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Guter Preis Mikro-Jet-Laser-Ausrüstung für das Abrunden von Silikonkarbid-Wafer und das Aufteilen von Wafer auf Silikonbasis Online
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4 Zoll 6 Zoll Hohe Reinheit Quarzkristallboot SiO2 Waferdiffusionsverarbeitung Hohe Temperaturbeständigkeit

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Saphir Wafer 3" Dia76.2±0.1mm, Dicke 550um, C-Plane 0001 DSP/SSP

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Saphir Wafer 8'' Durchmesser 200mm±0,2mm Dicke 725µm C-Ebene SSP,DSP Härte 9,0

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12-Zoll 300mm 4H-N 6H-N SiC Single Crystal Silicon Carbide Wafer für Strom und LED-Geräte

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SiC vollautomatische Sprühbondmaschine für hochpräzise Wafer- und Graphitplattenanwendungen

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Silikonkarbid-Seed-Wafer des Typs 4H Dia 157±0,5 mm Dicke 500±50um Monokristallfläche > 153 mm

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2-Zoll-DSP-Saphirwafer 200 μm Al2O3 für LED- und optische Anwendungen

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Al₂O₃ Saphir Wafer, Abweichung von der C-Achse zur M-Ebene 8°, Durchmesser: 2" – 8", Kundenspezifische Dicke

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Saphir-Wafer abseits der C-Achse in Richtung M-Ebene 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8"

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