Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: ROHS
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Lieferzeit: 2-4weeks
Payment Terms: T/T
Cavity mode Tolerance: |
Within3% |
Hohlraummodus Einheitlichkeit: |
<= 1% |
Dopinglevel tolerance: |
Within ±30 % |
Dopingspiegel Einheitlichkeit: |
<= 10% |
PL Wavelength uniformity: |
Std. Dev better than 2nm @inner 140mm |
Thickness uniformity: |
Better than ±3% @inner 140mm |
Mole fraction x tolerance: |
Within ±0.03 |
Mole fraction x Uniformity: |
<= 0.03 |
Cavity mode Tolerance: |
Within3% |
Hohlraummodus Einheitlichkeit: |
<= 1% |
Dopinglevel tolerance: |
Within ±30 % |
Dopingspiegel Einheitlichkeit: |
<= 10% |
PL Wavelength uniformity: |
Std. Dev better than 2nm @inner 140mm |
Thickness uniformity: |
Better than ±3% @inner 140mm |
Mole fraction x tolerance: |
Within ±0.03 |
Mole fraction x Uniformity: |
<= 0.03 |
N-GaAs-Substrat VCSEL-Epiwafer 6 Zoll GaAs-Ausrichtung 100 111 Wellenlänge 940 nm für Gigabit-Ethernet
Kurzbeschreibung des VCSEL-Epiwafers mit N-GaAs-Substrat
DerN-GaAs (n-Typ Galliumarsenid) Substrat VCSEL Epiwaferist eine wichtige Komponente bei der Herstellung von oberflächenemittierenden Lasern mit vertikalem Hohlraum (VCSELs). VCSELs sind von zentraler Bedeutung für Anwendungen wie optische Hochgeschwindigkeitskommunikation, 3D-Sensorik und LIDAR. Der Wafer ist auf einem N-Typ-GaAs-Substrat aufgebaut, das eine ausgezeichnete elektrische Leitfähigkeit und eine geeignete Basis für das epitaktische Schichtwachstum bietet.
Epitaktische Schichten, die typischerweise aus verschiedenen Verbindungshalbleitern bestehen, werden auf dem Substrat gezüchtet, um den aktiven Bereich des Lasers zu bilden. Diese Struktur ermöglicht die vertikale Emission von Licht und bietet eine hohe Effizienz und einfache Integration in Arrays. Der Wafer unterstützt typischerweise die Emission bei Wellenlängen wie850 nm oder 940 nm, ideal für Anwendungen in der Glasfaserkommunikation und 3D-Sensorik.
N-GaAs Substrate bietengeringe Defektdichte, unverzichtbar für Hochleistungsgeräte, und hältHochtemperaturverarbeitung. Seine mechanische Stabilität und Wärmeleitfähigkeit machen ihn für Hochleistungs- und Hochgeschwindigkeitsanwendungen geeignet. Dieser Wafer wird häufig verwendet inRechenzentren,Unterhaltungselektronik(z. B. Gesichtserkennung in Smartphones) undAutomobilsystemewie LIDAR, aufgrund seinerkostengünstigUndskalierbarProduktion.
Struktur des VCSEL-Epiwafers mit N-GaAs-Substrat
Datenblatt des VCSEL-Epiwafers mit N-GaAs-Substrat (ZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf)
Foto des VCSEL-Epiwafers mit N-GaAs-Substrat
Anwendung von N-GaAs-Substrat VCSEL Epiwafer
DerN-GaAs-Substrat-VCSEL-Epiwaferwird aufgrund seiner effizienten vertikalen Lichtemission, Skalierbarkeit und Leistungsvorteile häufig in verschiedenen Hightech-Anwendungen eingesetzt. Zu den wichtigsten Anwendungsbereichen gehören:
Optische Kommunikation:
3D-Sensorik:
LIDAR (Lichterkennung und -entfernungsmessung):
Lasermäuse und -drucker:
Medizinische und industrielle Sensoren:
Diese Anwendungen unterstreichen die Vielseitigkeit und Bedeutung von N-GaAs-Substrat-VCSELs in der modernen Technologie.
Eigenschaften von N-GaAs-Substrat VCSEL Epiwafern
DerN-GaAs-Substrat-VCSEL-Epiwaferbesitzt mehrere wichtige Eigenschaften, die es ideal für fortschrittliche optoelektronische Anwendungen machen, insbesondere in der Hochgeschwindigkeitskommunikation und Sensortechnologie. Zu den wichtigsten Eigenschaften gehören:
Hohe elektrische Leitfähigkeit:
Geringe Defektdichte:
Hohe Wärmeleitfähigkeit:
Wellenlängenabstimmung:
Vertikale Emission:
Skalierbarkeit:
Temperaturstabilität:
Aufgrund dieser Eigenschaften ist der N-GaAs VCSEL-Epiwafer ideal für Anwendungen, die eine schnelle, effiziente und zuverlässige optoelektronische Leistung erfordern.
N-GaAs-Substrat-VCSEL-Epiwafer in ZMSH
DerN-GaAs (n-Typ Galliumarsenid) Substrat VCSEL Epiwaferist eine wichtige Komponente für die Herstellung von VCSELs, die häufig verwendet werden inoptische Kommunikation,3D-Sensorik, UndLIDAR. Der auf N-GaAs basierende Wafer bietet eine hervorragendeelektrische Leitfähigkeitund eine starke Grundlage für das Wachstum epitaktischer Schichten, die eine hocheffiziente vertikale Lichtemission bei Wellenlängen wie850 nmUnd940 nm.
ZMSHliefert diese hochwertigen Wafer und gewährleistet die Produktzuverlässigkeit durch fortschrittliche Testmethoden wiePL-Zuordnung,FP-Zuordnung, UndHohlraummodusAnalyse. Diese Tests helfen dabei, eine geringe Defektdichte aufrechtzuerhalten und die Einheitlichkeit der Wafer sicherzustellen, was für Hochleistungsanwendungen unerlässlich ist. ZMSH bietet auch Wafer mit verschiedenenWellenlängenund Konfigurationen, wie zum Beispiel940 nm Einzelübergangs-VCSELs, um den unterschiedlichsten industriellen Anforderungen gerecht zu werden.
Mit der detaillierten Qualitätskontrolle und Skalierbarkeit von ZMSH sind diese Wafer ideal für Anwendungen inRechenzentren,Unterhaltungselektronik(z. B. Gesichtserkennung) undAutomobilsystemeund bietetkostengünstigUndzuverlässigLösungen.
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