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3inch 76.2mm N-artiges S lackierte Galliumarsenid-Oblate für Mikroelektronik

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3inch 76.2mm N-artiges S lackierte Galliumarsenid-Oblate für Mikroelektronik

3inch 76.2mm N-Type S Doped Gallium Arsenide Wafer For Microelectronics
3inch 76.2mm N-Type S Doped Gallium Arsenide Wafer For Microelectronics 3inch 76.2mm N-Type S Doped Gallium Arsenide Wafer For Microelectronics 3inch 76.2mm N-Type S Doped Gallium Arsenide Wafer For Microelectronics

Großes Bild :  3inch 76.2mm N-artiges S lackierte Galliumarsenid-Oblate für Mikroelektronik

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: zmsh
Zertifizierung: no
Modellnummer: GaAs-3inch
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 5pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: casstle 25pcs im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 1-4weeks
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100pcs/month
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: GaAs-einzelne Kristallsubstrate Industrie: semicondutor Oblate
Anwendung: Halbleitersubstrat, führte Chip, optisches Glasfenster, Gerätsubstrate Methode: VFG
Größe: 2-6inch Stärke: 675um
Art: N-artig Orientierung: 15°
Stärke: 450um
Hervorheben:

MikroelektronikGalliumarsenidoblate

,

Oblate des Arsenmetalls 76.2mmgallium

,

Mikroelektronik gaas-Oblate

VFG-metod N-artiges 3inch, 4inch, Galliumarsenid-Oblaten 6inch dia150mm GaAs, die Art für Mikroelektronik Halb-isolieren,

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GaAs-) Galliumarsenid-Oblaten

Galliumarsenid (GaAs) ist ein Mittel der Elemente Gallium und Arsen. Es ist ein III-V direkter Bandlückehalbleiter mit einer Kristallstruktur der Zinkblende.

Galliumarsenid wird in der Fertigung von Geräten wie Mikrowellenfrequenzintegrierten schaltungen, monolithischen Mikrowellenintegrierten schaltungen, Infrarotleuchtdioden, Laserdioden, Solarzellen und optischen Fenstern benutzt. [2]

GaAs ist als Substratmaterial für die Epitaxie anderer III-V Halbleiter einschließlich IndiumGalliumarsenid, Aluminiumgalliumarsenid und andere häufig benutzt.

GaAs-Oblaten-Eigenschaft und Anwendung

Eigenschaft Einsatzbereich
Hohe Elektronenbeweglichkeit Lichtemittierende Dioden
Hochfrequenz Laserdioden
Hohe Umwandlungs-Leistungsfähigkeit Foto-voltaische Geräte
Leistungsaufnahme der geringen Energie Hoher Elektronenbeweglichkeits-Transistor
Direkte Bandlücke Heterojunctions-bipolar Transistor

Spezifikation

Undoped GaAs

Halb-isolierende GaAs-Spezifikationen

Wachstums-Methode VGF
Dopant Kohlenstoff
Oblate Shape* Runde (Durchmesser: 2", 3", 4" und 6")
Oberflächenorientierung ** (100) ±0.5°

“ Oblaten *5 verfügbar auf Anfrage

** Andere Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

Widerstandskraft (Ω.cm) ≥1 × 107 ≥1 × 108
Mobilität (cm2/V.S) ≥ 5.000 ≥ 4.000
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2) 1,500-5,000 1,500-5,000

Oblaten-Durchmesser (Millimeter) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3 150±0.3
Stärke (µm) 350±25 625±25 625±25 675±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
VERZERRUNG (µm) ≤10 ≤10 ≤10 ≤5
VON (Millimeter) 17±1 22±1 32.5±1 KERBE
VON/, WENN (Millimeter) 7±1 12±1 18±1 N/A
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

3inch 76.2mm N-artiges S lackierte Galliumarsenid-Oblate für Mikroelektronik 0

3inch 76.2mm N-artiges S lackierte Galliumarsenid-Oblate für Mikroelektronik 1

FAQ –
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(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg

Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Balllinse, Powell-Linse und Kollimatorlinse:
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 3 Arbeitswochen nach Auftrag.
(2) für die aus-Standardprodukte, ist die Lieferung 2 oder 6 Arbeitswochen, nachdem Sie den Auftrag vergeben.

Q: Wie man zahlt?
T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Geschäftsversicherung auf und ETC….

Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 5pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-20pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab

Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können Detailbericht für unsere Produkte liefern.

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Ansprechpartner: Mr. Wang

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