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Al₂O₃ Saphir Wafer, Abweichung von der C-Achse zur M-Ebene 8°, Durchmesser: 2" – 8", Kundenspezifische Dicke

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Saphir-Wafer abseits der C-Achse in Richtung M-Ebene 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8"

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Sapphire Wafer 60/40 Oberflächenbeschaffenheits-Kratzer/Grabung 20/10 40/20 60/40

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4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade

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Silikonkarbid SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dicke 350μm Für Hochleistungsgeräte

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Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

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4'' 200nm AlScN auf Siliziumwafern SSP DSP Epitaxialsubstrate für LED-Geräte

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Kristalle des Halbleiter-LN durch Methode CZ Czochralski für optische Anwendung

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