Einzelheiten zu den Produkten

Haus PRODUKTE

Si lackierte Undoped Art der GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-2inch N

Markenbezeichnung:	zmsh
Modellnummer:	GaAs-2inch-N-type
MOQ:	10PCS
Preis:	by case
Lieferzeit:	1-4weeks
Zahlungsbedingungen:	Western Union, T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

CHINA

Zertifizierung:

ROHS

Material:

GaAs-einzelne Kristallsubstrate

Industrie:

semicondutor Oblate

Anwendung:

Halbleitersubstrat, führte Chip, optisches Glasfenster, Gerätsubstrate

Methode:

VFG

Größe:

2inch

Stärke:

350um

Art:

N-artig

Orientierung:

15° weg

Oberfläche:

SSP

Verpackung Informationen:

casstle 25pcs im Reinigungsraum mit 100 Graden

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

400pcs/month

Hervorheben:

Undoped GaAs-Oblate

Si lackierte Galliumarsenid-Substrate

2inch Galliumarsenid-Substrate

Produkt-Beschreibung

VFG-metod N-artiges 3inch, 4inch, die Galliumarsenid-Oblaten 6inch dia150mm GaAs, die Art für Mikroelektronik, 2inch N-artiges Si-Lackieren Halb-isolieren, UNO-lackierte GaAas-Oblaten-Galliumarsenid-Substrate

--------------------------------------------------------------------------------------------------------------

GaAs-) Galliumarsenid-Oblaten

Galliumarsenid (GaAs) ist ein Mittel der Elemente Gallium und Arsen. Es ist ein III-V direkter Bandlückehalbleiter mit einer Kristallstruktur der Zinkblende.

Galliumarsenid wird in der Fertigung von Geräten wie Mikrowellenfrequenzintegrierten schaltungen, monolithischen Mikrowellenintegrierten schaltungen, Infrarotleuchtdioden, Laserdioden, Solarzellen und optischen Fenstern benutzt. [2]

GaAs ist als Substratmaterial für die Epitaxie anderer III-V Halbleiter einschließlich IndiumGalliumarsenid, Aluminiumgalliumarsenid und andere häufig benutzt.

GaAs-Oblaten-Eigenschaft und Anwendung

Eigenschaft	Einsatzbereich
Hohe Elektronenbeweglichkeit	Lichtemittierende Dioden
Hochfrequenz	Laserdioden
Hohe Umwandlungs-Leistungsfähigkeit	Foto-voltaische Geräte
Leistungsaufnahme der geringen Energie	Hoher Elektronenbeweglichkeits-Transistor
Direkte Bandlücke	Heterojunctions-bipolar Transistor

Spezifikation

Undoped GaAs

Halb-isolierende GaAs-Spezifikationen

Wachstums-Methode	VGF
Dopant	Kohlenstoff
Oblate Shape*	Runde (Durchmesser: 2", 3", 4" und 6")
Oberflächenorientierung **	(100) ±0.5°

“ Oblaten *5 verfügbar auf Anfrage

** Andere Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

Widerstandskraft (Ω.cm)	≥1 × 107	≥1 × 108
Mobilität (cm2/V.S)	≥ 5.000	≥ 4.000
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2)	1,500-5,000	1,500-5,000

Oblaten-Durchmesser (Millimeter)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3	150±0.3
Stärke (µm)	350±25	625±25	625±25	675±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4	≤ 4	≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10
VERZERRUNG (µm)	≤10	≤10	≤10	≤5
VON (Millimeter)	17±1	22±1	32.5±1	KERBE
VON/, WENN (Millimeter)	7±1	12±1	18±1	N/A
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Si lackierte Undoped Art der GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-2inch N 0

FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg

Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Balllinse, Powell-Linse und Kollimatorlinse:
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 3 Arbeitswochen nach Auftrag.
(2) für die aus-Standardprodukte, ist die Lieferung 2 oder 6 Arbeitswochen, nachdem Sie den Auftrag vergeben.

Q: Wie man zahlt?
T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Geschäftsversicherung auf und ETC….

Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 5pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-20pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab

Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können Detailbericht für unsere Produkte liefern.

Verpacken – Logistcs
Worldhawk-Interessen führt je vom Paket, die Reinigung einzeln auf, antistatisch, Schocktherapie. Entsprechend der Quantität und der Form des Produktes, nehmen wir einen anderen Verpackenprozeß!

Umbauten:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung