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kaufen Saphirheber Saphirstangen Präzisionsfertigung Industrieanwendungen Waferbehandlung Online Hersteller

Saphirheber Saphirstangen Präzisionsfertigung Industrieanwendungen Waferbehandlung
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2025-05-07 09:55:29
kaufen 2 "Saphirwafer, abseits der C-Achse in Richtung A-Ebene 2°, 430 μm Dicke, DSP/SSP Online Hersteller

2 "Saphirwafer, abseits der C-Achse in Richtung A-Ebene 2°, 430 μm Dicke, DSP/SSP
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2025-06-17 15:09:52
kaufen Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung Online Hersteller

Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung
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2025-05-26 11:36:35
kaufen InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphid Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer für intelligente Sensorik Online Hersteller

InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphid Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer für intelligente Sensorik
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2024-09-10 15:33:01
kaufen Mikrofluidische Laserausrüstung für die Verarbeitung von Halbleiterwafern Online Hersteller

Mikrofluidische Laserausrüstung für die Verarbeitung von Halbleiterwafern
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2025-04-14 17:40:13
kaufen Waferverdünnungssystem Präzisionsverdünnungsgeräte SiC Si Wafer kompatibel 4 -12 Zoll Waferkapazität Online Hersteller

Waferverdünnungssystem Präzisionsverdünnungsgeräte SiC Si Wafer kompatibel 4 -12 Zoll Waferkapazität
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2025-04-18 13:20:28
kaufen 4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade Online Hersteller

4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade
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2025-07-01 13:16:40
kaufen Diamantdraht-Ein- oder Mehrfachdrahtsäge für die Verarbeitung von Halbleiterwafern Online Hersteller

Diamantdraht-Ein- oder Mehrfachdrahtsäge für die Verarbeitung von Halbleiterwafern
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2025-07-28 15:29:25
kaufen Al₂O₃ Saphir Wafer, Abweichung von der C-Achse zur M-Ebene 8°, Durchmesser: 2" – 8", Kundenspezifische Dicke Online Hersteller

Al₂O₃ Saphir Wafer, Abweichung von der C-Achse zur M-Ebene 8°, Durchmesser: 2" – 8", Kundenspezifische Dicke
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2025-06-17 15:06:02
kaufen Saphir-Wafer abseits der C-Achse in Richtung M-Ebene 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" Online Hersteller

Saphir-Wafer abseits der C-Achse in Richtung M-Ebene 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8"
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2025-06-17 15:07:04
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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