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Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafer

Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafer

Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafer

Markenbezeichnung:	ZMSH

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Polytype:

6h

Leitfähigkeit:

N-Typ

Oberflächenbeschaffenheit:

SSP/DSP, CMP/MP

Orientierung:

4° in Richtung <11-20>±0,5°

Anwendungen:

MOSEFT/SBD/JBS

Produkt-Beschreibung

Umbauten:

sic Oblate

sic Substrat

Silikonkarbidsubstrat

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