Zno-Substrat, Galliumarsenid-Oblaten-Zink-Oxid-Kristall-Substrat

ZnO-Substrate, 10X10mm kleine quadratische Zinkoxidoblate, 5x5mm ZnO Substrate in den verschiedenen Orientierungen, einzelner Kristall ZnO

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Zink-Oxid (ZnO) kann als Halbleiter des einzelnen Kristalles mit sehr interessanten Eigenschaften gewachsen werden.

Die Bandlücke ist in der 3,4 eV Strecke, die es attraktiv für viele der blauen und violetten Anwendungen macht

in der Optoelektronik sowie in den UVgeräten. Sie ist in den Massen, in den Wafers von bis 2 Zoll verfügbar,

welches ihm einen bedeutenden Vorteil über Gallium-Nitrid und anderen Gruppe III Nitriden gibt.
ZnO hat auch das Potenzial, das Substratmaterial der Wahl für GaN zu werden. Wie GaN hat es eine Wurtzitstruktur, wenn die Gitterkonstante nah an GaN (a=3.249, c=5.205) angepasst ist. ZnO ist genau

Gitter passte an InGaN mit einem 22% im Inhalt an. Möglicherweise am wichtigsten ist es ein weiches konformes Material

das wird geglaubt zu vermutlich und nimmt möglicherweise den Gitterdruck anstatt der wachsenden GaN-Schicht auf.

Es leidet unter dem Nachteil, den es im Ammoniak bei den Temperaturen über 600°C. mit seiner großen Bandlücke trennt, Zink-Oxid könnte prüfen sehr nützlich in den optischen Anwendungen sowie viel Hochgeschwindigkeitselektronik.

ZnO auch wird als Substrat für Epitaxie verwendet möglicherweise.

Anwendung:

Zinkoxid (ZnO) Kristall-substrateProduct Beschreibung: Kristallsubstrat des Zinkoxids (ZnO) ist herein weit verbreitet

Epitaxial- Substrat GaN (blaue LED), Verbindungsgeräte des breiten Bandes und anderes Felder. Technische Parameter

Allgemeine Eigenschaften