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2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren

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4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade

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4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade

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2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

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4-Zoll-Siliziumkarbid-Sic-Wafer 4H-P-Typ Durchmesser 100 mm Dicke 350 μm

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55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

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SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll für die Herstellung von MOSFETs

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2" InSb-Te EPI Substrate Schmalband Halbleiter Substrate Hall-Komponenten

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2 Zoll SIC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät Dia 0.4mm

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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie

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Kundengebundene Größen-Silikon-Karbid-Substrat-Härte 9,4 sic Teile für Ausrüstung

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Kundengebundene Größe 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N bricht SIC Platten ab

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