Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: SiC-Trägerplatte
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Preis: by case
Lieferzeit: 2-4weeks
Zahlungsbedingungen: T/T
Dichte: |
3.21 g/cc |
Spezifische Wärme: |
0.66 J/g °K |
Bruchfestigkeit: |
2.94 MPa m1/2 |
Härte: |
2800 |
Korngröße: |
2 - 10 μm |
Anwendungen: |
Herstellung von Halbleitern, LED-Produktion |
Dichte: |
3.21 g/cc |
Spezifische Wärme: |
0.66 J/g °K |
Bruchfestigkeit: |
2.94 MPa m1/2 |
Härte: |
2800 |
Korngröße: |
2 - 10 μm |
Anwendungen: |
Herstellung von Halbleitern, LED-Produktion |
Die SiC-Trägerplatte (Silicon Carbide Carrier Plate) ist eine leistungsstarke keramische Komponente, die in fortschrittlichen Fertigungsbereichen wie Halbleitern, LEDs und Leistungselektronik weit verbreitet ist.Bekannt für seine außergewöhnliche WärmebeständigkeitZMSH bietet kundenspezifische SiC-Trägerplattenlösungen, die sich aus der Herstellung von SiC-Trägerplatten ergeben.einschließlich der Konstruktion, Herstellung, Prüfung und Nachverkaufsunterstützung, um eine optimale Leistung und Zuverlässigkeit für Wafer-Handling, epitaxial Wachstum und andere kritische Anwendungen zu gewährleisten.
Eigentum | Wert | Methode |
Dichte | 3.21 g/cc | Sinkfloat und Abmessungen |
Spezifische Wärme | 0.66 J/g °K | Impulsierter Laserblitz |
Beugfestigkeit | 450 MPa560 MPa | 4 Punkte biegen, RT4 Punkte biegen, 1300° |
Bruchfestigkeit | 2.94 MPa m1/2 | Mikroabdrücke |
Härte | 2800 | Vicker's, 500 Gramm Ladung |
Elastischer ModulJunges Modul | 450 GPa430 GPa | 4 pt Biegung, RT4 pt Biegung, 1300 °C |
Korngröße | 2 ¢ 10 μm | SEM |
1.Widerstandsfähigkeit gegen extrem hohe Temperaturen- Stabiler Betrieb bis 1650°C, ideal für CVD, MOCVD und andere Hochtemperaturprozesse.
2.Überlegene thermische SteuerungDie Wärmeleitfähigkeit von 120-200 W/m·K sorgt für eine schnelle Wärmeableitung und minimiert die thermische Belastung.
3.Niedrige thermische Expansion(4.3×10−6/K) Aussergewöhnliche Dimensionsstabilität bei hohen Temperaturen, verhindert Fehlausrichtung oder Rissbildung der Wafer.
4.Hohe Härte und Verschleißfestigkeit️ Mohs-Härte von 9.2, weit über Quarz und Graphit hinaus, verlängert die Lebensdauer.
5.Chemische Trägheit¢ Beständig gegen Säuren, Alkalien und Plasmaerosion, geeignet für raue Umgebungen.
6.Hohe Reinheit und Kontaminationsfreiheit️ Metallverunreinigungswerte < 1 ppm, die den Reinheitsstandards für Halbleiter entsprechen.
- Ich weiß.
• Halbleiterherstellung️ Wafer-Epitaxie (GaN/SiC), CVD-Reaktionskammerträger.
· LED-ProduktionUnterstützt Saphir-Substrate für einheitliches MOCVD-Wachstum.
· Leistungselektronik Hochtemperatur-Sinterträger für SiC/GaN-Leistungseinrichtungen.
· Erweiterte Verpackungen- Präzisionsplatzierung und Laserverarbeitung von Substraten.
Kategorie | Artikel 1 | Beschreibung |
Prozesskompatibilität | Hochtemperatur-Epitaxie | Kompatibel mit GaN/SiC-Epitaxialwachstum (> 1200°C) |
Plasmaumgebungen | Widerstandsfähig gegen RF/Mikrowellen-Plasma-Bombardierung für Ätzsysteme | |
Schnelle Wärmeveränderung | Ausgezeichnete Wärmeschlagfestigkeit bei wiederholter Heizung/Kühlung | |
Materialarten | Reaktionsgebundenes SiC (RBSiC) | Kostenwirksam für industrielle Anwendungen |
Chemische Dampfdeposition SiC (CVD-SiC) | mit einer Reinheit von > 99,9995% für Halbleiterverfahren | |
Warmgepresstes SiC (HPSiC) | Hohe Dichte (> 3,15 g/cm3) für schwere Waferlasten | |
Kernfunktionen | Waferbehandlung und Befestigung | Bei hohen Temperaturen schlippt die Wafer nicht ab |
Thermische Einheitlichkeit | Optimiert die Temperaturverteilung für das epitaxiale Wachstum | |
Graphit Alternative | Elimination von Oxidations- und Partikelverunreinigungsrisiken |
ZMSH bietet umfassende End-to-End-Lösungen für SiC-Trägerplatten mit maßgeschneiderten Abmessungen, Blendenmustern,und Oberflächenbehandlungen einschließlich Spiegelpolieren und speziellen Beschichtungen, Präzisionsfertigung unter Verwendung von CVD/RBSiC-Verfahren, die eine strenge Chargenkonsistenz innerhalb von ±0,05 mm Toleranzen beibehalten, strenge Qualitätskontrollprotokolle,Beschleunigte Lieferung des Prototyps mit 72-Stunden-Auflösung, und weltweiter technischer Support mit 24/7 Reaktionsfähigkeit, um sicherzustellen, dass Kunden hochleistungsfähige Produkte mit außergewöhnlicher Einheitlichkeit und Zuverlässigkeit für ihre kritischen Anwendungen erhalten.
1F: Welche Temperatur ist für SiC-Trägerplatten maximal zulässig?
A: SiC-Trägerplatten halten einem Dauerbetrieb bis zu 1650°C stand, ideal für das epitaxiale Wachstum von Halbleitern und die Hochtemperaturverarbeitung.
2. F: Warum SiC anstelle von Graphit für Waferträger verwenden?
A: SiC bietet keine Partikelproduktion, eine 10-mal längere Lebensdauer und eine bessere Plasmabeständigkeit als Graphitträger.
Tag: #SiC Trägerplatte, #SiC Beschichtet, #SiC Tray, #Hochreine SiC, #Hochreine Siliziumkarbid, #Custom, #Wafer Handling und Transfer