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2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: zmkj

Modellnummer: GaN-Schablonen

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Min Bestellmenge: 5pc

Preis: by case

Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden

Lieferzeit: 2-4 Wochen

Zahlungsbedingungen: L / C, T / T

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:

gan Substrat

,

gan Schablone

Material:
GaN-epi auf Saphirfördermaschine
Methode:
HVPE
Größe:
2inch
Stärke:
430um
Industrie:
LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor,
Oberfläche:
Simplex poliert
Material:
GaN-epi auf Saphirfördermaschine
Methode:
HVPE
Größe:
2inch
Stärke:
430um
Industrie:
LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor,
Oberfläche:
Simplex poliert
2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN,

GaN-Spezifikationen/spezielle Eigenschaften:

  1. Galliumnitrid (GaN) ist ein sehr hartes gemachtes Material, das einen Wurtzit Kristallstruktur hat und ist vermutlich das wichtigste Halbleitermaterial als das Material der dritten Generation halb.
  2. Es kann verwendet werden, um glänzendes Licht in Form von lichtemittierenden Dioden (LED) und Laserdioden auszustrahlen, sowie das Schlüsselmaterial für Hochfrequenz der nächsten Generation, die Transistoren der hohen Leistung zu sein, die zu bei hohen Temperaturen funktionieren fähig sind.
  3. GaN basierte Epitaxial- Wafer (Saphir, sic), das Epitaxial- Wafers durch MBE- oder MOCVD-Methode gewachsen werden, eine Schicht oder mehrschichtige Strukturen auf Saphirsubstraten, Durchmesser bis 4 Zoll.

Verbotene Abdeckung der Bandbreite des III-Nitrids (GaN, AlN, Gasthaus) (lichtemittierend und Absorption) das ultraviolette,

sichtbares Licht und infrared.GaN können in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung verwendet werden

und Darstellung, Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt 0

Spezifikationen:

2" GaN-Schablonen

Einzelteil

GaN-T-N

GaN-T-S

Maße

Ф 2"

Stärke

15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40

30 μm, μm 90

Orientierung

C-Achse (0001) ± 1°

Leitungs-Art

N-artig

Halb-Isolieren

Widerstandskraft (300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

Versetzungsdichte

Kleiner als cm2 1x108

Substratstruktur


Starkes GaN auf Saphir 430um oder 330um (0001)

Verwendbare Fläche

> 90%

Polnisch

Standard: SSP-Wahl: DSP

Paket

Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten 25pcs oder einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

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