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υπόστρωμα SIC

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kaufen 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm Online Hersteller

6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm
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2025-01-24 14:33:00
kaufen Silikonkarbid SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dicke 350μm Für Hochleistungsgeräte Online Hersteller

Silikonkarbid SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dicke 350μm Für Hochleistungsgeräte
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2024-09-24 17:30:38
kaufen Sic 3C-N Typ Größe Bearbeitung Leiter Typ für Radarsysteme Null MPD Produktionsstufe Online Hersteller

Sic 3C-N Typ Größe Bearbeitung Leiter Typ für Radarsysteme Null MPD Produktionsstufe
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2025-01-24 13:46:57
kaufen 2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad Online Hersteller

2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad
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2024-10-11 10:35:00
kaufen 4-Zoll-Siliziumkarbid-Sic-Wafer 4H-P-Typ Durchmesser 100 mm Dicke 350 μm Online Hersteller

4-Zoll-Siliziumkarbid-Sic-Wafer 4H-P-Typ Durchmesser 100 mm Dicke 350 μm
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2025-01-24 15:29:41
kaufen 2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse Online Hersteller

2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse
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2025-01-24 14:50:41
kaufen Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null Online Hersteller

Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null
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2025-02-21 16:42:38
kaufen Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik Online Hersteller

Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik
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2025-01-24 15:04:24
kaufen 4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade Online Hersteller

4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade
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2024-09-29 11:29:00
kaufen Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad Online Hersteller

Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad
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2024-09-24 17:30:38
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

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