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Si lackierte Undoped Art der GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-2inch N
  • Si lackierte Undoped Art der GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-2inch N
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Si lackierte Undoped Art der GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-2inch N

Herkunftsort CHINA
Markenname zmsh
Zertifizierung ROHS
Modellnummer GaAs-2inch-N-type
Produkt-Details
Material:
GaAs-einzelne Kristallsubstrate
Industrie:
semicondutor Oblate
Anwendung:
Halbleitersubstrat, führte Chip, optisches Glasfenster, Gerätsubstrate
Methode:
VFG
Größe:
2inch
Stärke:
350um
Art:
N-artig
Orientierung:
15° weg
Oberfläche:
SSP
Markieren: 

Undoped GaAs-Oblate

,

Si lackierte Galliumarsenid-Substrate

,

2inch Galliumarsenid-Substrate

Produkt-Beschreibung

 

VFG-metod N-artiges 3inch, 4inch, die Galliumarsenid-Oblaten 6inch dia150mm GaAs, die Art für Mikroelektronik, 2inch N-artiges Si-Lackieren Halb-isolieren, UNO-lackierte GaAas-Oblaten-Galliumarsenid-Substrate

 

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GaAs-) Galliumarsenid-Oblaten

Galliumarsenid (GaAs) ist ein Mittel der Elemente Gallium und Arsen. Es ist ein III-V direkter Bandlückehalbleiter mit einer Kristallstruktur der Zinkblende.

Galliumarsenid wird in der Fertigung von Geräten wie Mikrowellenfrequenzintegrierten schaltungen, monolithischen Mikrowellenintegrierten schaltungen, Infrarotleuchtdioden, Laserdioden, Solarzellen und optischen Fenstern benutzt. [2]

GaAs ist als Substratmaterial für die Epitaxie anderer III-V Halbleiter einschließlich IndiumGalliumarsenid, Aluminiumgalliumarsenid und andere häufig benutzt.

GaAs-Oblaten-Eigenschaft und Anwendung

Eigenschaft Einsatzbereich
Hohe Elektronenbeweglichkeit Lichtemittierende Dioden
Hochfrequenz Laserdioden
Hohe Umwandlungs-Leistungsfähigkeit Foto-voltaische Geräte
Leistungsaufnahme der geringen Energie Hoher Elektronenbeweglichkeits-Transistor
Direkte Bandlücke Heterojunctions-bipolar Transistor

 

Spezifikation

Undoped GaAs

Halb-isolierende GaAs-Spezifikationen

 

Wachstums-Methode VGF
Dopant Kohlenstoff
Oblate Shape* Runde (Durchmesser: 2", 3", 4" und 6")
Oberflächenorientierung ** (100) ±0.5°

“ Oblaten *5 verfügbar auf Anfrage

** Andere Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

 

Widerstandskraft (Ω.cm) ≥1 × 107 ≥1 × 108
Mobilität (cm2/V.S) ≥ 5.000 ≥ 4.000
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2) 1,500-5,000 1,500-5,000

 

Oblaten-Durchmesser (Millimeter) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3 150±0.3
Stärke (µm) 350±25 625±25 625±25 675±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
VERZERRUNG (µm) ≤10 ≤10 ≤10 ≤5
VON (Millimeter) 17±1 22±1 32.5±1 KERBE
VON/, WENN (Millimeter) 7±1 12±1 18±1 N/A
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

 

Si lackierte Undoped Art der GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-2inch N 0Si lackierte Undoped Art der GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-2inch N 1

 

FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg

Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Balllinse, Powell-Linse und Kollimatorlinse:
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 3 Arbeitswochen nach Auftrag.
(2) für die aus-Standardprodukte, ist die Lieferung 2 oder 6 Arbeitswochen, nachdem Sie den Auftrag vergeben.

Q: Wie man zahlt?
T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Geschäftsversicherung auf Alibaba und ETC….

Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 5pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-20pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab

Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können Detailbericht für unsere Produkte liefern.
 

Verpacken – Logistcs
Worldhawk-Interessen führt je vom Paket, die Reinigung einzeln auf, antistatisch, Schocktherapie. Entsprechend der Quantität und der Form des Produktes, nehmen wir einen anderen Verpackenprozeß!

 

 

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