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kaufen Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten Online Hersteller

Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten
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2025-02-21 16:42:38
kaufen Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic Online Hersteller

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic
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2023-05-11 14:23:27
kaufen 4" 4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer Halbleiter EPI-Substrate Online Hersteller

4" 4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer Halbleiter EPI-Substrate
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2023-11-27 09:47:06
kaufen CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie Online Hersteller

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie
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2024-05-07 18:17:32
kaufen 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade Online Hersteller

4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade
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2025-04-29 14:01:02
kaufen 4 Zoll 3C-N-Typ SiC-Substrat Siliziumkarbid Substrat Dicke 350um Prime-Qualität Dummy-Qualität Online Hersteller

4 Zoll 3C-N-Typ SiC-Substrat Siliziumkarbid Substrat Dicke 350um Prime-Qualität Dummy-Qualität
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2024-08-27 09:58:42
kaufen 6H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 6 Zoll SIC Wafer 4H-P für optoelektronische Geräte Online Hersteller

6H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 6 Zoll SIC Wafer 4H-P für optoelektronische Geräte
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2024-09-24 17:30:38
kaufen 2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad Online Hersteller

2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad
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2025-02-21 16:42:38
kaufen 4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik Online Hersteller

4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik
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2025-07-31 09:09:08
kaufen BLINDE Hauptgrad 6inch Silikonkarbid sic Stärkesubstrate Oblaten-0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi Online Hersteller

BLINDE Hauptgrad 6inch Silikonkarbid sic Stärkesubstrate Oblaten-0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi
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2020-07-17 15:01:02
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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