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Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: ZMSH

Zertifizierung: rohs

Modellnummer: SiC-Trägerplatte

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Preis: by case

Lieferzeit: 2-4weeks

Zahlungsbedingungen: T/T

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Hervorheben:

Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte

,

Übertragung SiC-beschichtete Trägerplatte

,

SiC-beschichtete Trägerplatte für die Waferbehandlung

Dichte:
3.21 g/cc
Spezifische Wärme:
0.66 J/g °K
Bruchfestigkeit:
2.94 MPa m1/2
Härte:
2800
Korngröße:
2 - 10 μm
Anwendungen:
Herstellung von Halbleitern, LED-Produktion
Dichte:
3.21 g/cc
Spezifische Wärme:
0.66 J/g °K
Bruchfestigkeit:
2.94 MPa m1/2
Härte:
2800
Korngröße:
2 - 10 μm
Anwendungen:
Herstellung von Halbleitern, LED-Produktion
Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung

 

Zusammenfassung der SiC-Trägerplatte

 

Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung

 

 

Die SiC-Trägerplatte (Silicon Carbide Carrier Plate) ist eine leistungsstarke keramische Komponente, die in fortschrittlichen Fertigungsbereichen wie Halbleitern, LEDs und Leistungselektronik weit verbreitet ist.Bekannt für seine außergewöhnliche WärmebeständigkeitZMSH bietet kundenspezifische SiC-Trägerplattenlösungen, die sich aus der Herstellung von SiC-Trägerplatten ergeben.einschließlich der Konstruktion, Herstellung, Prüfung und Nachverkaufsunterstützung, um eine optimale Leistung und Zuverlässigkeit für Wafer-Handling, epitaxial Wachstum und andere kritische Anwendungen zu gewährleisten.

 

 


 

Technische Spezifikation:

 

 

Eigentum Wert Methode
Dichte 3.21 g/cc Sinkfloat und Abmessungen
Spezifische Wärme 0.66 J/g °K Impulsierter Laserblitz
Beugfestigkeit 450 MPa560 MPa 4 Punkte biegen, RT4 Punkte biegen, 1300°
Bruchfestigkeit 2.94 MPa m1/2 Mikroabdrücke
Härte 2800 Vicker's, 500 Gramm Ladung
Elastischer ModulJunges Modul 450 GPa430 GPa 4 pt Biegung, RT4 pt Biegung, 1300 °C
Korngröße 2 ¢ 10 μm SEM

 

 


 

Hauptmerkmale derSiC-Trägerplatte

Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung 0

 

1.Widerstandsfähigkeit gegen extrem hohe Temperaturen- Stabiler Betrieb bis 1650°C, ideal für CVD, MOCVD und andere Hochtemperaturprozesse.

 

2.Überlegene thermische SteuerungDie Wärmeleitfähigkeit von 120-200 W/m·K sorgt für eine schnelle Wärmeableitung und minimiert die thermische Belastung.

 

3.Niedrige thermische Expansion(4.3×10−6/K) Aussergewöhnliche Dimensionsstabilität bei hohen Temperaturen, verhindert Fehlausrichtung oder Rissbildung der Wafer.

 

4.Hohe Härte und Verschleißfestigkeit️ Mohs-Härte von 9.2, weit über Quarz und Graphit hinaus, verlängert die Lebensdauer.

 

5.Chemische Trägheit¢ Beständig gegen Säuren, Alkalien und Plasmaerosion, geeignet für raue Umgebungen.

 

6.Hohe Reinheit und Kontaminationsfreiheit️ Metallverunreinigungswerte < 1 ppm, die den Reinheitsstandards für Halbleiter entsprechen.

 

 


 

Hauptanwendungen vonSiC-Trägerplatte

- Ich weiß.

• Halbleiterherstellung️ Wafer-Epitaxie (GaN/SiC), CVD-Reaktionskammerträger.

 

· LED-ProduktionUnterstützt Saphir-Substrate für einheitliches MOCVD-Wachstum.

 

· Leistungselektronik Hochtemperatur-Sinterträger für SiC/GaN-Leistungseinrichtungen.

 

· Erweiterte Verpackungen- Präzisionsplatzierung und Laserverarbeitung von Substraten.

 

 


 

Prozesskompatibilität, Materialien und Anwendungen

 
 
Kategorie Artikel 1 Beschreibung
Prozesskompatibilität Hochtemperatur-Epitaxie Kompatibel mit GaN/SiC-Epitaxialwachstum (> 1200°C)
Plasmaumgebungen Widerstandsfähig gegen RF/Mikrowellen-Plasma-Bombardierung für Ätzsysteme
Schnelle Wärmeveränderung Ausgezeichnete Wärmeschlagfestigkeit bei wiederholter Heizung/Kühlung
Materialarten Reaktionsgebundenes SiC (RBSiC) Kostenwirksam für industrielle Anwendungen
Chemische Dampfdeposition SiC (CVD-SiC) mit einer Reinheit von > 99,9995% für Halbleiterverfahren
Warmgepresstes SiC (HPSiC) Hohe Dichte (> 3,15 g/cm3) für schwere Waferlasten
Kernfunktionen Waferbehandlung und Befestigung Bei hohen Temperaturen schlippt die Wafer nicht ab
Thermische Einheitlichkeit Optimiert die Temperaturverteilung für das epitaxiale Wachstum
Graphit Alternative Elimination von Oxidations- und Partikelverunreinigungsrisiken

 

 


 

Produktbilder vonSiC-Trägerplatte

 

ZMSH bietet umfassende End-to-End-Lösungen für SiC-Trägerplatten mit maßgeschneiderten Abmessungen, Blendenmustern,und Oberflächenbehandlungen einschließlich Spiegelpolieren und speziellen Beschichtungen, Präzisionsfertigung unter Verwendung von CVD/RBSiC-Verfahren, die eine strenge Chargenkonsistenz innerhalb von ±0,05 mm Toleranzen beibehalten, strenge Qualitätskontrollprotokolle,Beschleunigte Lieferung des Prototyps mit 72-Stunden-Auflösung, und weltweiter technischer Support mit 24/7 Reaktionsfähigkeit, um sicherzustellen, dass Kunden hochleistungsfähige Produkte mit außergewöhnlicher Einheitlichkeit und Zuverlässigkeit für ihre kritischen Anwendungen erhalten.

 

 

 

Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung 1Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung 2

 

 


 

Fragen und Antworten

 

 

1F: Welche Temperatur ist für SiC-Trägerplatten maximal zulässig?
A: SiC-Trägerplatten halten einem Dauerbetrieb bis zu 1650°C stand, ideal für das epitaxiale Wachstum von Halbleitern und die Hochtemperaturverarbeitung.

 

 

2. F: Warum SiC anstelle von Graphit für Waferträger verwenden?
A: SiC bietet keine Partikelproduktion, eine 10-mal längere Lebensdauer und eine bessere Plasmabeständigkeit als Graphitträger.

 

 


Tag: #SiC Trägerplatte, #SiC Beschichtet, #SiC Tray, #Hochreine SiC, #Hochreine Siliziumkarbid, #Custom, #Wafer Handling und Transfer