Qualität Gallium-Nitrid-Oblate & Saphir-Oblate fabricant

Grundstruktur der auf GaN basierenden LED-Epitaxialschichten 01 Einführung Die Struktur der epitaxialen Schicht von Galliumnitrid (GaN) -basierten LEDs ist der wesentliche Faktor für die Leistungsfähigkeit des Geräts und erfordert eine sorgfältige Berücksichtigung der Materialqualität, der Einspritzeffizienz des Trägers,Lumi­neszenteffizienzMit dem wachsenden Marktbedarf an höherer Effizienz, Ausbeute und Durchsatz steigt die epitaxielle Technologie weiter.Während die Mainstream-Hersteller ähnliche Grundstrukturen annehmenDie wichtigsten Unterscheidungsmerkmale liegen in nuancierten Optimierungen, die die F&E-Fähigkeiten widerspiegeln.       02 Überblick über die Epitaxialstruktur Die epitaxialen Schichten, die aufeinanderfolgend auf dem Substrat angebaut werden, umfassen typischerweise: 1. Pufferschicht 2. Nicht doppierte GaN-Schicht ((Optional n-Typ AlGaN-Schicht) 3. N-Typ-GaN-Schicht 4. leicht doppierte GaN-Schicht des n-Types 5. Spannungsentlastungsschicht 6Mehrfache Quantengrube (MQW) Schicht 7. AlGaN-Elektronsperrungsschicht (EBL) 8. Niedertemperatur-GaN-Schicht p-Typ 9. Hochtemperatur-GaN-Schicht p-Typ 10- Oberflächenkontaktschicht       Gemeinsame GaN-LED-Epitaxialstrukturen       Detaillierte Schichtfunktionen   1)Puffer-Schicht Bei 500°C mit binären (GaN/AlN) oder ternären (AlGaN) Materialien angebaut. Zweck: Verringert die Gitterunterstimmung zwischen Substrat (z. B. Saphir) und Epilagern, um Defekte zu reduzieren. Branchenentwicklung: Die meisten Hersteller legen AlN nun vor dem MOCVD-Wachstum über PVD-Sputtering ein, um den Durchsatz zu erhöhen.   2)Undoped GaN Schicht Zwei-Stufen-Wachstum: Erste 3D-GaN-Inseln, gefolgt von hochtemperaturer 2D-GaN-Planarisierung. Ergebnis: Erzeugt atomisch glatte Oberflächen für nachfolgende Schichten.   3)N-Typ-GaN-Schicht Si-Doped (8×10182×1019 cm−3) für die Elektronenversorgung. Fortgeschrittene Option: Einige Designs setzen eine n-AlGaN-Zwischenschicht ein, um Schrägungen zu filtern.             4)Leicht doppierte n-GaN-Schicht Eine niedrigere Dopingbelastung (1×1018 ∆2×1018 cm−3) erzeugt eine Stromverbreitungsregion mit hohem Widerstand. Vorteile: Verbessert die Spannungseigenschaften und die Einheitlichkeit der Lumineszenz.   5)Spannungsentlastungsschicht InGaN-basierte Übergangsschicht mit eingestufter In-Zusammensetzung (zwischen GaN- und MQW-Niveaus). Konstruktionsvarianten: Supergitter oder Strukturen mit flachen Brunnen, die sich allmählich an die Gitterbelastung anpassen.   6)MQW (multiple Quantum Well)   InGaN/GaN-Periodenstapel (z. B. 5 ̊15 Paare) für die strahlende Rekombination. Optimierung: Si-doppierte GaN-Schranken reduzieren die Betriebsspannung und erhöhen die Helligkeit. jüngste Unternehmensnachrichten über die Grundstruktur von GaN-basierten LED-Epitaxialschichten 2   7)AlGaN-Elektronenblockenschicht (EBL) Hochbandbarriere, um Elektronen innerhalb von MQWs einzusperren und die Effizienz der Rekombination zu steigern.             8)Low-Temp-P-GaN-Schicht Mg-doppierte Schicht, die leicht über der MQW-Temperatur gewachsen ist: Verstärkung der Lochinspritzung Schutz der MQW vor späteren Schäden durch hohe Temperaturen   9)Hochtemperatur-p-GaN-Schicht bei ~ 950 °C bis zu: Versorgungslöcher Planarisierte V-Gruben, die sich aus MQWs vermehren Verringerung von Leckströmen   10) Oberflächenkontaktschicht Gewaltig Mg-doppiertes GaN für ohmische Kontaktbildung mit Metallelektroden, die Betriebsspannung minimiert.   03 Schlussfolgerung Die GaN-LED-Epitaxialstruktur veranschaulicht die Synergie zwischen Materialwissenschaft und Gerätephysik, wobei jede Schicht die elektrooptische Leistung kritisch beeinflusst.Die künftigen Fortschritte werden sich auf die Fehlertechnik konzentrieren., Polarisierungsmanagement und neuartige Dopingtechniken, um die Grenzen der Effizienz zu überschreiten und neue Anwendungen zu ermöglichen.     Als Pionier in der LED-Epitaxialtechnologie für Galliumnitrid (GaN) hat ZMSH fortschrittliche GaN-on-Saphir- und GaN-on-SiC-Epitaxiallösungen entwickelt. leveraging proprietary MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) systems and precision thermal management to deliver high-performance LED wafers with defect densities below 10⁶ cm⁻² and uniform thickness control within ±1.5%. Unsere individuell angepassten Substrate, einschließlich GaN-on-Saphir, blauem Saphir, Siliziumkarbid und Metallverbundsubstraten, ermöglichen maßgeschneiderte Lösungen für ultra-höhhellige LEDs, Mikro-LED-Displays,Durch die Integration von KI-gesteuerter Prozessoptimierung und ultraschnellem Pulslaserbrennen erreichen wir eine Wellenlängenverschiebung von 95%.Unterstützung durch Zertifizierungen für die Automobilindustrie (AEC-Q101) und Skalierbarkeit der Massenproduktion für 5G-Hintergrundbeleuchtung, AR/VR-Optik und industrielle IoT-Geräte.     Folgendes ist GaN-Substrat & Sapphire-Wafer von ZMSH:             * Bitte kontaktieren Sie uns bei Fragen zum Urheberrecht, und wir werden sie unverzüglich beantworten.            

Die "Kernfestigkeit" von Halbleitergeräten - Siliziumkarbidkomponenten       Siliziumkarbid (SiC) ist ein hervorragendes keramisches Strukturmaterial.Eigenschaften wie hohe Dichte besitzen, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Biegefestigkeit und großer elastischer Modul.Sie können sich an die rauen Reaktionsumgebungen von starker Korrosivität und ultrahohen Temperaturen in Herstellungsprozessen wie Wafer-Epitaxie anpassen.Daher werden sie in der Haupt-Halbleiter-Ausrüstung, wie z. B. in der epitaxialen Wachstumsausrüstung, in der Ätzer-Ausrüstung, in der Oxidations-/Diffusions-/Riegel-Ausrüstung usw., weit verbreitet.   Laut Kristallstruktur hat Siliziumkarbid viele Kristallformen. Derzeit sind die häufigsten Arten von SiC hauptsächlich 3C, 4H und 6H. Verschiedene Kristallformen von SiC haben unterschiedliche Anwendungen.Unter ihnen, 3C-SiC wird auch üblicherweise als β-SiC bezeichnet. Eine wichtige Anwendung von β-SiC ist als Film- und Beschichtungsmaterial.             Nach dem Zubereitungsverfahren können Siliziumcarbidkomponenten in chemisches Dampfdepositionsilikoncarbid (CVD SiC), Reaktionssintersilikoncarbid,mit einem Gehalt an Kohlenwasserstoffen von mehr als 10 GHT, atmosphärisches Sintern von Siliziumcarbid, Warmpressen von Siliziumcarbid und isostatisches Sintern von Siliziumcarbid usw.             Unter den verschiedenen Methoden zur Herstellung von Siliziumkarbidmaterialien erzeugt das chemische Dampfdeponierungsverfahren Produkte mit hoher Einheitlichkeit und Reinheit.und diese Methode hat auch eine starke ProzesssteuerbarkeitCVD-Siliziumkarbidmaterialien sind aufgrund ihrer einzigartigen Kombination aus hervorragenden thermischen, elektrischen und chemischen Eigenschaften besonders geeignet für den Einsatz in der Halbleiterindustrie.       Die Marktgröße von Siliziumkarbid-Komponenten   01CVD-Siliziumkarbidkomponenten   CVD-Siliziumkarbidkomponenten werden u. a. in Ätzergeräten, MOCVD-Geräten, SiC-Epitaxialgeräten und schnellen Wärmebehandlungsgeräten weit verbreitet.   Ausrüstung zum Ätzen:Das größte Marktsegment für CVD-Siliziumcarbid-Komponenten ist die Ätzeranlage..Aufgrund der geringen Reaktivität und Leitfähigkeit von CVD Siliziumcarbid gegenüber chlor- und fluorhaltigen Ätzgasenes ist ein ideales Material für Komponenten wie Fokusringe in Plasma-Etschmaschinen.       Silikonkarbid-Fokusring       Graphitbasisbeschichtung:Die chemische Niederdruckdampfdeposition (CVD) ist derzeit das effektivste Verfahren zur Herstellung dichter SiC-Beschichtungen.SiC-beschichtete Graphitsubstrate werden häufig als Komponenten in metallorganischen chemischen Dampfdepositionsausrüstungen (MOCVD) zur Unterstützung und Erwärmung von Einzelkristallsubstraten verwendet, und sind die wichtigsten Komponenten der MOCVD-Ausrüstung.       02 Reaktionssintern von Siliziumkarbidkomponenten   SiC-Materialien, die einer Reaktionssinteration (Reaktionsschmelzinfiltration oder Reaktionsbindung) unterzogen werden, können eine Schrumpfgeschwindigkeit der Sinterleitung unter 1% haben.die Sintertemperatur ist relativ niedrig, wodurch die Anforderungen an Verformungskontrolle und Sintergeräte erheblich reduziert werden.und wurde weitgehend in der optischen und Präzisionsstrukturherstellung eingesetzt.   Für bestimmte leistungsstarke optische Komponenten in wichtigen Fertigungsausrüstungen für integrierte Schaltungen gelten strenge Anforderungen an die Materialvorbereitung.Durch Verwendung der Methode des reaktiven Sinterns von Siliziumkarbid-Substrat in Kombination mit chemischer Dampfdeposition von Siliziumkarbid (CVDSiC) Filmschicht zur Herstellung von Hochleistungsreflektoren, indem die wichtigsten Prozessparameter wie Vorläuferarten, Ablagerungstemperatur, Ablagerungsdruck, Reaktionsgasverhältnis, Gasflussfeld und Temperaturfeld optimiert werden,Sie können mit einer breiten und gleichförmigen CVD-SiC-Folienschicht hergestellt werden., so daß sich die Genauigkeit der Spiegeloberfläche den Leistungsindikatoren ähnlicher ausländischer Produkte annähert.       Glasglas für Lithographie-Maschinen       Die Experten der Chinesischen Akademie für Baustoffwissenschaft und -technologie haben erfolgreich eine eigene Vorbereitungstechnologie entwickelt, die die Herstellung von großformatigen,Komplexe Form, sehr leichte, vollständig geschlossene Lithographie-Maschinen, Keramikquadratspiegel aus Siliziumcarbid und andere optische Struktur- und Funktionskomponenten.       Die von der China Academy of Building Materials Science and Technology entwickelte Reaktionssinterung von Siliziumcarbid ist vergleichbar mit ähnlichen Produkten ausländischer Unternehmen.         Zu den Unternehmen, die derzeit im Ausland die Forschung und Anwendung von Präzisionskeramikkomponenten für die Kerngeräte von integrierten Schaltungen anführen, zählen unter anderem Kyocera aus Japan,CoorsTek der Vereinigten StaatenUnter anderem übernehmen Kyocera und CoorsTek 70% des Marktanteils an hochwertigen Präzisionskeramischen Komponenten, die in Kerngeräten für integrierte Schaltkreise verwendet werden.In China, gibt es das China National Building Research Institute, Ningbo Volkerkunst usw.Unser Land begann relativ spät in der Forschung über die Herstellungstechnologie und Anwendung Förderung von Präzisions-Karbid-Komponenten für integrierte Schaltkreisgeräte, und hat im Vergleich zu den international führenden Unternehmen immer noch eine Lücke.       Als Pionier in der Fertigung fortschrittlicher Siliziumcarbid-Komponenten hat sich ZMSH als umfassender Anbieter von Lösungen für Präzisions-SiC-Produkte etabliert.bietet End-to-End-Fähigkeiten von kundenspezifischen mechanischen SiC-Teilen bis hin zu Hochleistungssubstraten und keramischen Komponenten- Nutzung proprietärer Drucklossinterung und CNC-Bearbeitungstechnologien,Wir liefern maßgeschneiderte SiC-Lösungen mit außergewöhnlicher Wärmeleitfähigkeit (170-230 W/m·K) und mechanischer Festigkeit (Biegenfestigkeit ≥400MPa), für anspruchsvolle Anwendungen in Halbleitergeräten, Antriebssystemen für Elektrofahrzeuge und Luft- und Raumfahrt. Our vertically integrated production covers the entire value chain - from high-purity SiC powder synthesis to complex near-net-shape ceramic component fabrication - enabling precise customization of dimensional tolerances (up to ±5μm) and surface finishes (Ra≤0.1μm) für Standard- und Anwendungskonzepte. Die für die Automobilindustrie geeigneten 6-Zoll-/8-Zoll-SiC-Substrate des Unternehmens verfügen über die beste Mikroruchendichte (

   Hier gibt es keine falschen Bezeichnungen für Saphir!         Uhrenliebhaber kennen den Begriff "Saphirkristall"," wie die überwiegende Mehrheit der bekannten Uhrenmodelle, mit Ausnahme von Vintage-Inspirationsstücken, fast überall dieses Material in ihren Spezifikationen enthalten.Dies wirft drei Schlüsselfragen auf:     1Ist Saphir wertvoll? 2Ist ein "Saphirkristall"-Uhrglas wirklich aus Saphir? 3Warum Saphir?       In Wirklichkeit ist der in der Uhrenherstellung verwendete Saphir nicht dasselbe wie der natürliche Edelstein im traditionellen Sinne.mit einem Gehalt an Kohlenwasserstoffen von mehr als 10 GHT,Da kein Farbstoff hinzugefügt wird, ist der synthetische Saphir farblos.         Aus chemischer und struktureller Sicht gibt es keinen Unterschied zwischen natürlichem und synthetischem Saphir. Im Vergleich zu natürlichem Saphir ist synthetischer Saphir jedoch nicht besonders wertvoll.   Der Grund, warum große Uhrenmarken Safirkristall einstimmig für Uhrenbrillen bevorzugen, liegt nicht nur darin, dass er erstklassig klingt, sondern hauptsächlich an seinen außergewöhnlichen Eigenschaften:       - Härte: Synthetischer Saphir entspricht dem natürlichen Saphir bei 9 auf der Mohs-Skala, nur hinter Diamanten, was ihn sehr kratzfest macht (im Gegensatz zu Acryl, das leicht zerkratzt werden kann).   - Langlebigkeit: Korrosionsbeständig, hitzebeständig und sehr wärmeleitend.   - Optische Klarheit: Saphirkristall bietet eine außergewöhnliche Transparenz, was ihn wohl zum perfekten Werkstoff für die moderne Uhrmacherkunst macht.         Der Einsatz von Saphirkristall in der Uhrenherstellung begann in den 1960er Jahren und verbreitete sich schnell.In den folgenden Jahrzehnten wurde er zum Standard für moderne Uhren und heuteEs ist praktisch die einzige Wahl in der High-End-Uhrenindustrie..       Dann, im Jahr 2011, wurde Saphir erneut eine Sensation in der Luxusuhrenindustrie, als RICHARD MILLE den RM 056 vorstellte,mit einem volltransparenten Saphirgehäuse, eine beispiellose Innovation in der HochleistungsuhrindustrieViele Marken erkannten bald, dass Saphir nicht nur für Uhrenkristalle gedacht war, sondern auch für Gehäuse, und es sah atemberaubend aus.           Innerhalb weniger Jahre wurden Saphirgehäuse zu einem Trend, der sich von klarem Transparent zu lebendigen Farben entwickelte, was zu immer vielfältigeren Designs führte.Uhren mit Saphirgehäuse, die von limitierten Auflagen auf normale Modelle umgestellt wurden, und sogar Kernkollektionen.   Heute schauen wir uns also einige der Uhren mit Saphirkristallgehäuse an.     Artya     Reinheit Tourbillon Dieser Purity Tourbillon des unabhängigen Schweizer Uhrenherstellers ArtyA verfügt über ein stark skelettiertes Design und ein transparentes Saphirgehäuse,maximiert die visuelle Wirkung des Tourbillons, wie der Name schon sagtReiner Tourbillon.     BELL & Ross     BR-X1 Chronograph Tourbillon Saphir Im Jahr 2016 brachte Bell & Ross seine erste Saphiruhr, die BR-X1 Chronograph Tourbillon Sapphire, auf den Markt.Sie veröffentlichten eine noch transparentere Verformung.Im Jahr 2021 stellten sie den BR 01 Cyber Skull Sapphire vor, mit ihrem charakteristischen Schädelmotiv in einem kräftigen quadratischen Gehäuse.         BLANCPAIN   L-Evolution Streng genommen hat Blancpain's L-Evolution Minute Repeater Carillon Sapphire kein komplettes Saphirgehäuse.Aber die transparenten Saphirbrücken und Seitenfenster erzeugen einen auffallenden Durchsichtigkeitseffekt..     CHANEL           J12 Röntgenlicht Chanel präsentierte zum 20. Jahrestag der J12 die J12 X-RAY, die außergewöhnlich ist, weil nicht nur Gehäuse und Zifferblatt aus Saphir sind, sondern auch das gesamte Armband.Ein vollständig transparentes Aussehen, das visuell atemberaubend ist.             CHOPARD     L.U.C. Full Strike Saphir Chopard's L.U.C Full Strike Sapphire wurde im Jahr 2022 veröffentlicht und war der erste Minute-Repeater mit einem Saphirgehäuse.Die Uhr erhielt auch den Poinçon de Genève (Geneva Siegel), die erste nicht-metallische Uhr, die dies tut.     GIRARD-PERREGAUX     Quasar Im Jahr 2019 führte Girard-Perregaux seine erste Uhr mit Saphirgehäuse, den Quasar, mit seinem ikonischen "Three Bridges"-Design ein.Die Laureato Absolute Kollektion hat 2020 ihr erstes Saphirmodell vorgestellt., neben dem absoluten Tribut des Laureaten mit einem roten transparenten Gehäuse, obwohl nicht aus Saphir, sondern aus einem neuen polykristallinen Material namens YAG (Yttrium-Aluminium-Granat).         Grübel Forsey     30° Doppel Tourbillon Saphir Greubel Forsey's 30° Double Tourbillon Sapphire zeichnet sich dadurch aus, dass sowohl Gehäuse als auch Krone aus Saphirkristall bestehen.verfügt über vier seriengekoppelte Fässer für 120 Stunden GangreserveDer Preis beträgt über eine Million Dollar, nur 8 Stück.     JACOB & CO.     Die Astronomie ist makellos Um das manuell gewindelige JCAM24-Bewegungssystem vollständig zu präsentieren, schuf Jacob & Co. die Astronomia Flawless mit einem vollständig aus Saphir gefertigten Gehäuse.     - Ich weiß nicht.     Als Trendsetter für Saphirgehäuse beherrscht RICHARD MILLE das Material. Ob in Herren- oder Damenuhren oder komplizierten Uhren, Saphirgehäuse sind eine Signatur.RICHARD MILLE betont auch Farbvariationen, machen ihre Saphiruhren ultra-trendig.       Von den Saphirkristallen bis zu den Saphirgehäusen ist dieses Material zum Symbol für hochwertige Uhrmacherinnovationen geworden.