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Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

Name: Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: GaN-2INCH
Price: 150.00 USD
Availability: InStock

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: zmkj

Modellnummer: GaN-2INCH

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Min Bestellmenge: 1PC

Preis: by case

Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden

Lieferzeit: 2-4 Wochen

Zahlungsbedingungen: L / C, T / T

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Produkt-Beschreibung

Hervorheben: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                gan Schablone, aln Schablone
                              

Material:	Einzelner Kristall GaN	Methode:	HVPE
Größe:	2inch	Stärke:	330um
Industrie:	LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor,	Farbe:	Weiß
PAKET:	einzelnes Oblatenkassetten-Kastenpaket durch Vakuumzustand

Material:	Einzelner Kristall GaN
Methode:	HVPE
Größe:	2inch
Stärke:	330um
Industrie:	LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor,
Farbe:	Weiß
PAKET:	einzelnes Oblatenkassetten-Kastenpaket durch Vakuumzustand

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

freistehende GaN Substrate 2inch, GaN-Oblate für LD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für geführt, GaN-Schablone, 10x10mm GaN Substrate, gebürtige GaN-Oblate,

III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus)

Verbotene Abdeckung der Bandbreite (lichtemittierend und Absorption) das ultraviolette, das sichtbare Licht und das Infrarot.

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um 0

GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung und Darstellung verwendet werden,

Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um 2

Spezifikationen:

Einzelteil	GaN-Rumpfstation-n
Maße	± 1mm Ф 50.8mm
Marco-Defekt-Dichte	Ein Niveau	≤ 2 cm^-2
	B-Niveau	> 2 cm^-2
Stärke	300 ± 25 µm
Orientierung	C-Achse (0001) ± 0.5°
Orientierung flach	(1-100) ± 0.5°, ± 16,0 1.0mm
Sekundärorientierung flach	(11-20) ± 3°, 8,0 ± 1.0mm
TTV (Gesamtstärke-Veränderung)	µm ≤15
BOGEN	µm ≤20
Leitungs-Art	N-artig
Widerstandskraft (300K)	< 0="">
Versetzungsdichte	Kleiner als 5x106 cm^-2
Verwendbare Fläche	> 90%
Polnisch	Vordere Oberfläche: Ra < 0=""> Hintere Oberfläche: Feiner Boden
Paket	Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

2. Unsere Unternehmens-Vision

wir stellen GaN-Substrat der hohen Qualität und Anwendungstechnologie für die Industrie zur Verfügung.

Hohe Qualität GaNmaterial ist der zurückhaltene Faktor für die III-Nitridanwendung, z.B. langes Leben

und hohe Stabilität LDs, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeitsmikrowellengeräte, hohe Helligkeit

und hohe Leistungsfähigkeit, energiesparende LED.

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um 3

- FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg

Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Oblate 2inch 0.33mm.
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 3 Arbeitswochen nach Auftrag.

Q: Wie man zahlt?
100%T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Handels-Versicherung.

Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 1pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-10pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab.

Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können ROHS-Berichts- und -reichweitenberichte für unsere Produkte liefern.

Tags:

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Oblate LiNbO3

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Synthetischer Saphir Rod

IC-Siliziumscheibe

Fixierter Quarz-Platte

keramisches Substrat

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