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IC-Siliziumscheibe-Defekte geben 0.28/0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725mm Flachheit <50um frei

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Saphir Wafer 3" Dia76.2±0.1mm, Dicke 550um, C-Plane 0001 DSP/SSP

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4" 4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer erstklassige Halbleiter EPI-Substrate AR-Gläser optische Qualität

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4 Zoll 6 Zoll Hohe Reinheit Quarzkristallboot SiO2 Waferdiffusionsverarbeitung Hohe Temperaturbeständigkeit

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Silikonkarbid-Seed-Wafer des Typs 4H Dia 157±0,5 mm Dicke 500±50um Monokristallfläche > 153 mm

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Saphir Wafer 8'' Durchmesser 200mm±0,2mm Dicke 725µm C-Ebene SSP,DSP Härte 9,0

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4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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Al2O3 Saphir Wafer Monokristalline Durchmesser 2 Zoll 3 Zoll Anpassung

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Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

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SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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