Produkt-Details
Herkunftsort: CHINA
Markenname: zmsh
Zertifizierung: ISO9001
Modellnummer: transparentes farbloses
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Min Bestellmenge: 10pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: durch kundengebundenen Fall
Lieferzeit: 30days innen
Zahlungsbedingungen: T/T, T/T
Industrie: |
Halbleitersubstrat |
Materialien: |
sic Kristall |
Anwendung: |
Samenoblaten |
Art: |
4H-N oder hoher Reinheitsgrad UNO-lackiertes 4h-semi |
Farbe: |
Weiß |
Hardeness: |
9,4 oben |
Grad: |
Optischer Grad |
Größe: |
Kann besonders angefertigt werden |
Wärmeleitfähigkeit: |
4.9w/cm.k |
Industrie: |
Halbleitersubstrat |
Materialien: |
sic Kristall |
Anwendung: |
Samenoblaten |
Art: |
4H-N oder hoher Reinheitsgrad UNO-lackiertes 4h-semi |
Farbe: |
Weiß |
Hardeness: |
9,4 oben |
Grad: |
Optischer Grad |
Größe: |
Kann besonders angefertigt werden |
Wärmeleitfähigkeit: |
4.9w/cm.k |
Produktion 6inch Haupt-Stärke SIC-Kristallsilikon-Karbidsamen Oblaten-0.6mm für sic Wachstum
undoped oder transparente farblose der sic optischen Linse Oblate des hohen Reinheitsgrades für Lichtquelle Quantum
wir können zur Verfügung stellen Oblate des einzelnen Kristalles der hohen Qualität sic (Silikon-Karbid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie. Sic ist Oblate ein Halbleitermaterial der nächsten Generation, mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften und die ausgezeichneten thermischen Eigenschaften, verglichen mit Siliziumscheibe und GaAs-Oblate, sic Oblate ist für Gerätanwendung der hohen Temperatur und der hohen Leistung passender. Sic kann Oblate im Durchmesser 2 -6inch sic geliefert werden, 4H und 6H, N-artiges, der Stickstoff, der lackiert werden, und die halb-isolierende verfügbare Art. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.
Anwendung 1.material und advantagement
Anwendungen:
• GaN-Epitaxiegerät
• Optoelektronisches Gerät
• Hochfrequenzgerät
• Gerät der hohen Leistung
• Gerät der hohen Temperatur
• Lichtemittierende Dioden
• Niedrige Gitterfehlanpassung
• Hohe Wärmeleitfähigkeit
• Leistungsaufnahme der geringen Energie
• Ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften
• Hohe Bandlücke
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SILIKON-KARBID-MATERIALEIGENSCHAFTEN
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Polytype
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Einzelner Kristall 4H
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Einzelner Kristall 6H
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Gitter-Parameter
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a=3.076 Å
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a=3.073 Å
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c=10.053 Å
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c=15.117 Å
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Stapeln von Reihenfolge
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ABCB
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ABCACB
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Bandlücke
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eV 3,26
|
eV 3,03
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Dichte
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3,21 · 103 kg/m3
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3,21 · 103 kg/m3
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Therm. Expansions-Koeffizient
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4-5×10-6/K
|
4-5×10-6/K
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Brechungs-Index
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keine = 2,719
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keine = 2,707
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Ne = 2,777
|
Ne = 2,755
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Dielektrizitätskonstante
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9,6
|
9,66
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Wärmeleitfähigkeit
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490 W/mK
|
490 W/mK
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Zusammenbruch-elektrisches Feld
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2 – 4 · 108 V/m
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2 – 4 · 108 V/m
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Sättigungs-Driftgeschwindigkeit
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2,0 · 105 m/s
|
2,0 · 105 m/s
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Elektronenbeweglichkeit
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800 cm2/V·S
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400 cm2/V·S
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Löcherbeweglichkeit
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115 cm2/V·S
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90 cm2/V·S
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Mohs-Härte
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~9
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FAQ:
Q: Was ist Ihr MOQ und Lieferfrist?
: (1) für Inventar, ist das MOQ 3pcs. wenn 5-10pcs es in 10-30days besser ist
(2) für 6inch fertigte Produkte, das MOQ ist 10pcs oben in 30-50days besonders an
Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?
: (1) nehmen wir DHL, Fedex, EMS etc. an.
(2) ist es fein, wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, wenn nicht, wir Ihnen helfen könnten, sie zu versenden und zu befördern mit der tatsächlichen Regelung übereinstimmt.
Q: Wie man zahlt?
: T/T, 100%
Q: Haben Sie Standardprodukte?
: es gibt nicht 6inch unsere Standardprodukte auf Lager.
aber wie wie Stärke 2sp der Substrate 4inch 0.33mm haben Sie einiges auf Lager
