Produkt-Details
Place of Origin: China
Markenname: ZMSH
Model Number: N-GaAs Substrate
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Delivery Time: 2-4 weeks
Payment Terms: T/T
Material: |
Arsenid von Gallium |
Größe: |
2 Zoll |
Stärke: |
430um |
Orientierung: |
Der Wert der Verbrennungsmenge |
Typ: |
n-Art |
Hohlraummodus Einheitlichkeit: |
≤ 1% |
Material: |
Arsenid von Gallium |
Größe: |
2 Zoll |
Stärke: |
430um |
Orientierung: |
Der Wert der Verbrennungsmenge |
Typ: |
n-Art |
Hohlraummodus Einheitlichkeit: |
≤ 1% |
2 Zoll N-Gallium-Arsenid-Substrat, N-GaAs-VCSEL-Epitaxial-Wafer, Halbleiter-Epitaxial-Wafer, 2 Zoll N-GaAs-Substrat, GaAs-Einkristallwafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll N-GaAs-Substrate,mit einer Breite von mehr als 20 mm,, N-Gallium-Arsenid-Laser-Epitaxial-Wafer
Eigenschaften des N-GaAs-Substrats
- Verwendung von GaAs-Substraten zur Herstellung
- Unterstützung von maßgeschneiderten Modellen mit Design-Artwork
- direktes Bandgap, effizient Licht emittiert, in Lasern verwendet.
- im Wellenlängenbereich von 0,7 μm bis 0,9 μm, Quantenbrunnengebäude
- Verwendung von Techniken wie MOCVD oder MBE, Ätzung, Metallisierung und Verpackung zur Erzielung der endgültigen Form des Geräts
BeschreibungN-GaAs-Substrat
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) epitaxial wafers based on N-GaAs (n-type gallium arsenide) substrates are a key optoelectronic material widely used in the fields of lasers and optical communications.
Das N-GaAs-Substrat besteht aus Gallium (Ga) und Arsen (As) und verwendet eine n-Typ-Doping-Technologie zur Erhöhung der Konzentration freier Elektronen.so die Leitfähigkeit und Elektronenmobilität verbessern.
Dieses Material hat eine Energiebandbreite von etwa 1,42 eV, die für die Laseremission geeignet ist und ausgezeichnete optoelektronische Eigenschaften aufweist.
Die Struktur von VCSEL umfasst in der Regel mehrere Quantenbrunnen und Reflectorschichten, die auf dem N-GaAs-Substrat angebaut werden, um eine effiziente Laserhöhle zu bilden.
Die Quantenbohrschicht ist für die Anregung und Ausstrahlung von Lasern verantwortlich, während der Reflektor die Ausgangswirksamkeit des Lasers erhöht.
Die ausgezeichnete thermische Stabilität und die elektrischen Eigenschaften des N-GaAs-Substrats sorgen für die hohe Leistungsfähigkeit und Stabilität des VCSEL und ermöglichen eine gute Leistung bei der Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung.
VCSELs auf Basis von N-GaAs-Substraten werden in Bereichen wie Glasfaserkommunikation, Laserdrucker und Sensoren weit verbreitet.
Seine hohe Effizienz und sein geringer Stromverbrauch machen ihn zu einem wichtigen Bestandteil der modernen Kommunikationstechnologie.
Mit dem wachsenden Bedarf an Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung wird die VCSEL-Technologie auf Basis von N-GaAs-Substraten allmählich zu einer wichtigen Richtung für die Entwicklung der Optoelektronik.Förderung des Fortschritts und der Innovation verschiedener Anwendungen.
Einzelheiten zum N-GaAs-Substrat
| Parameter | VCSEL |
| Zinssatz | 25G/50G |
| Wellenlänge | 850 nm |
| Größe | 4 Zoll / 6 Zoll |
| Hohlraummodus Nachsicht | Innerhalb von ± 3% |
| Hohlraummodus Einheitlichkeit | ≤ 1% |
| Toleranz gegenüber Doping | Innerhalb von ± 30% |
| Dopingspiegel Einheitlichkeit | ≤ 10% |
| PL Wellenlänge-Einheitlichkeit | Std.Dev besser als 2nm @inner 140mm |
| Einheitlichkeit der Dicke | Besser als ± 3% @innere 140 mm |
| Molfraktion x Toleranz | Innerhalb von ±0.03 |
| Molbruchteil x Einheitlichkeit | ≤ 003 |
Weitere Proben von N-GaAs-Substrat
* Wenn Sie die angepassten Anforderungen haben, können Sie uns bitte kontaktieren.
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Häufig gestellte Fragen
1. F: Was ist mit den Kosten von N-GaAs-Substraten im Vergleich zu anderenSubstrate?
A:N-GaAs-Substratesind in der Regel teurer als SiliziumSubstrateund einige andere Halbleitermaterialien.
2. F: Was ist mit der ZukunftsperspektiveN-GaAs-Substrate?
A: Die ZukunftsaussichtenN-GaAs-Substratesind sehr vielversprechend.
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