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Al₂O₃ Saphir Wafer, Abweichung von der C-Achse zur M-Ebene 8°, Durchmesser: 2" – 8", Kundenspezifische Dicke

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12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik

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Sapphire Maßgeschneiderter Sapphire View Windows Optisches Glas hohe Härte

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Polsterte Saphirröhre Einkristall Al2O3 Optikkomponente

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Anpassungsfähiger 40 mm/42 mm runder Saphir-Uhrkasten in Magenta

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6' 8' Ultradick SiO2 Einzelkristall 10um 20um 25um Trockene nasse Oxidschicht 0,1 μm 25 μm

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Si3Nx-Beschichtungs-Oblate mit Widerstandskraft 1 - 10ohm keine Defekte

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3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation

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2 Zoll Quarz Glas Wafer DSP SSP Durchmesser 50,8 mm

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Einzelne Kristallglas-Linse, Materialien Al2O3 der Saphir-Linsen-99,999% mit Loch

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Einzelner Kristall-Material des optisches schützendes Fenster-synthetisches Rubin-Al2O3

EINFüHRUNG DES UNTERNEHMENS

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

BERÜHMTER HANDEL Co., Ltd. SHANGHAIS findet in der Stadt von Shanghai, das die beste Stadt von China ist, und unsere Fabrik wird in Wuxi-Stadt im Jahre 2014 gegründet. Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu custiomized optischem Glas parts.components zu verarbeiten, die in der Elektronik, in der Optik, in der Optoelektronik und in vieler anderer Felder weit verbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und ...

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Unternehmensnachrichten

2025/08/20

Schlüsselrohstoffe in der Halbleiterherstellung: Arten von Wafersubstraten

Wichtige Rohmaterialien in der Halbleiterfertigung: Arten von Wafer-Substraten Wafer-Substrate dienen als physische Träger von Halbleiterbauelementen, wobei ihre Materialeigenschaften die Bauelementleistung, die Kosten und den Anwendungsbereich direkt beeinflussen. Im Folgenden werden die wichtigsten Arten von Wafer-Substraten und ihre jeweiligen Vor- und Nachteile aufgeführt: 1. Silizium (Si) Marktanteil: Dominiert über 95 % des globalen Halbleitermarktes. Vorteile: Geringe Kosten: Reichlich vorhandene Rohstoffe (Siliziumdioxid) und ausgereifte Herstellungsprozesse ermöglichen erhebliche Skaleneffekte. Hohe Prozesskompatibilität: Ausgereifte CMOS-Technologie unterstützt die Nanobearbeitung (z. B. 3-nm-Knoten). Ausgezeichnete Kristallqualität: Fähigkeit zur Herstellung von großen (12-Zoll-Primär, 18-Zoll in Entwicklung) einkristallinen Kristallen mit geringen Defekten. Stabile mechanische Eigenschaften: Leicht zu schneiden, zu polieren und zu verarbeiten. Nachteile: Enge Bandlücke (1,12 eV): Hoher Leckstrom bei erhöhten Temperaturen, was die Effizienz in Leistungsbauelementen einschränkt. Indirekte Bandlücke: Extrem geringe Lichtemissionsausbeute, ungeeignet für optoelektronische Bauelemente (z. B. LEDs, Laser). Begrenzte Elektronenmobilität: Geringere Hochfrequenzleistung im Vergleich zu Verbindungshalbleitern. ZMSH's Siliziumwafer 2. Galliumarsenid (GaAs) Anwendungen: Hochfrequenz-HF-Bauelemente (5G/6G), optoelektronische Bauelemente (Laser, Solarzellen). Vorteile: Hohe Elektronenmobilität (5–6× die von Silizium): Ideal für Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzanwendungen (mmWave-Kommunikation). Direkte Bandlücke (1,42 eV): Effiziente photoelektrische Umwandlung, bildet die Grundlage für Infrarotlaser und LEDs. Thermische/Strahlungsbeständigkeit: Geeignet für Luft- und Raumfahrt und Hochtemperaturumgebungen. Nachteile: Hohe Kosten: Knappes Material mit komplexem Kristallwachstum (anfällig für Versetzungen); Wafergrößen sind klein (6-Zoll-Primär). Mechanische Sprödigkeit: Anfällig für Fragmentierung, was zu geringen Verarbeitungsausbeuten führt. Toxizität: Strenge Kontrolle für die Handhabung von Arsen erforderlich. ZMSH's GaAs-Wafer 3. Siliziumkarbid (SiC) Anwendungen: Hochtemperatur-/Hochspannungs-Leistungsbauelemente (EV-Wechselrichter, Ladesäulen), Luft- und Raumfahrt. Vorteile: Breite Bandlücke (3,26 eV): Hält hohen Spannungen stand (Durchbruchfeldstärke 10× die von Silizium) und arbeitet bei >200 °C. Hohe Wärmeleitfähigkeit (3× die von Silizium): Effiziente Wärmeableitung erhöht die Systemleistungsdichte. Geringe Schaltverluste: Verbessert den Wirkungsgrad der Leistungsumwandlung. Nachteile: Herausfordernde Substratvorbereitung: Langsames Kristallwachstum (>1 Woche) und schwierige Defektkontrolle (Mikrotuben, Versetzungen); kostet 5–10× mehr als Silizium. Kleine Wafergrößen: Mainstream 4–6 Zoll; 8-Zoll-Entwicklung läuft. Schwierige Verarbeitung: Hohe Härte (Mohs 9,5) macht das Schneiden und Polieren zeitaufwändig. ZMSH's SiC-Wafer 4. Galliumnitrid (GaN) Anwendungen: Hochfrequenz-Leistungsbauelemente (Schnellladegeräte, 5G-Basisstationen), blaue LEDs/Laser. Vorteile: Ultrahohe Elektronenmobilität + breite Bandlücke (3,4 eV): Kombiniert Hochfrequenz- (>100 GHz) und Hochspannungseigenschaften. Geringer Einschaltwiderstand: Reduziert den Stromverbrauch des Bauelements. Heterogene Epitaxie-Kompatibilität: Wird oft auf Silizium-, Saphir- oder SiC-Substraten gezüchtet, um die Kosten zu senken. Nachteile: Schwierigkeiten beim Kristallwachstum in großen Mengen: Mainstream basiert auf heterogener Epitaxie, mit gitterfehlanpassungsinduzierten Defekten. Hohe Kosten: Selbsttragende GaN-Substrate sind teuer (2-Zoll-Wafer können Tausende von Dollar kosten). Zuverlässigkeitsprobleme: Der aktuelle Kollapseffekt erfordert eine Optimierung. ZMSH's GaN-Wafer 5. Indiumphosphid (InP) Anwendungen: Hochgeschwindigkeits-Optoelektronik (Laser, Detektoren), Terahertz-Bauelemente. Vorteile: Ultrahohe Elektronenmobilität: Unterstützt >100 GHz Hochfrequenzbetrieb (überlegen gegenüber GaAs). Direkte Bandlücke mit Wellenlängenanpassung: Entscheidend für 1,3–1,55μm Glasfaserkommunikation. Nachteile: Sprödigkeit und hohe Kosten: Substratpreise sind über 100× höher als die von Silizium; Wafergrößen sind klein (4–6 Zoll). ZMSH's InP Wafer 6. Saphir (Al₂O₃) Anwendungen: LED-Beleuchtung (GaN-Epitaxiesubstrate), Abdeckungen für Unterhaltungselektronik. Vorteile: Geringe Kosten: Günstiger als SiC/GaN-Substrate. Chemische Stabilität: Korrosionsbeständig und isolierend. Transparenz: Geeignet für LEDs mit vertikaler Struktur. Nachteile: Gitterfehlanpassung mit GaN (>13 %): Benötigt Pufferschichten, um Epitaxiedefekte zu reduzieren. Geringe Wärmeleitfähigkeit (≈1/20 die von Silizium): Begrenzt die Leistung in Hochleistungs-LEDs. ZMSH's Saphir Wafer 7. Aluminiumoxid-/Keramiksubstrate (z. B. AlN, BeO) Anwendungen: Wärmeableitungssubstrate für Hochleistungsmodule. Vorteile: Isolierung + hohe Wärmeleitfähigkeit (AlN: 170–230 W/m·K): Ideal für hochdichte Verpackung. Nachteile: Nicht-Einkristall: Kann keine Bauelemente direkt züchten; wird ausschließlich als Verpackungssubstrate verwendet. ZMSH's Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 8. Spezialsubstrate SOI (Silicon on Insulator): Struktur: Silizium/Siliziumdioxid/Silizium-Sandwich. Vorteile: Reduziert parasitäre Kapazität, Strahlungshärte und Leckstrom (verwendet in HF, MEMS). Nachteile: 30–50 % höhere Kosten als Bulk-Silizium. Quarz (SiO₂): Wird in Fotomasken, MEMS verwendet; hitzebeständig, aber spröde. Diamant: Höchste Wärmeleitfähigkeit (>2000 W/m·K) in Entwicklung für extreme Wärmeableitung. ZMSH's SOI-Wafer,Quarz-Wafer,Diamant Substrat Zusammenfassende Vergleichstabelle Substrat Bandlückenenergie (eV) Elektronenmobilität (cm²/Vs) Wärmeleitfähigkeit (W/mK) Mainstream-Größe Kernanwendungen Kosten Si 1,12 1.500 150 12 Zoll Logik-/Speicherchips Am niedrigsten GaAs 1,42 8.500 55 4-6 Zoll HF-/Optoelektronische Bauelemente Hoch SiC 3,26 900 490 6 Zoll (F&E 8 Zoll) Leistungsbauelemente/Elektrofahrzeuge Extrem hoch GaN 3,4 2.000 130-170 4-6 Zoll (Heteroepitaxie) Schnellladen/HF/LED Hoch (Heteroepitaxie usw.) InP 1,35 5.400 70 4-6 Zoll Optische Kommunikation/Terahertz Extrem hoch Saphir 9,9 (Isolator) - 40 4-8 Zoll LED-Substrat Niedrig Schlüsselfaktoren für die Auswahl Leistungsanforderungen: Hochfrequenzanwendungen bevorzugen GaAs/InP; Hochspannungs-/Hochtemperaturanwendungen erfordern SiC; Optoelektronik bevorzugt GaAs/InP/GaN. Kosteneinschränkungen: Unterhaltungselektronik priorisiert Silizium; High-End-Bereiche akzeptieren Premium-Preise für SiC/GaN. Integrationskomplexität: Die Silizium-CMOS-Kompatibilität ist nach wie vor unübertroffen. Wärmemanagement: Hochleistungsbauelemente priorisieren SiC oder diamantbasiertes GaN. Lieferkettenreife: Silizium > Saphir > GaAs > SiC > GaN > InP. Zukünftige Trends Heterogene Integration (z. B. GaN auf Silizium, SiC auf GaN) wird Leistung und Kosten ausgleichen und Fortschritte in 5G, Elektrofahrzeugen und Quantencomputing vorantreiben. ZMSH's Dienstleistungen Als integrierter Hersteller und Händler von umfassenden Dienstleistungen für Halbleitermaterialien bieten wir Full-Chain-Produkt-Supply-Chain-Lösungen – von Wafer-Substraten (Si/GaAs/SiC/GaN usw.) bis hin zu Fotoresists und CMP-Poliermaterialien. Durch die Nutzung selbst entwickelter Produktionsstandorte und eines globalisierten Supply-Chain-Netzwerks kombinieren wir schnelle Reaktionsfähigkeiten mit professioneller technischer Unterstützung, um Kunden in die Lage zu versetzen, einen stabilen Supply-Chain-Betrieb und technologische Innovationen mit Win-Win-Ergebnissen zu erzielen.

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2025/08/13

Großformat-Laser-Schnittgeräte: Kerntechnologie für die zukünftige Produktion von 8-Zoll-SiC-Wafern

Großformat-Laser-Dicing-Ausrüstung: Kerntechnologie für die zukünftige 8-Zoll-SiC-Wafer-Produktion Siliziumkarbid (SiC) stellt nicht nur eine kritische Technologie für die nationale Verteidigungssicherheit dar, sondern ist auch ein Schwerpunkt für die globale Automobil- und Energieindustrie. Als erster Verarbeitungsschritt für SiC-Einkristallmaterialien bestimmt die Qualität des Wafer-Dicing grundlegend die nachfolgende Dünnung und Polierleistung. Konventionelle Schneideverfahren neigen dazu, Oberflächen-/Untergrundrisse zu erzeugen, was die Bruchraten und die Herstellungskosten erhöht. Daher ist die Kontrolle von Oberflächenrissbeschädigungen entscheidend für die Weiterentwicklung der SiC-Bauelementefertigungstechnologie. ZMSHs Wafer-Dünnungsgeräte Das aktuelle SiC-Ingot-Dicing steht vor zwei großen Herausforderungen: Hohe Materialverlustrate beim traditionellen Mehrdrahtsägen.Aufgrund der extremen Härte und Sprödigkeit von SiC treten bei Schneid-/Schleif-/Polierprozessen erhebliche Verformungs- und Rissbildungsprobleme auf. Daten von Infineon zeigen, dass das traditionelle Diamantdrahtsägen während des Schneidens nur eine Materialausnutzung von 50 % erreicht, wobei die Gesamtverluste nach dem Polieren 75 % (≈250 µm pro Wafer) erreichen. Lange Verarbeitungszyklen und geringer Durchsatz.Internationale Produktionsstatistiken zeigen, dass 10.000 Wafer ≈273 Tage Dauerbetrieb erfordern. Um die Marktnachfrage zu befriedigen, sind massive Drahtsägeneinsätze erforderlich, die jedoch mit hoher Oberflächenrauheit und starker Umweltverschmutzung (Schlammabfall, Abwasser) einhergehen. Um diese Herausforderungen zu bewältigen, hat das Team von Prof. Xiangqian Xiu an der Universität Nanjing eine Großformat-Laser-Dicing-Ausrüstung entwickelt, die den Materialverlust deutlich reduziert und die Produktivität verbessert. Für einen 20 mm SiC-Ingot verdoppelt die Lasertechnologie die Ausbeute im Vergleich zum Drahtsägen. Darüber hinaus weisen lasergeschnittene Wafer überlegene geometrische Eigenschaften auf, die eine Dicke von 200 µm ermöglichen, um die Ausbeute weiter zu erhöhen. Die Wettbewerbsvorteile dieses Projekts umfassen: Abgeschlossene Prototypentwicklung für das Dicing/die Dünnung von 4-6" semi-isolierenden SiC-Wafern Erfolgreiches Schneiden von 6" leitfähigen SiC-Ingots Laufende 8" Ingot-Dicing-Verifizierung Bietet 50 % kürzere Verarbeitungszeit, höheren jährlichen Durchsatz und

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