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Laser Projection Display Gallium Nitride GaN Wafer 350um Thickness

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

  • Markieren

    gan Schablone

    ,

    aln Schablone

  • Material
    Einzelner Kristall GaN
  • Methode
    HVPE
  • Größe
    2inch
  • Stärke
    330um
  • Industrie
    LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor,
  • Farbe
    Weiß
  • PAKET
    einzelnes Oblatenkassetten-Kastenpaket durch Vakuumzustand
  • Herkunftsort
    China
  • Markenname
    zmkj
  • Modellnummer
    GaN-2INCH
  • Min Bestellmenge
    1PC
  • Preis
    by case
  • Verpackung Informationen
    einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden
  • Lieferzeit
    2-4 Wochen
  • Zahlungsbedingungen
    L / C, T / T

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

freistehende GaN Substrate 2inch, GaN-Oblate für LD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für geführt, GaN-Schablone, 10x10mm GaN Substrate, gebürtige GaN-Oblate,

 

  1. III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus)

Verbotene Abdeckung der Bandbreite (lichtemittierend und Absorption) das ultraviolette, das sichtbare Licht und das Infrarot.

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um 0Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um 1

 

 

GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung und Darstellung verwendet werden,

Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um 2

 

Spezifikationen:

Einzelteil GaN-Rumpfstation-n
Maße ± 1mm Ф 50.8mm
Marco-Defekt-Dichte Ein Niveau ≤ 2 cm-2
B-Niveau > 2 cm-2
Stärke 300 ± 25 µm
Orientierung C-Achse (0001) ± 0.5°
Orientierung flach (1-100) ± 0.5°, ± 16,0 1.0mm
Sekundärorientierung flach (11-20) ± 3°, 8,0 ± 1.0mm
TTV (Gesamtstärke-Veränderung) µm ≤15
BOGEN µm ≤20
Leitungs-Art N-artig
Widerstandskraft (300K) < 0="">
Versetzungsdichte Kleiner als 5x106 cm-2
Verwendbare Fläche > 90%
Polnisch

Vordere Oberfläche: Ra < 0="">

Hintere Oberfläche: Feiner Boden

Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

 

2. Unsere Unternehmens-Vision

wir stellen GaN-Substrat der hohen Qualität und Anwendungstechnologie für die Industrie zur Verfügung.

Hohe Qualität GaNmaterial ist der zurückhaltene Faktor für die III-Nitridanwendung, z.B. langes Leben

und hohe Stabilität LDs, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeitsmikrowellengeräte, hohe Helligkeit

und hohe Leistungsfähigkeit, energiesparende LED.

 

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- FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg

Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Oblate 2inch 0.33mm.
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 3 Arbeitswochen nach Auftrag.

Q: Wie man zahlt?
100%T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Handels-Versicherung.

Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 1pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-10pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab.

Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können ROHS-Berichts- und -reichweitenberichte für unsere Produkte liefern.