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υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου

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kaufen FP Epiwafer InP Substrat Kontaktschicht InGaAsP Dia 2 3 4 Zoll für OCT 1,3um Wellenlänge Band Online Hersteller

FP Epiwafer InP Substrat Kontaktschicht InGaAsP Dia 2 3 4 Zoll für OCT 1,3um Wellenlänge Band
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2024-09-10 15:33:00

kaufen InP FP Epiwafer InP-Substrat n/p Typ 2 3 4 Zoll mit einer Dicke von 350-650um für optische Netze Online Hersteller

InP FP Epiwafer InP-Substrat n/p Typ 2 3 4 Zoll mit einer Dicke von 350-650um für optische Netze
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2024-09-10 15:33:00

kaufen Saphir-Lifthilfspin Waferübertragung Saphir-Lifthilfstab Wafer-Lifthilfspin aus Al2O3 Online Hersteller

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kaufen InAs Wafer Doped Zn 2 Zoll Indium-Arsenid Wafer Dia 50mm Dicke 500um <100> angepasst Online Hersteller

InAs Wafer Doped Zn 2 Zoll Indium-Arsenid Wafer Dia 50mm Dicke 500um <100> angepasst
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kaufen DFB Epiwafer InP Substrat MOCVD Methode 2 4 6 Zoll Betriebswellenlänge 1,3 μm, 1,55 μm Online Hersteller

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2024-09-10 15:33:00

kaufen DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor Online Hersteller

DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor
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2024-09-10 15:33:00

kaufen N-GaAs Substrat VCSEL Epiwafer 6 Zoll GaAs Orientierung 100 111 Wellenlänge 940nm für Gigabit Ethernet Online Hersteller

N-GaAs Substrat VCSEL Epiwafer 6 Zoll GaAs Orientierung 100 111 Wellenlänge 940nm für Gigabit Ethernet
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kaufen N-GaAs Substrat VCSEL Epiwafer 6 Zoll Gallium-Arsenid-Wafer 2 Zoll < 100> < 110> Für optoelektronische Geräte Online Hersteller

N-GaAs Substrat VCSEL Epiwafer 6 Zoll Gallium-Arsenid-Wafer 2 Zoll < 100> < 110> Für optoelektronische Geräte
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kaufen GaAs-Laser-Epitaxialwafer Gallium-Arsenid-Wafer VCSEL/PD-Expitaxialwafer für intelligente Sensorik Online Hersteller

GaAs-Laser-Epitaxialwafer Gallium-Arsenid-Wafer VCSEL/PD-Expitaxialwafer für intelligente Sensorik
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kaufen Hochleistungs-System-Saphir zerteilt optischen Kristallzylinder für Lichtleiter Online Hersteller

Hochleistungs-System-Saphir zerteilt optischen Kristallzylinder für Lichtleiter
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2024-09-06 16:38:40

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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

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