Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN,
Verbotene Abdeckung der Bandbreite des III-Nitrids (GaN, AlN, Gasthaus) (lichtemittierend und Absorption) das ultraviolette,
sichtbares Licht und infrared.GaN können in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung verwendet werden
und Darstellung, Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.
Spezifikationen:
2" GaN-Schablonen
Einzelteil |
GaN-T-N |
GaN-T-S |
Maße |
Ф 2" |
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Stärke |
15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40 |
30 μm, μm 90 |
Orientierung |
C-Achse (0001) ± 1° |
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Leitungs-Art |
N-artig |
Halb-Isolieren |
Widerstandskraft (300K) |
< 0="">Ω·cm |
>106 Ω·cm |
Versetzungsdichte |
Kleiner als cm2 1x108 |
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Substratstruktur |
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Verwendbare Fläche |
> 90% |
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Polnisch |
Standard: SSP-Wahl: DSP |
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Paket |
Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten 25pcs oder einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre. |
- FAQ –
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