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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[gan substrate ]

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162

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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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N-artige/UNO-lackierte Art GaAs-Oblaten GaSb 2inch InAs Wafers

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Durchmesser 200mm synthetische Sapphire Wafer BF33 für GaAs-Halbleiter-Trägerplatte

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6 Zoll Sapphire Wafer BF33 für GaAs-Halbleiter-Trägerplatte

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6 Zoll Saphir Wafer DSP Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Für Stromelektronik

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Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement

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kundengebundene Oblatenchips der Größe 4h-n 6h-semi der Größe 5x5 10x10mm sic

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4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 4H-SiCOI-Wafer Komposit SiC auf Isolatorsubstraten

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Kundengebundene Größen-Quadrat-sic Chip-niedrige Gitter-Fehlanpassung mit hoch thermischem

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2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

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Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

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HPSI SiC Wafer 2-12 Zoll optischer Grad für AI/AR-Brille

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4'' 200nm AlScN auf Siliziumwafern SSP DSP Epitaxialsubstrate für LED-Geräte

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Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic

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Doppelte Seiten-Poliersaphir-Wafer, Stärke des Saphir-Substrat-2 des Zoll-0.43mm

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4 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2o3 Wafer 9,0 mAh Transparent Ssp C-Achse

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5 hohes Material des Zoll-Durchmessers 125mm Saphir-Substrat-9,0 der Härte-99,999% Al2O3

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​​Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm​​

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