Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: Kühlkörper
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Min Bestellmenge: 1 Stück
Preis: by size
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenbehälterkasten
Lieferzeit: 2-6weeks
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Material: |
GaN-ON-Dimond |
Stärke: |
0~1mm |
Größe: |
~2inch |
Wärmeleitfähigkeit: |
>1200W/m.k |
Ra: |
<1nm |
Vorteil1: |
Hohe Wärmeleitfähigkeit |
Vorteil: |
Korrosionsbeständigkeit |
Härte: |
81 ± 18 GPa |
Material: |
GaN-ON-Dimond |
Stärke: |
0~1mm |
Größe: |
~2inch |
Wärmeleitfähigkeit: |
>1200W/m.k |
Ra: |
<1nm |
Vorteil1: |
Hohe Wärmeleitfähigkeit |
Vorteil: |
Korrosionsbeständigkeit |
Härte: |
81 ± 18 GPa |
customzied Oblaten GaN& Diamond Heat Sink Methode der Größe MPCVD für thermischen Managementbereich
GaN ist auf den Hochfrequenz-, schnell aufladen und anderemgebieten weitverbreitet, aber seine Leistung und Zuverlässigkeit hängen mit der Temperatur auf dem Kanal und Joule Heizungsdem efiect zusammen. Die allgemein verwendeten Substratmaterialien (Saphir, Silikon, Silikonkarbid) von GaN-ansässigen Starkstromgeräten haben niedrige Wärmeleitfähigkeit. Sie begrenzt groß die Wärmeableitung und starken die Leistungsanforderungen des Gerätes. Bauend nur auf traditionelle Substratmaterialien (Silikon, Silikonkarbid) und passive Kühltechnik, ist es schwierig, die Wärmeableitungsbedingungen unter den Bedingungen der hohen Leistung zu erfüllen und streng begrenzt die Freigabe des Potenzials der GaN-ansässigen Starkstromgeräte. Studien haben gezeigt, dass Diamant den Gebrauch von GaN-ansässigen Starkstromgeräten erheblich verbessern kann. Bestehende thermische Effektprobleme.
Diamant hat große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Zusammenbruchfeldstärke, hohe Ladungsträgerbeweglichkeit, Widerstand der hohen Temperatur, Säure- und Alkaliwiderstand, Korrosionsbeständigkeit, Strahlungswiderstand und andere überlegene Eigenschaften
Hohe Leistung, Hochfrequenz, Felder der hohen Temperatur spielen eine wichtige Rolle und werden als eins der viel versprechendsten Halbleiter mit großer Bandlücke-Materialien angesehen.
Diamant ist ein Superwärmeableitungsmaterial mit ausgezeichneter Leistung:
• Diamant hat die höchste Wärmeleitfähigkeit jedes möglichen Materials bei Zimmertemperatur. Und Hitze ist der wichtige Grund des elektronischen Produktausfalls.
Entsprechend Statistiken lässt die Temperatur der Arbeitskreuzung niedrig 10 fallen, die ° C das Gerätleben verdoppeln kann. Die Wärmeleitfähigkeit des Diamanten ist 3 bis 3 höher als das von allgemeinen thermischen Managementmaterialien (wie Kupfer, Silikonkarbid und Aluminium-Nitrid)
10mal. Gleichzeitig hat Diamant die Vorteile der leichten, elektrischen Isolierung, mechanische Festigkeit, niedrige Giftigkeit und niedrige Dielektrizitätskonstante, die Diamanten machen, ist es eine ausgezeichnete Wahl von Wärmeableitungsmaterialien.
• Geben Sie volles Spiel zur inhärenten thermischen Leistung des Diamanten, die leicht das „Wärmeableitungs“ Problem löst, das durch elektronische Energie, Starkstromgeräte, etc. gehabt wird.
Auf dem Volumen verbessern Sie Zuverlässigkeit und Energiedichte zu erhöhen. Sobald das „thermische“ Problem gelöst wird, wird der Halbleiter auch erheblich verbessert, durch die Leistung des thermischen Managements effektiv verbessern,
Die Nutzungsdauer und die Energie des Gerätes gleichzeitig die Betriebskosten groß verringern.
Kombinationsmethode
Verwendungsgebiet
• Kommunikation der Mikrowellenhochfrequenz 5G, Radarwarnung, Verbindung über Satellit und andere Anwendungen;
• Intelligentes Gitter der Energieelektronik, Hochgeschwindigkeitsschienendurchfahrt, neue Energiefahrzeuge, Unterhaltungselektronik und andere Anwendungen;
Lichter der Optoelektronik LED, Laser, Fotodetektoren und andere Anwendungen.
Diamant auf GaN
Wir benutzen chemische Bedampfenausrüstung des Mikrowellenplasmas, um Epitaxie des polykristallinen Diamantmaterials mit einer Stärke von zu erzielen <10um on="" a="" 50=""> (2-Zoll-) Silikon-ansässiger Galliumnitrid HEMT. Ein Rasterelektronenmikroskop und ein Röntgendiffraktometer wurden benutzt, um die Oberflächenmorphologie, die kristallene Qualität und die Kornorientierung des Diamantfilmes zu kennzeichnen. Die Ergebnisse zeigten, dass die Oberflächenmorphologie der Probe verhältnismäßig einheitlich war, und die Diamantkörner zeigten im Allgemeinen ein (krankes) flaches Wachstum. Höhere flache Kristallorientierung. Während des Wachstumsprozesses wird das Galliumnitrid (GaN) effektiv an durch das Wasserstoffplasma geätzt werden verhindert, damit die Eigenschaften des GaN vor und nach der Diamantbeschichtung nicht erheblich ändern.
GaN auf Diamanten
In GaN auf Diamantepitaxie, verwendet CSMH einen Systemprozeß, um AlN zu wachsen
AIN als die Epitaxial- Schicht GaN. CSMH hat z.Z. ein verfügbares Produkt
Epi-bereit-GaN auf dem Diamanten (AIN auf Diamanten).
Abbinden GaN/des Diamanten
Die technischen Indikatoren des Diamantkühlkörpers CSMHS und der Oblate-stufigen Diamantprodukte haben das führende Niveau der Welt erreicht. Die Oberflächenrauigkeit der Oblate-stufigen Diamantwachstumsoberfläche ist Ra_2000W/m.K.
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