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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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Durchmesser 50.8mm 2 Zoll-Galliumarsenid-Wafer für Halbleiter-Substrat
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Durchmesser 50.8mm 2 Zoll-Galliumarsenid-Wafer für Halbleiter-Substrat

Herkunftsort China
Markenname zmsh
Zertifizierung no
Modellnummer GaAs-001
Produkt-Details
Material:
Substrate einzelnen Kristalles GaAs
Industrie:
semicondutor Oblate
Anwendung:
Halbleitersubstrat, geführter Chip, optisches Glasfenster, Gerätsubstrate
Methode:
VFG
Größe:
Common 2-6inch
Markieren: 

gaas-Oblate

,

Indiumarsenmetalloblate

Produkt-Beschreibung

Substrate 2inch GaAs, GaAs-Oblate für geführt, Galliumarsenid-Kristallscheiben, Si-/Zndopant GaAs-Oblate (a-Mittel der Elemente Gallium und Arsen. Es ist ein III-V direkter Bandlückehalbleiter mit einer Kristallstruktur der Zinkblende)

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Anwendung:

 

1. Hauptsächlich verwendet in der Elektronik, Legierungen der niedrigen Temperatur, Galliumarsenid.

 

2. Die Primär-chemische Verbindung des Galliums in der Elektronik, wird in den Mikrowellenstromkreisen, in den Hochgeschwindigkeitsschaltungsstromkreisen und in den Infrarotstromkreisen benutzt.

 

3. Gallium-Nitrid und Indium-Gallium-Nitrid, denn Halbleitergebrauch, produziert die blauen und violetten Leuchtdioden (LEDs) und die Diodenlaser.

Durchmesser 50.8mm 2 Zoll-Galliumarsenid-Wafer für Halbleiter-Substrat 0

 

Spezifikation

 

Parameter

Garantierte/tatsächliche Werte UOM
Wachstums-Methode: VGF  
Führungs-Art: SÜNDE  
Dopant: Undoped  
Durchmesser: 50.8± 0,1 Millimeter
Orientierung: (100) ± 0,50  
Vom Standort/von der Länge: ± 0,50/16±1 EJ [0-1-1]  
WENN Standort/Länge: ± 0,50/7±1 EJ [0-1 1]  
Widerstandskraft: Minute: 1,0 E8 Maximal: 2,2 E8 Ω·cm
Mobilität: >2000   cm2/v.s
EPD: <1500   / cm2
Stärke: 350± 20 µm
Rand-Rundung: 0,25 mmR
Laser-Markierung: N/A  
TTV/TIR: Maximal: 10 µm
BOGEN: Maximal: 10 µm
Verzerrung: Maximal: 10 µm
Partical-Zählung: <50/wafer(fürPartikel >0.3um)  
Oberflächenendfront: Polier  
Oberflächenende – hinter: Geätzt  
Epi-bereit:

Ja

 

 

Parameter Die Anforderungen des Kunden Garantierte/tatsächliche Werte UOM
Wachstums-Methode: VGF VGF  
Führungs-Art: S-C-P S-C-P  
Dopant: GaAs-Zn GaAs-Zn  
Durchmesser: 50.8± 0,4 50.8± 0,4 Millimeter
Orientierung: (100) ± 0,50 (100) ± 0,50  
Vom Standort/von der Länge: ± 0,50/16±1 EJ [0-1-1] ± 0,50/16±1 EJ [0-1-1]  
WENN Standort/Länge: ± 0,50/7±1 EJ [0-1 1] ± 0,50/7±1 EJ [0-1 1]  
Barren cm: Minute: 1 E19 Maximal: 5 E19 Minute: 1,4 E19 Maximal: 1,9 E19 /cm 3
Widerstandskraft: Minute: N/A Maximal: N/A Minute: N/A Maximal: N/A Ω·cm
Mobilität: Minute: N/A Maximal: N/A Minute: N/A Maximal: N/A cm2/v.s
EPD: Maximal: 5000 Minute: 600 Maximal: 700 / cm2
Stärke: 350±25 350±25 µm
Oberflächenendfront: Polier Polier  
Oberflächenende – hinter: Geätzt Geätzt  
Epi-bereit:

Ja

Ja

 

Durchmesser 50.8mm 2 Zoll-Galliumarsenid-Wafer für Halbleiter-Substrat 1

FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg

Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Balllinse, Powell-Linse und Kollimatorlinse:
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 3 Arbeitswochen nach Auftrag.
(2) für die aus-Standardprodukte, ist die Lieferung 2 oder 6 Arbeitswochen, nachdem Sie den Auftrag vergeben.

Q: Wie man zahlt?
T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Handels-Versicherung auf Alibaba und ETC….

Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 5pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-20pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab

Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können Detailbericht für unsere Produkte liefern.
 

Verpacken – Logistcs
Worldhawk betrifft jedes Details des Pakets, die Reinigung, antistatisch, Schocktherapie.

Entsprechend der Quantität und der Form des Produktes, nehmen wir einen anderen Verpackenprozeß!

Durchmesser 50.8mm 2 Zoll-Galliumarsenid-Wafer für Halbleiter-Substrat 2

 

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