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Undoped transparente Silikonkarbid sic optische Kristalllinse mit Härte 9,2

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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

BLINDE Hauptgrad 6inch Silikonkarbid sic Stärkesubstrate Oblaten-0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi

BLINDE Hauptgrad 6inch Silikonkarbid sic Stärkesubstrate Oblaten-0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi

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China 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium distributeur
4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

Sic Substrat

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China 6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation Fabrik

6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation
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​​​​Schlüsselanwendungen​​ ​​ von 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafern 1. Erneuerbare Energiesysteme​​ ​​ · Windturbinen-Wechselrichter​​: 1700V SiC-Epitaxialwafer für DC-AC-Umwandlung in groß angelegten Windturbinen, ... Lesen Sie weiter
2025-07-07 09:23:01
China 4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade Fabrik

4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade
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4 Zoll SiC Epitaxial Wafer 4H Übersicht 4 Zoll SiC Epitaxial Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 μm Prime Grade Als Kernmaterial für die Herstellung von Kraftgeräten aus Siliziumcarbid (SiC) basiert die 4... Lesen Sie weiter
2025-07-01 13:16:40
China 2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren Fabrik

2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren
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Schlüsselparameter des 2-Zoll SiC Epitaxie-Wafers 4H Parameter Technische Spezifikation Kristallstruktur 4H-SiC Einkristall Wafer-Durchmesser 50,8±0,5 mm Kristallorientierung (0001) Ebene, Off-Axis 4°±0,5° ... Lesen Sie weiter
2025-07-01 13:16:40
China SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad Fabrik

SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad
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4H-N 2/3/4/6/8/12 Zoll Siliziumkarbid (SiC) Substrat Prime/Dummy/Research Grade Diese Produktreihe bietet hochreine Siliziumkarbid (SiC) -Substrate in mehreren Durchmessern (2", 3", 4", 6", 8" und 12"), die f... Lesen Sie weiter
2025-06-17 13:40:54
China HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade Fabrik

HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade
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HPSI-Hochreine SiC-Waffe mit Halbdämmung HPSI (High Purity Semi-Isolating) Silicon Carbide (SiC) -Wafer sind fortschrittliche Halbleiter-Substrate, die für Hochfrequenz-, Hochleistungs- und Hochtemperaturanwend... Lesen Sie weiter
2025-06-17 13:32:22
China 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 4H-SiCOI-Wafer Komposit SiC auf Isolatorsubstraten Fabrik

4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 4H-SiCOI-Wafer Komposit SiC auf Isolatorsubstraten
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Zusammenfassung vonSiCOI-Wafer 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 4H-SiCOI-Wafer Komposit SiC auf Isolatorsubstraten SICOI (Silicon Carbide on Insulator) -Wafer stellen eine fortschrittliche Komposit-Substrattechnologie dar... Lesen Sie weiter
2025-06-10 17:24:22
China SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum Fabrik

SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum
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Zusammenfassung vonSiC-Samenwafer SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum Siliconcarbide (SiC) Seed Crystal Wafers sind die Grundmaterialien für das Wachstum von SiC... Lesen Sie weiter
2025-05-26 11:39:21
China SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll für die Herstellung von MOSFETs Fabrik

SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll für die Herstellung von MOSFETs
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Zusammenfassung vonSiC-Samenwafer SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll angepasst Für die Herstellung von MOSFETs verwendet SiC-Kristallwafern dienen als Grundmaterialien in der Halbleiterindustri... Lesen Sie weiter
2025-05-26 11:39:21
China Besonderheiten für die Bearbeitung von Wafern Fabrik

Besonderheiten für die Bearbeitung von Wafern
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Zusammenfassung vonEndwirkungsfaktor für die Waferbehandlung Maßgeschneiderter Sic-Keramik-Träger End-Effektor für Wafer-Handling Der mit hochpräziser Bearbeitungstechnologie hergestellte Wafer-Handhabungseffe... Lesen Sie weiter
2025-05-26 11:36:35
China Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung Fabrik

Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung
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Zusammenfassung der SiC-Trägerplatte Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung Die SiC-Trägerplatte (Silicon Carbide Carrier Plate) ist eine leistungsstarke keramische ... Lesen Sie weiter
2025-05-26 11:36:35
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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